金属有机框架材料的电致阻变效应研究获系列进展
基于电致阻变效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有非易失性、结构简单、低功耗、高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新兴存储技术之一。同时，随着可穿戴电子器件的快速发展，研发柔性电致阻变材料和柔性阻变存储器尤其值得关注。 中国科学院磁性材料与器件重点实验室（宁波材料技术与工程研究所）研究员李润伟领导的研究团队早期分别研究了无机和有机材料的阻变效应及其机理，比如在BiFeO3【Appl. Phys. Lett. 97, 042101(2010)】、ZnO【Adv. Mater., 24, 3941 (2012)】、HfO2【Adv. Funct. Mater. 24, 2110（2014）】、氧化石墨烯【Appl. Phys. Lett. 95，232101(2009)， J. Mater. Chem. 22, 16422(2012)】、聚西佛碱（PA-TsOH）【J. Am. Chem. Soc, 134, 174......阅读全文
金属有机框架材料的电致阻变效应研究获系列进展
基于电致阻变效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有非易失性、结构简单、低功耗、高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新兴存储技术之一。同时，随着可穿戴电子器件的快速发展，研发柔性电致阻变材料和柔性阻变存储器尤其值得关注。 中国科学院磁性材料与器件重点实验室（宁波材料技术与工程研究所）研
金属有机框架材料的电致阻变效应研究获系列进展
基于电致阻变效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有非易失性、结构简单、低功耗、高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新兴存储技术之一。同时，随着可穿戴电子器件的快速发展，研发柔性电致阻变材料和柔性阻变存储器尤其值得关注。 中国科学院磁性材料与器件重点实验室（宁波材料技术与工程研究所）研
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非
关于压阻式传感器的压阻效应的介绍
当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要
温室效应“祸首”变能源
全球排放的大量二氧化碳导致了温室效应等问题,科学界一直在探索如何将空气中过量的二氧化碳回收并转化。上海高研院研制相关高科技装置，让甲烷与二氧化碳“携手重生”，变废为宝。近日，全球首套万方级甲烷二氧化碳自热重整制合成气装置，在山西潞安集团煤制油基地实现稳定运行超过1000小时，日产合成气高达20多
阻变材料探索与机理研究方面取得系列进展
基于电致电阻效应的电阻型随机存储器(RRAM)是一种极具发展潜力的新兴存储技术，具有非易失性、低功耗、超高密度、快速读写等优势。目前开展稳定的新型电致电阻材料的探索以及阻变机理研究非常重要，也是当前的一个研究热点。 中科院宁波材料技术与工程研究所李润伟研究团队较早地开展了阻变材料
快速温变试验典型的物理、化学效应
快速温变试验适用于电子元气件的安全性能测试提供可靠性试验、产品筛选试验等?同时通过此试验?可提高产品的可靠性和进行产品的质量控制。快速温变试验是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试考核和确定电工、电子、汽车电器、材料等产品在进行高低温试验的温度环境冲击变化后的参数及性能使用的适应性，适用于学校、工
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
心理所发现心理台风眼效应的“卷入”变式
据2013年美国地质调查报告（USGS, 2013）显示，中国是世界上最大的铅、锌生产国。然而，铅锌矿的开采和冶炼活动亦是重金属污染的重要来源(Horvath & Gruiz, 1996； Tong, Schirnding, & Prapamontol, 2000)，对环境健康构成重大威胁。令人
新忆阻器可在电阻开关自整流效应和电容相互切换
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519871.shtm探索基于硬件的加密方法是增强数据安全性的途径之一，忆阻器具有强大的逻辑计算能力、更高的集成密度和极低的功耗，被认为是最有前途的下一代电子器件之一。西安交通大学前沿科学技术研究院邵金友教
物理所等在阻变存储器研究中取得进展
阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态（高阻态和低阻态）之间的互相转换来实现数据存储的，具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目前，对于导电桥类型的阻变存储器的阻态翻转机理，如导
阻变存储器存算一体芯片研究取得进展
边缘端人工智能（AI）硬件凭借其低延迟、高能效和强隐私性等优势，得到广泛关注与应用。在功耗严格受限的边缘端部署AI硬件，不仅需要高能效以满足功耗约束，还需要高并行度以提升实时性能。基于阻变存储器（RRAM）的存算一体和近阈值计算作为两种高效能计算范式，有望在实现高能效、高并行的AI硬件中发挥关键
热阻湿阻测试仪测试织物材料热阻湿阻解析
热湿舒适性是人们除了基本的遮体、保暖、防寒以外对织物较高的要求。热阻湿阻作为衡量织物舒适性的指标具有重要的意义。热阻能够表征材料的热量传递性能，热阻大的面料具有较好的防寒作用。而夏天我们倾向于选择湿阻较小的衣物，这样的衣服穿着时，能及时将人体排出的湿气散去，给人干爽的感觉。 热阻湿阻测试仪
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
蚕丝蛋白注入－让新型的光响应性阻变存储器可降解
高等研究院周晔研究员以蚕丝蛋白为材料主体，水溶性碳量子点为光调控单元，并结合简易的三明治器件结构，构筑了一种新型的光响应性阻变存储器。 该存储器展现出存储窗口大（106）、耐受性好、稳定性好（106 s）等优点。同时，在紫外光照射条件下，存储器的开启电压会显著下降（1.2 V），见图1。图1.
