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紫外/深紫外LED封装技术研发(二)

3.白光LED封装技术–出 光光学设计:通过材料/结构优化,提高光效、光形、均匀性与光色(全光谱)4.白光LED封装技术–散热热学设计:散热直接影响 LED 器件性能,包括光强、光效、光色、可靠性与成本等.(1)设计:系统热设计(降低系统热阻)(2)结构:减少热界面数(3)材料:高导热基板与贴片(固晶)材料(4)工艺:降低界面热阻封装基板功能:(1)机械支撑(承载)(2)电互连(绝缘)(3)散热(功率器件)材料(1)高分子(FR4 等)(2)金属(Al、Cu 等)(3)陶瓷(Al2O3、AlN 等)存在问题:(1)线路精度差(线宽/线距大于100um),无法实现小型化;(2)不能垂直互连,系统集成度差;(3)新应用需求:功率器件(第三代半导体)、恶劣环境(高温高湿等)等;(4)市场需要开发一种高性能(高精度、垂直互连等)、低成本、真正的陶瓷电路板;电镀陶瓷基板 DPC(Direct Plating Ceramic)(1)陶瓷材料......阅读全文

紫外/深紫外LED封装技术研发(二)

3.白光LED封装技术–出 光光学设计:通过材料/结构优化,提高光效、光形、均匀性与光色(全光谱)4.白光LED封装技术–散热热学设计:散热直接影响 LED 器件性能,包括光强、光效、光色、可靠性与成本等.(1)设计:系统热设计(降低系统热阻)(2)结构:减少热界面数(3)材料:高导热基板与贴片(固

紫外/深紫外LED封装技术研发(五)

关键技术 2 - 低温气密焊接整体加热焊接技术(1)高温对 LED 芯片热损伤;(2)高温影响固晶质量;局部加热焊接技术异质集成技术(低温)金属 - 陶瓷;金属 - 半导体;玻璃 - 半导体;陶瓷 - 半导体;物理键合(焊接)技术高温、高压力、环境气氛(真空或惰性气体保护等);气密性好,但工艺成本高

紫外/深紫外LED封装技术研发(一)

当前,新型冠状病毒仍在持续,对产业及企业造成了一定程度的影响,也牵动着各行各业人们的心。在此形势下,中国半导体照明网、极智头条,在国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导下,开启疫情期间知识分享,帮助企业解答疑惑。助力我们LED照明企业和产业共克时艰!本期,我们邀请到华

紫外/深紫外LED封装技术研发(四)

实现气密封装(1)水蒸汽等渗透到LED芯片表面,影响器件性能与可靠性;(2)深紫外线与氧气反应产生臭氧,影响出光效率?;(3)气密封装材料:玻璃、陶瓷、金属等;2.深紫外 LED全无机气密封装(1)散热:陶瓷基板(含腔体、高导热);(2)出光:石英玻璃盖板(高光效);(3)焊接:金属焊料(高强度);

紫外/深紫外LED封装技术研发(三)

DPC 基板技术起源于台湾,满足 LED 封装需求,通过产学研合作,实现产业化(量产工艺 + 定制设备 + 质量标准)。(1)优化溅射镀膜工艺,提高金属/陶瓷结合强度;(2)陶瓷通孔(60-120um)电镀技术,提高成品率;(3)DPC 基板专用设备与夹具(陶瓷基板脆、薄、小尺寸等);(4)DPC

深紫外LED医疗研发成新热点

  深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波,在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比,基于氮化铝镓(AlGaN)材料的深紫外发光二极管(LED)具备坚固、节能、寿命长、无汞环保等优点,正逐步渗入汞灯的传统应用领域。同时,深紫外LED的独特

日本研发新技术:可大幅降低深紫外线LED成本

日本立命馆大学日前发表一份公报称,其研究人员开发出了一种能够以很低的成本高效制作深紫外线发光二极管(LED)的技术,有望成为联合国限制水银使用后被广泛采用的深紫外线光源。   紫外线中波长在200纳米至350纳米的光线被称为深紫外线,被广泛用于净水厂、医院、工厂无尘车间的空气杀菌、处理甲醛等领域

科学家利用新的制造技术得到纳米紫外LED

    美国国家标准技术局(NIST)的科学家通过和Maryland大学及Howard大学合作,发明了一种制造微小、高效率发光二极管(LED)的技术。      该LED发出的是紫外光,这对于很多纳米技术包括数据存储都非常重要。而且装配过程也非常适于将来投入商业化生产。      这些纳米级别的设备

LED封装推拉力测试机

设备特点1.所有传感器采用高速动态传感及高速数据采集系统,确保测试数据的准确无误。2.采用公司独特研发的高分辨率(24 BitPlus超高分辨率)的数据采集系统。3.采用公司独有的安全限位及安全限速技术,让操作得心应手。4.采用公司独有的智能灯光控制与调节系统,减少光源对视力的损伤。5.标配高清观察

研究提高有机/无机复合结构紫外LED效率

       压电光电子学效应提高有机无机核壳复合结构LED效率。图中左上图是应力下电流变化图,右上为光强和外量子效率随应力改变图,可以看出对这个器件,光强和效率在压应力下都显著增强。上面两幅图分别为压应力下电势分布图和核壳结构的扫描电镜照片。     基于ZnO纳米线的有机/无机复合结构紫外