存储芯片市场波涛暗涌谁才是最终赢家？
从去年下半年开始，固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就缓步增长，而在三星Note7接连自燃事件之后，固态硬盘、内存条的价格更是堪称疯涨。在去年第四季度，动态随机存取记忆体（DRAM）现货价持续攀高，DDR44Gb存储芯片最近的现货均价已达3.347美元，涨幅达18%，创18个月来新高。镁光公司的NANDFlash64GBMLC颗粒涨幅超过25％。在京东商城上内存的价格相对于去年年中也普遍上涨了三分之一。 而存储芯片价格之所以持续攀升，除了国外大厂因为技术升级出现意外导致产能吃紧之外，中国存储芯片基本依赖进口也是存储芯片大幅涨价的原因。 存储芯片市场被少数国际大厂垄断 存储芯片中比较常见的是NANDFlash和DRAM。NANDFlash闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NANDFlash。DRAM是动态随机存取存储器，只能将数据保......阅读全文
底部信号显现，存储芯片国产替代迎来加速期
2022年受消费电子市场需求疲软影响，芯片行业整体处于下行周期，2022年末芯片指数较年初下降27.16%，其中存储芯片受到的影响最大，2022年末板块指数较年初下降32.25%。 2023年初以来在AI算力预期需求刺激以及国产替代加速背景下，叠加国际大厂相继宣布大幅下调资本支出对市场释放出
存储芯片市场波涛暗涌－谁才是最终赢家？
从去年下半年开始，固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就缓步增长，而在三星Note7接连自燃事件之后，固态硬盘、内存条的价格更是堪称疯涨。在去年第四季度，动态随机存取记忆体（DRAM）现货价持续攀高，DDR44Gb存储芯片最近的现货均价已达3.347美元，涨幅达18%，创18个月来新高。
浅析新三板半导体的芯片设计（三）
（4） AISCAISC 是一种为专门目的而设计的集成电路，特点是面向特定用户的需求，ASIC 在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。（5） 存储芯片与前面几种相比，存储芯片每个存储单元基本相同，设计环节难度较小、主要在制造环节难度较
存储行业二季度有望继续上行－上市公司紧抓机遇拓市场
2024年第二季度，存储行业有望延续上行趋势。据TrendForce集邦咨询预计，第二季度NANDFlash（闪存存储器）合约价将强势上涨约13%至18%，DRAM（动态随机存取存储器）价格涨幅约3%至8%。 产业链部分企业率先感受到市场暖意。近日，上市公司佰维存储表示，当前行业迎来景
半导体大消息！美国放开对华市场，网友：不买不买！
刚刚，半导体传来一则大消息。 10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。意味着，在无需单独批准的情况下，三星电子、SK海力士可以向中国工厂供应含美国技术的半导体设备。值得一提的是，全球最大和第二大存储芯片制造商，三星电子、SK海力士在
存储芯片展|2024上海国际存储芯片展览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
国产55纳米相变存储芯片
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、
浅析SRAM和DRAM的真正区别（三）
AI 、5G渴望新内存材料的支持对于所有类型的系统设计者来说，新兴存储技术都变得极为关键。AI和物联网IoT芯片开始将它们用作嵌入式存储器。大型系统已经在改变其架构，以采用新兴的存储器来替代当今的标准存储器技术。这种过渡将挑战行业，但将带来巨大的竞争优势。今天，业界仍在寻找通用存储器，随着S
浅析SRAM和DRAM的真正区别（一）
随着微电子技术的迅猛发展，SRAM 逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，静态存储器（SRAM）由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。近年来SRAM在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了积极的作用。下面EEworld就带你详细了解一下到底什
浅析SRAM和DRAM的真正区别（二）
