EQE为13.8％的天蓝光钙钛矿LED实现
高效率的蓝光LED是现代显示和照明技术的核心部件。钙钛矿LED具有发光量子产率高、光谱纯、易于制备等优点，具备成为下一代发光器件的潜力。尽管绿光和近红外钙钛矿LED已经实现了20%的外量子效率（EQE），但是蓝光器件的效率只有13%，严重限制了该器件的发展。为了获得蓝光，钙钛矿LED通常使用以下两种方法：（1）加入适当的分子配体构成准二维结构；（2）在卤素位用Cl元素取代Br元素。然而，在准二维结构中，如果加入的分子配体的三线态能量低于无机层的三线态能量，三线态能量转移会导致激子的非辐射复合能量损失，从而降低LED的效率。这种情况对于Cl元素取代的钙钛矿来说更为严重。除了三线态能量损失，缺陷导致的非辐射复合能量损失也会严重限制LED的器件性能。目前研究人员通常使用分子钝化的方法来减轻缺陷导致的能量损失。钝化分子通常基于两种机理：（1）利用路易斯酸碱反应，使用含有孤对电子元素（如N、S、O、P等）的分子来钝化未配对的Pb离子；......阅读全文
“钙钛矿”能否成为LED未来制作材料？
美国研究人员发现钙钛矿能够以更低的成本和更简单的工艺实现高亮度LED。用于制作LED的钙钛矿被称为有机金属卤化钙钛矿，是由铅、碳基离子和卤离子构成的混合物。这种材料能够很好地溶解于普通溶剂当中，并在干燥后聚合成钙钛矿晶体，整个过程所需的成本很低，工艺也十分简单。 钙钛矿LED并不需要硅基LED
由“神奇材料”钙钛矿制成的LED
由“神奇材料”钙钛矿制成的LED 钙钛矿的一种混合形式——它的同类型材料最近已经被发现，可以用来制备高效率的太阳能电池，未来有望取代硅，目前已经被用来制造低成本，易制造的发光二极管，为未来广泛的商业应用开辟了道路，比如灵活的色彩显示方面的应用。 在牛津大学Henry Snai
EQE为13.8%的天蓝光钙钛矿LED实现
高效率的蓝光LED是现代显示和照明技术的核心部件。钙钛矿LED具有发光量子产率高、光谱纯、易于制备等优点，具备成为下一代发光器件的潜力。尽管绿光和近红外钙钛矿LED已经实现了20%的外量子效率（EQE），但是蓝光器件的效率只有13%，严重限制了该器件的发展。为了获得蓝光，钙钛矿LED通常使用以下
接近100%！钙钛矿基LED发光效率创纪录
科学家将钙钛矿层整合进LED内。图片来源：英国剑桥大学官网据英国剑桥大学官网近日报道，该校科学家将钙钛矿层整合进发光二极管（LED）内，得到的产品内部发光效率接近创纪录的100%，可与最好的有机LED（OLED）相媲美，未来有望应用于显示、照明、通信及下一代太阳能电池领域。与广泛用于高端消费电子产品
新研究应用：钙钛矿材料制备LED获突破
剑桥大学、牛津大学和德国慕尼黑大学组成的联合研究团队，近日展示了钙钛矿材料的一个新应用领域：用于制备各种颜色的高亮度LED。 据了解，研究团队使用的是一类有机金属卤化物钙钛矿材料，含有铅、碳基离子和卤素离子，易溶于普通溶剂，干燥后形成钙钛矿晶体，其制备过程低廉、简单。 研究人员通过设计二极管
新技术实现大面积制备钙钛矿LED
中国科学技术大学教授肖正国研究组近期使用基于气刀辅助的刮涂法，制备出大面积、高效率的钙钛矿LED，向商业应用迈出重要一步。相关成果日前发表于《自然—通讯》。 作为新一代LED器件，金属卤化物钙钛矿LED具有色域广、易于制备等优势。2014年，学界首次报道了室温下发光的钙钛矿LED，其外量子效率（
新型添加剂使钙钛矿LED更稳定高效
在16日出版的《自然·光子学》杂志上，美国普林斯顿大学研究人员发表论文称，他们开发出一种新技术，通过添加有机卤化铵，制造出了成本更低、效率更高且性能更稳定的钙钛矿发光二极管（LED）。 过去10年来，LED的应用越来越广，其节能、环保、寿命长、体积小，但制造成本也相对较高，降低LED制造成本是
新钙钛矿助力太阳能电池和LED
卤化铅钙钛矿性能优异，能量转化率高，是最有前景的太阳能电池用半导体之一。爱荷华州立大学副教授，同时也是美国能源部埃姆斯实验室的科学家Javier Vela发现，混合卤化物钙钛矿比单一卤化物钙钛矿具有更多优点。为了研究混合卤化物钙钛矿的化学组成与结构对其性能的影响，Javier Vela教授与他的
高效率钙钛矿LED中的“光子回收”效应
最近，剑桥大学与浙江大学的研究团队，在Nature Communications合作发表了题为“The role of photon recycling in perovskite light-emitting diodes”的论文，研究了高效率钙钛矿发光二极管（钙钛矿LED）中光子回收效应的影
钙钛矿-钙铁石-单层钙钛矿三态拓扑学相变成功实现
对于过渡金属氧化物体系，离子缺陷在诱导或提升材料功能方面起到了关键作用。人为调控离子过程是控制过渡金属氧化物功能的有力手段。氧缺陷和金属离子的缺陷可以在特定的温度和电场下移入、或者移出样品，进而产生磁有序、金属-绝缘体转变、铁电极化甚至结构转变等独特的物理现象。研究表明，通过控制离子的有序迁移，