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从去年下半年开始，固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就缓步增长，而在三星Note7接连自燃事件之后，固态硬盘、内存条的价格更是堪称疯涨。在去年第四季度，动态随机存取记忆体（DRAM）现货价持续攀高，DDR44Gb存储芯片最近的现货均价已达3.347美元，涨幅达18%，创18个月来新高。镁光公司的NANDFlash64GBMLC颗粒涨幅超过25％。在京东商城上内存的价格相对于去年年中也普遍上涨了三分之一。 而存储芯片价格之所以持续攀升，除了国外大厂因为技术升级出现意外导致产能吃紧之外，中国存储芯片基本依赖进口也是存储芯片大幅涨价的原因。 存储芯片市场被少数国际大厂垄断 存储芯片中比较常见的是NANDFlash和DRAM。NANDFlash闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NANDFlash。DRAM是动态随机存取存储器，只能将数据保......阅读全文
（4） AISCAISC 是一种为专门目的而设计的集成电路，特点是面向特定用户的需求，ASIC 在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。（5） 存储芯片与前面几种相比，存储芯片每个存储单元基本相同，设计环节难度较小、主要在制造环节难度较
首先小编就几个关键技术再给大家介绍一下。差分时钟技术差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计，但大家对CK#（CKN）的作用认识很少，很多人理解为第二个触发时钟，其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。由于数据是在CK的上下沿触发，造成传输周期缩短了一半，因此必须要保证传输周期的稳定以确保数
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。 对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直
我国半导体芯片受制于人,大容量存储迎来突破。2017年我国集成电路市场规模达到1.67万亿元,同比增长17.5%,但是国内集成电路市场主要依赖进口,进口额达到2601亿美元,贸易逆差达到1932亿美元。作为使用最为普遍的一种高端通用芯片,存储器在集成电路细分市场中规模居首。由于越来越多经济、社会
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电，因数据未及时保存后悔不已；或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑……这些尴尬有望避免。记者日前获悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件
据美国计算机世界网站5月16日报道，惠普公司的科学家在忆阻器的研发上取得新突破，他们弄清楚了忆阻器在电操作期间，其内部的化学性质和结构变化，借此可以改进现有忆阻器的性能。相关研究发表在16日出版的《纳米技术》杂志上。 忆阻器是一种有天然记忆功能的非线性电阻，通过控制电流的变
AI 、5G渴望新内存材料的支持对于所有类型的系统设计者来说，新兴存储技术都变得极为关键。AI和物联网IoT芯片开始将它们用作嵌入式存储器。大型系统已经在改变其架构，以采用新兴的存储器来替代当今的标准存储器技术。这种过渡将挑战行业，但将带来巨大的竞争优势。今天，业界仍在寻找通用存储器，随着S
近日，北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继
SRAM如何运作刚才总结到了SRAM有着很特别的优点，你该好奇这家伙是怎样的运作过程？一个SRAM单元通常由4－6只晶体管组成，当这个SRAM单元被赋予0或者1的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。SRAM的速度相对比较快，且比较省电，但是存储1bi
随着微电子技术的迅猛发展，SRAM 逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，静态存储器（SRAM）由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。近年来SRAM在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了积极的作用。下面EEworld就带你详细了解一下到底什
你开着混动汽车，通过导航仪找到了特色参观，你在坚固温暖的房子里用手机查看着一周的天气预报，你足不出户就能通过电商买到国外的牛奶，你坐在影院里一边吃着爆米花一边看着最新的3D大片…… 虽已习以为常，但我们的生活已确实都被这些曾经的先进技术改变了。在2015年的关口猜想，下一次是谁要改变我们？
每年在SPIE高级光刻会议召开之前的星期日，尼康都会举行其Litho Vision研讨会。我有幸连续第三年受邀发言，不幸的是，由于新冠肺炎的影响，该活动不得不取消。但是到活动宣布取消时，我已经完成了演讲文稿，所以在此分享。概述我演讲的题目是“ Economics in the 3D Era”。在
山东省自主创新及成果转化专项自2012年实施以来已取得显著成效，成为集聚创新资源，加快技术创新，促进产业升级的重要抓手。截至第二季度，累计突破行业关键技术756项，形成目标产品964个，参与研发工作的高级职称以上科研人员达到2546人，新建国家级创新平台14个、省级创新平台53个、市级创新平台6
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成
在Google I/O 2016的主题演讲进入尾声时，谷歌的CEO皮采提到了一项他们这段时间在AI和机器学习上取得的成果，一款叫做Tensor Processing Unit（张量处理单元）的处理器，简称TPU。在这个月看来，第一代的TPU处理器已经过时。在昨天凌晨举行的谷歌I/O 2017
在2019年，深圳大学获得345项国家自然科学基金的资助，资助总额度达到1.47亿，进入了全国20强。另外，对于全球高校综合排名，深圳大学首次跨入全球500强（点击阅读）。深圳大学正在不断崛起，在2019年（截至2019年8月23日），深圳大学发表了2篇Science，1篇Nature： 20
在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（批准号：61622408）、面上项目（批准号：61774123）等资助下，深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作，在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-cha
英国剑桥大学、新加坡数据存储研究所与新加坡技术和设计大学的科学家经过研究发现，用可以在不同电状态间快速来回切换的相变材料替代硅，他们有望研制出信息处理速度快1000倍且更小、更环保的计算机。研究发表在最新一期的美国《国家科学院学报》上。 据美国《大众科学》网站近日报道，研究人员表示，这种基于硫
TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin
耗电量极低 能以高速记录信息 英国科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态。 自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器