SRAM如何运作刚才总结到了SRAM有着很特别的优点，你该好奇这家伙是怎样的运作过程？一个SRAM单元通常由4－6只晶体管组成，当这个SRAM单元被赋予0或者1的状态之后，它会保持这个状态直到下次被赋予新的状态或者断电之后才会更改或者消失。SRAM的速度相对比较快，且比较省电，但是存储1bi
首个塑料柔性磁存储芯片问世
一个国际团队研发出一种新奇技术，他们将高性能磁性存储芯片移植到一块柔性塑料表面，且无损其性能，得到的透明薄膜状柔性“智能塑料”芯片有优异的数据存储和处理能力，有望成为柔性轻质设备设计和研制的关键元件。 据每日科学网19日报道，在最新研究中，科学家首先将氧化镁基磁性隧道结（MTJ）种植在一个
首个塑料柔性磁存储芯片问世
一个国际团队研发出一种新奇技术，他们将高性能磁性存储芯片移植到一块柔性塑料表面，且无损其性能，得到的透明薄膜状柔性“智能塑料”芯片有优异的数据存储和处理能力，有望成为柔性轻质设备设计和研制的关键元件。 据每日科学网19日报道，在最新研究中，科学家首先将氧化镁基磁性隧道结（MTJ）种植在一个硅表
美国或将会限制对华芯片出口，韩国芯片被波及
据知情人士透露，美国正考虑限制向中国存储芯片商出口美国芯片制造设备，其中包括长江存储科技有限公司 (YMTC)。专业人士分析，如果这一决议落实，可能会殃及池鱼，韩国芯片巨头三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)业务也将受到影响。三星设在西安的半导体工厂据了解，韩国在中国大陆
SRAM与DRAM真正区别，你真的明白吗？
在半导体存储器的发展中，静态存储器(SRAM)由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。 随着微电子技术的迅猛发展，SRAM逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。近年来SRAM在改善系统性能、提高芯片可靠性、降低成本等方面都起到了积极的作用。 今天就带你详细了解一下到底什
白俄罗斯：导弹已准备就绪！芯片巨头逆市扩产
白俄罗斯一则最新动向，引发国际关注。据中国新闻网援引路透社报道，白俄罗斯国防部一名高级官员25日表示，俄罗斯部署在该国的“伊斯坎德尔”战术导弹系统和S-400防空系统已准备就绪，可以执行预定任务。 同时，俄军重要空军基地再度遭到袭击。12月26日，俄罗斯国防部称，当地时间凌晨，乌军利用无人机对
存储器大突破，迄今密度最高！
机构预计今年上半年存储周期触底复苏，行业存储龙头有望迎业绩反转。 迄今最高存储密度器件面世 据科技日报，美国南加州大学电气和计算机工程教授杨建华及合作者在最新一期《自然》杂志上刊发论文称，他们已经为边缘人工智能（便携式设备内的人工智能）开发出了迄今存储密度最高的新型器件和芯片，有望在便携式设
注册资本485－亿，合肥冲出一只超级独角兽
美韩长期垄断的存储行业，中国企业终于站起来了。合肥冲出一只超级独角兽。投资家网获悉，近日国内DRAM 芯片企业长鑫存储母公司睿力集成完成了一笔“超级融资”，资本阵容空前豪华：腾讯、阿里、TCL 、华登国际、人保资本、建信投资、阳光人寿、东方资产、前海母基金等19 家VC/PE 、产业资本涌入。若算上
国内首个80纳米STTMRAM器件制备成功
近日，北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件。 STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先，很有可能在继
中美半导体巨头六年纠纷和解，美光与福建晋华达成全球和解协议
据美国多家媒体报道，美国存储芯片公司美光科技（Micron）已经与福建省晋华集成电路有限公司（简称“福建晋华”）达成全球和解协议，两家公司将在全球范围内各自撤销对对方的起诉，并结束双方之间的所有诉讼。该和解意味着，这起源于2016年的，涉及美光科技、联华电子和福建晋华三方的知识产权案全部结束。
科学家提出一种单质新原理开关器件
中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、朱敏研究团队在集成电路存储器研究领域获重大进展，成功研制出一种单质新原理开关器件，为海量三维存储芯片提供了新方案。这项研究成果12月10日发表于《科学》。 集成电路是我国的战略性、基础性和先导性产业，其中存储芯片是集成电路的三大芯片之一，直接关系到国
“相变存储芯片关键技术的合作研发”项目通过验收
