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第三代半导体有望写入下月十四五规划成国产替代希望

近日,有媒体报道称,权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化,从第一代、第二代过渡到第三代。第一代半导体材料是以硅(Si)和锗(Ge)为代表,目前大部分半导体是基于硅基的。第二代半导体材料是以砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)为代表,是4G时代的大部分通信设备的材料。第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表,是5G时代的主要材料。第三代半导体的性能优势体现在:耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能强、工作速度快、工作损耗低。根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》,到2020年底,全球SiC和GaN功率半导体的销售收入预计8.54亿美......阅读全文

第三代半导体有望写入下月十四五规划 成国产替代希望

近日,有媒体报道称,权威消息人士透露,我国计划把大力支持发展第三代半导体产业,写入正在制定中的“十四五”规划,计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。国信证券研报中指出半导体第三代是指半导体材料的变化,从第一代、

半导体变流器

  导体变流器是使用半导体阀器件的一种电力电子变流器,使电源系统的电压、频率、相数和其他电量或特性发生变化的电器设备。  定义  使用半导体阀器件的一种电力电子变流器。  术语   ①类似术语也适用于由具体类型的半导体或其他电子阀件组成的变流器或具体类型的变流器。例如晶闸管变流器,汞弧整流器,晶体管

西藏科技“十四五”开局起步良好

  为确保“十四五”开好局、起好步,按照自治区党委政府的决策部署,西藏科技着力抓好以下几项工作:  一是抓好顶层布局。按程序年内发布《西藏自治区“十四五”科技创新规划》。配合科技部出台《“十四五”东西部科技创新合作“科技援藏”专项行动方案》。  二是推动好重点任务。围绕二次科考、川藏铁路、水利水电工

半导体所揭示半导体界面电荷转移机理

  与传统的太阳能电池相比,染料敏化太阳能电池具有原材料丰富、生产过程中无毒无污染、生产成本较低、结构简单、易于制造、生产工艺简单、易于大规模工业化生产等优势,在清洁能源领域具有重要的应用价值。在过去二十多年里,染料敏化太阳能电池吸引了世界各国众多科学家的研究,在染料、电极、电解质等各方面取得了很大

半导体的特性

半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上,半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同,更重要的是半导体具有独特的性能(特性)。 1. 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质,半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体zui显著、zui突出的特性。例如,晶体管就是利用这种特

AFM测半导体

半导体加工通常需要测量高纵横比结构,像沟槽和孔洞,确定刻蚀深度。然而如此信息用SEM 技术是无法直接得到的,除非将样品沿截面切开。AFM 技术则恰恰弥补了SEM 的这一不足,它只扫描试样的表面即可得到高度信息,且测量是无损的,半导体材料在测量后即可返回到生产线。AFM 不仅可以直观地看到光栅的形貌,

半导体参数仪

  半导体参数仪是一种用于物理学领域的科学仪器,于2015年9月17日启用。  4200-SCS/F半导体特性分析系统主机,2个高分辨率中功率SMU 最大电流100mA,最大电压200V,最大功率2W 4200-SMU高分辨率中功率SMU(源测量单元) 最大电流100mA;最大电压200V;最大功能

解析半导体晶闸管

认识半导体晶闸管晶闸管又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅。1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构,形成三个PN结,分别称:阳极,阴极和控制极。图 晶闸管的结构晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接

半导体电学测量

  对于半导体材料的电阻率,一般采用四探针、三探针和扩展电阻。     四探针法是经常采用的一种,原理简单,数据处理简便。测量范围为10-3-104 防 米, 能分辨毫米级材料的均匀性,适用于测量半导体材料、异型层、外延材料及扩散层、离 子注入层的电阻率,并能够提供一个迅速的、不破坏的、较准确的测量

聚焦半导体 韩国启动半导体产业人才培养工程

  韩国《中央日报》发布消息称,韩国产业通商资源部近日举办了“半导体原材料、零件、技术装备人才培养工程”启动仪式。产业部表示,将开展培养半导体原材料、零件、技术装备等相关人才培养的教育课程,并计划通过该工程在5年间培养300名(每年60人)高级研发人员。  据了解,该人才培养工程由韩国半导体产业协会