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
微电子所在阻变存储器研发与平台建设方面取得进展
日前，中科院微电子研究所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。微电子所纳
微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基
微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。 对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直
我国学者在阻变器件电流保持特性调控研究中取得新进展
近日，中国科学院微电子研究所刘明院士团队及其合作者（中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰课题组、武汉大学肖湘衡课题组等）在阳离子基阻变器件电流-保持特性调控上取得重要进展。图1：石墨烯缺陷工程调控所得高驱动电流、低保持特性易失性选择器及低操作电流、高保持特性非易失性存储器的特征I-V曲线
热阻湿阻测试仪的相关介绍
热阻湿阻测试仪用于测试服装纺织品的耐热性能，通过测试，以确保最终产品在出汗情况下依然穿着舒适。 人体皮肤模拟试验板、自动供水系统、风速稳定系统、试验主机和气候箱采用完全分离设计，更便于控制。 在测试过程中，可根据测试样品的厚度自动调整加热板的高度，以确保加热板保持水平。 连接软件后，可进行
微电子所在面向应用的阻变存储器研究中取得新进展
日前，中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究上取得新进展。 阻变存储器(RRAM)是非挥发性存储器的一种重要的替代方案，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、高速、低功耗、可嵌入功能强等优点。微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室科研人员在前期建立新材料、新结构及与大生产CMOS集成
钩状效应的效应
前带、后带效应从图中可见，曲线的高峰部分是抗原抗体分子比例合适的范围，称为抗原抗体反应的等价带（zone of equivalence）。在此范围内，抗原抗体充分结合，形成的沉淀物最多，表明抗原与抗体浓度的比例最为合适，称为最适比（optimalratio）。在等价带前后分别为抗体、抗原过剩则影响沉
电光效应的效应特点
某些晶体，特别是压电晶体，在外加电场的作用下，改变了原先各向异性的性质（如沿原先光轴的方向产生了附加的双折射效应），这种电光效应称为普克耳斯效应。普克尔斯效应与克尔效应相比，有以下特点：a）具有泡克耳斯效应的透明介质一般为晶体；b）普克尔斯效应是线性电光效应，由附加双折射效应所引起的o光和e光的相位
电光效应的效应特点
某些晶体，特别是压电晶体，在外加电场的作用下，改变了原先各向异性的性质（如沿原先光轴的方向产生了附加的双折射效应），这种电光效应称为普克耳斯效应。普克尔斯效应与克尔效应相比，有以下特点：a）具有泡克耳斯效应的透明介质一般为晶体；b）普克尔斯效应是线性电光效应，由附加双折射效应所引起的o光和e光的相位
阻旋式料位计
阻旋式料位计，即阻旋式料位控制器，有简称“料位器”、“料位计”、“料位开关”、“物位开关”、“料位仪”、“料位传感器”等，主要用于各种物料（如粉状、颗粒状或块状）料仓极限料位的自动检测与控制，不同型号的料位器可满足不同工况的要求，在冶金、粮食、面粉，建材，水泥、电力、煤炭、化工、铸造、橡胶、环保
钳形接阻仪与桩式地阻仪优势
钳形接地电阻测试仪广泛应用于电力、电信、气象、油田、建筑及工业电气设备等的接地电阻测量、回路电阻测量。在测量有回路的接地系统时，不需断开接地引下线，不需辅助电极，快速可靠。ETCR钳形接地电阻测试仪能测量出用传统方法无法测量的接地故障，能应用于传统方法无法测量的场合。可以测量传统方法无法测量的接地故
伏阻法，安阻法测电阻为什么会产生误差
准确的说两者都要用，在伏安法中，不论是内接电流表还是外接电流表，都会有误差。在内接电流表中，电流表也有分压的作用，使电压表的示数大于电阻两端的电压，而电流表是准确，则使r偏大；外接电流表中缉乏光何叱蛊癸坍含开，电压表是准确，但电压表有分流作用，使电流表示数为通过电压表与电阻的电流之和，使电流表示数大