8月1日，受科技部国际合作司委托，江苏省科技厅组织专家，对中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所程国胜研究员主持的科技部国际科技合作项目“相变存储芯片关键技术的合作研发”进行了验收。 验收专家组由中国电子科技集团公司第58研究所、南京大学、南京工大、中科院上海硅酸盐研究所、复旦大学、上海交大
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（五）
免除刷新VLT内存单元最明显的优点之一就是不需要刷新。不过，刷新已经成为DRAM作业的一部份了；无论内存处于闲置状态或是被接通，都必须进行刷新操作，以避免数据丢失。完整的DDR控制器状态机说明了刷新对于运作的影响，如图9所示，所有红色的状态都与刷新或者基于刷新的分支相关；而使用了VLT技术，这些状态
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（一）
垂直分层闸流体（Vertical Layered Thyristor；VLT），是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存（DRAM）的成本和复杂性。这是一种静态的内存单元，无需刷新操作；兼容于现有晶圆厂的制造设备，也无需任何新的材料或工艺。相较于一般的DRAM，VLT
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（三）
LPDDR的运作LPDDR4功能本质上包含四项基本操作：启动、读取、写入和预充电。这些操作的其他变异形式，如突发读取／写入和自动预充电等，可能构成一个更长的指令列表，但并不至于带来新的技术挑战。此外，它还添加了刷新、训练和模式缓存器作业等维护性指令，以因应复杂的操作命令。这些基本的操作简要介
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（二）
1、半导体产业，设计和制造哪个难度大？制造难度更大些。● 现在兼顾设计和制造的公司比较少；● 只做设计公司很多，一般成为fabless，拥有电脑、软件和设计工程师就可以完成设计，输出设计后交由光罩厂、晶圆流片代工厂、封测厂生产器件。● 只做制造的成为fab厂，门坎较高，一条8英寸晶圆流片生产
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（四）
VLT内存单元Kilopasss的全新内存单元基于一种垂直分布的闸流体（也被称为半导体控制整流器，或SCR）。这种采取pnpn结构的堆栈建构于一个p－阱上，可带走来自底部n型层的任何空洞。图6：VLT内存单元：带有写入辅助的PMOS晶体管的闸流体在浅沟槽隔离（STI）结构中植入一个埋入式字符
半导体市场回暖！SEMI预计今年全球半导体设备销售额将达历史新高
半导体市场出现明显的回暖迹象。 美国当地7月9日，SEMI（国际半导体产业协会）发布报告称，预计2024年全球原始设备制造商的半导体制造设备总销售额将达到1090亿美元，同比增长3.4%，创下新的纪录。SEMI总裁兼CEO Ajit Manocha表示，半导体制造设备销售总额预计将在2025年
微电子所垂直纳米环栅器件研究获进展
与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。其中，垂直纳米环栅器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加栅极和源漏的设计空间，减少器件所占面积，更易实现多层器件间的垂直堆叠并通过全新的布线方
英开发出基于自旋电子技术的3D存储芯片
据美国每日科学网1月31日(北京时间)报道，英国剑桥大学的科学家开发出一种新型3D存储芯片。目前的存储芯片多为平面结构，数据只能前后左右移动，而这种3D存储芯片可实现数据在三维空间中的存储和传递，将大幅提高目前存储设备的存储能力。相关论文发表在1月31日出版的《自然》杂志上。 论文合著者、
美国科学家将逻辑与存储芯片结合构建“多层”芯片
斯坦福大学工程师开发出的四层“多层芯片”原型。底层和顶层是逻辑晶体管，中间是两层存储芯片层。垂直的管子是纳米级的电子“电梯”，连接逻辑层和存储层，让它们能一起工作解决问题。 左边是目前的单层电路卡，逻辑与存储芯片分隔在不同区，通过电线连接。就像城市街道，由于数据在逻辑区和存储区来来回回地传输，