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上海技物所在拓扑量子体系长波室温新机理THz探测研究...

上海技物所在拓扑量子体系长波室温新机理THz探测研究取得进展近日,中国科学院上海技术物理研究所研究员王林、陈效双和陆卫团队、意大利拉奎拉大学Antonio Politano教授团队和南京大学万贤纲教授团队合作,提出了C3V反演结构特征的第二类狄拉克半金属材料(Type-II Dirac Semimetal)太赫兹探测结构,揭示由本征对称性破缺导致的室温太赫兹频率电磁转换现象,并实现了基于该材料的偏振、高性能成像演示功能,相关结果发表于Science Advances, 6, eabb6500 (2020)。随着信息时代的快速发展,利用低能光子频带(0.1~10THz,terahertz gap) 范围工作的微型器件成为新一代无线通讯、智慧城市及安全体系建设的重要信息载体。传统光电器件依赖于窄带隙半导体或能带工程(金属、半导体、绝缘体)的发展,然而在低温光子频带面临着性能指数下降的趋势,需要深低温来抑制噪声以获得足够的灵敏度,......阅读全文

上海技物所在拓扑量子体系长波室温新机理THz探测研究...

上海技物所在拓扑量子体系长波室温新机理THz探测研究取得进展近日,中国科学院上海技术物理研究所研究员王林、陈效双和陆卫团队、意大利拉奎拉大学Antonio Politano教授团队和南京大学万贤纲教授团队合作,提出了C3V反演结构特征的第二类狄拉克半金属材料(Type-II Dirac Semime

拓扑量子体系长波室温新机理THz探测研究获进展

  近日,中国科学院上海技术物理研究所研究员王林、陈效双和陆卫团队与意大利拉奎拉大学教授Antonio Politano团队、南京大学教授万贤纲团队合作,提出了C3V反演结构特征的第二类狄拉克半金属材料(Type-II Dirac Semimetal)太赫兹探测结构,揭示由本征对称性破缺导致的室温太

上海技物所在高性能太赫兹探测研究中取得进展

  近日,中国科学院上海技术物理研究所研究员黄志明等采用窄禁带半导体成功实现了0.3-3.0 太赫兹的宽波段、高灵敏度、低噪声等效功率和快速响应的太赫兹探测器件,并成功证明了通过光子的波动性产生新型光电效应规律实现高灵敏度太赫兹探测的可行性,该项工作为太赫兹探测技术的突破提供了重要技术途径。  黄志

上海技物所在二维半导体光电探测研究中取得进展

  中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达、王建禄等研究人员在利用铁电聚合物极化对二维半导体带隙调控及其高性能光电探测方面取得新进展。相关成果发表在Advanced Materials(Advanced Materials 27, 6575–6581 (2015),DOI: 10.

上海技物所在高灵敏光电探测器研究方面取得重要进展

   近日,中科院上海技术物理研究所王建禄研究员,胡伟达研究员与中科院微电子所刘琦研究员等人合作,设计出一种极陡峭亚阈值摆幅的场效应晶体管,并基于该结构实现了极高灵敏光电探测功能,综合利用了铁电负电容效应、铁电极化诱导局域场效应及“photogating”效应,基于铁电局域静电场

基于Ⅱ型狄拉克精准调控的高性能太赫兹光电器件

       近日,中国科学院上海技术物理研究所科研人员与南京大学、复旦大学、东华大学、中国科学技术大学及上海科技大学的相关团队合作,提出了原子尺度上精细调控Ⅱ型狄拉克半金属的新方法,该研究成果以Colossal Terahertz Photoresponse

上海技物所在半导体单纳米线光电特性研究方面取得进展

  近年来,半导体纳米线因为其准一维的结构特征,在能源、生物、微电子、微机械等众多领域受到广泛的关注。特别是以纳米线作为功能材料的光电器件,如光电探测器、太阳能电池等已经展现出一定的优势。在光电转换的核心要素中,纳米线由于陷光效应可以在低占空比条件下实现高效光吸收,而其中的电子(空穴)迁移率等也逐渐

武汉物数所甲烷室温活化机理研究取得进展

  中科院武汉物理与数学研究所波谱与原子分子物理国家重点实验室邓风研究组在甲烷室温活化机理的研究方面取得重要进展。其研究结果在英国皇家化学会杂志Chemical Science在线发表(DOI: 10.1039/C2SC20434G)。   甲烷是天然气的主要成分,但由于甲烷的极高惰

上海硅酸盐所在镁基电池体系和反应机理研究中获进展

  镁电池由于其资源丰富、体积比容量大、镁负极电沉积不易形成枝晶等众多优点日益受到关注。然而,高电位稳定电解液和可脱嵌镁的结构 原型的缺乏限制了目前镁电池的发展。现在商用的碳酸酯类电解液会在镁负极表面形成离子无法传导的致密钝化层,使其无法在镁电池体系中得到应用;另外,二价 镁离子电荷密度高,相比单电

上海技物所发现一种太赫兹波段室温新光电导现象

  产生光电导现象的方法主要有导带与价带之间的跃迁、子带之间的跃迁或者杂质带激发,目前人们普遍认为由远小于半导体禁带能量的光子直接激发的室温光电导机制是不可能实现的。中国科学院上海技术物理研究所黄志明研究员团队研究发现并提出一种太赫兹波段室温新光电导现象(见下图):当外部电磁波(光子)入射到器件上,