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6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。” SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，具有重要的应用价值和广阔的应用前景。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原材料，单晶生长炉是SiC单晶生长的核心设备，要想生长出高质量的SiC单晶，在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下，还需要对生产工艺进行设计、调试和......阅读全文
随着现代高新技术的发展，先进陶瓷已逐步成为新材料的重要组成部分，成为许多高技术领域发展的重要关键材料，备受各工业发达国家的极大关注，其发展在很大程度上也影响着其他工业的发展和进步。 由于先进陶瓷特定的精细结构和其高强、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、导电、绝缘、磁性、透光、半导体以及压电、铁电、声
不仅要发挥物理所基础和前沿研究方面的综合优势，对那些具有明显应用价值的研究成果，还要注意尽可能早地就把企业请进来，与那些既有经济实力、又有战略眼光的企业合作，把我们的知识与技术转移扩散出去，形成自主知识产权，提高我国高新技术的竞争力！” 12月5日下午，全国人大副委员长、中国科学院院长路甬
国家自然科学基金委员会副主任 中国化学会理事长 中国科学院院士 姚建年 改革开放30年来，与国内各行各业一样，我国的化学科学研究获得了全方位发展，步入了高速发展时期，无论在基础、应用基础研究还是成果转化、实现产业化
姚建年：化学的贡献将得到更加极致的体现 化学是一门在分子和原子水平上研究物质的性质、组成、结构、变化、制备及其应用，以及物质间相互作用关系的科学。作为一门极其重要的基础学科，化学与人类的衣食住行以及能源、信息、材料、国防、环境、医药等方面都有密切联系，在社会与经济发展以及人类生活质量的不断
近年来，在政策支持和市场需求的双重拉动下，我国集成电路设计产业得到了快速发展。2019年，在全球半导体市场比较低迷的背景下，我国集成电路设计产业仍然保持稳步增长态势。根据中国半导体行业协会设计分会统计数据，2019年我国集成电路销售收入达7,562.3亿元，同比增长15.8%。 为推动我国集成
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体产业是全球战略竞争新的制高点。SiC器件具有极高的耐压水平和能量密度，可有效降低能量转化损耗和装置的体积重量，满足电力传输、机车索引、新能源汽车、现代国防武器装备等重大战略领域对高性能、大功率电力电子器件的迫切需求，被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣课题组和西安电子科技大学郝跃课题组教授韩根全合作，在氧化镓功率器件领域取得新进展。该研究成果于12月10日在第65届国际微电子器件顶级会议——国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）
分析测试百科网讯 2017年4月7日，在CISILE 2017期间，原子光谱应用与技术学术报告会在北京国家会议中心举办，会议由中国质量检验协会检验检测设备分会原子光谱应用与技术专业委员会主办，邀请了国内一线原子光谱应用专家作专题报告，分析讨论原子光谱的应用研究及相关技术的创新与进展，与参会专家一
最近，《科学》发表了中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）表面物理实验室马旭村研究组与清华大学物理系薛其坤研究组合作，在铁基超导体FeSe电子配对对称性研究中取得的新进展。这是我国科学家首次在Science杂志上刊登该领域的研究成果。 铁基超导体是继铜
碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外，由于SiC和氮化镓（GaN）的晶格失配小，SiC单晶是GaN基LED、肖特基二极管、MOSFET、IGBT、HEMT等器件的理想衬底材
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下
6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己
最近，沈阳材料科学国家（联合）实验室的成会明、任文才带领的石墨烯研究团队在石墨烯三维体材料的宏量制备和应用方面取得重要突破。他们采用兼具平面和曲面结构特点的泡沫金属作为生长基体，利用CVD方法制备出具有三维连通网络结构的泡沫状石墨烯体材料。研究发现，这种石墨烯体材料完整地复制了泡
中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）表面物理国家重点实验室马旭村研究员领导的研究组与清华大学物理系薛其坤教授领导的研究组合作，在三维拓扑绝缘体薄膜的外延生长、电子结构及有限尺寸效应方面进行研究，取得一系列进展。 拓扑绝缘体是最近几年发现的一种新的
１国家标准《氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项的目的和意义GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP
近日，工业和信息化部办公厅、国防科工局综合司两部门印发《军用技术转民用推广目录(2018年度)》的通知。 原文如下： 教育部、中科院办公厅，各省、自治区、直辖市工业和信息化主管部门（国防科工办），各军工集团公司，中国工程物理研究院，部属各高校，部属相关单位： 为贯彻落实《国务院办公厅关于推
中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）陈小龙研究员及其领导的功能晶体研究与应用中心一直致力于宽禁带半导体磁性起源问题的研究。最近，他们从实验和理论上证明了双空位导致磁性，首次在实验上给出了直接证据，为通过缺陷工程调控宽禁带半导体的磁性提供了实验基础，相应结果发表在Phy
近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。 据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。 上图 科研人员在
核能的发展与安全性提升，离不开新型核材料的出现以及对于传统核材料的改进。自2011年福岛核事故以来，人们对反应堆包壳材料提出了事故容错性的迫切需求，即在核安全事故发生后的一段时间内，包壳材料能够保持其结构与功能的完整性，进而为后续的救助与修复工作争取时间。近期，中国科学院宁波材料技术与工程研究所
牛总部设在美国马里兰州银泉的TDI是世界领先的发展生产新型化合物半导体，如GaN，AlN，AlGaN ，InN和InGaN的氢化物气相外延( HVPE )工艺和技术的公司。 这些材料被用于各种应用，最主要的是固态照明，短波长光电子和射频功率电子。 TDI生产的氮化物模板
1引言 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意义。添加氧化铝和氧化钇的碳化硅经 2000 ℃烧结后器件，具
国科金发计〔2015〕37号 国家自然科学基金委员会现发布“航天先进制造技术研究联合基金” 2015年度项目指南，请依托单位及申请人按项目指南中所述的规定和要求提出项目申请。 国家自然科学基金委员会 2015年6月16日 附件航天先进制造技术研究联合基金2015年度项目指南 一、设立宗旨