阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非常大的存储密度，正是因为这样，它具有很大的存储容量。另外电阻存储器还具有非易失的特性，从电阻开关的 I-V 电学测试图中我们可以看到，当电阻开关形成以后，无论是单极性电阻开关还是双极性电阻开关它们都具有电阻状态的保特性，也就是说，当一个脉冲电压过来的时候电阻开关会被激发到一定的电阻形态并保持这个形态，一直到下一个脉冲电压激励的到来，电阻开关会跳变为另一阻态。通过这种性质很容易对电阻开关进行读和写的操作，当一个脉冲过来时候，电阻开关被这个脉冲激发为低阻态，这个过程也就是我们所说的 Set 过程，由于这时候电阻相对于整个 I-V 曲线......阅读全文
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
物理所等在阻变存储器研究中取得进展
阻变存储器是利用薄膜材料在电激励条件下薄膜电阻在不同电阻状态（高阻态和低阻态）之间的互相转换来实现数据存储的，具有单元尺寸小、读写速度快、功耗低、制备工艺和器件结构简单等优点。理解高低组态相互转化的微观机制对于设计和优化阻变存储器是至关重要的。目前，对于导电桥类型的阻变存储器的阻态翻转机理，如导
阻变存储器存算一体芯片研究取得进展
边缘端人工智能（AI）硬件凭借其低延迟、高能效和强隐私性等优势，得到广泛关注与应用。在功耗严格受限的边缘端部署AI硬件，不仅需要高能效以满足功耗约束，还需要高并行度以提升实时性能。基于阻变存储器（RRAM）的存算一体和近阈值计算作为两种高效能计算范式，有望在实现高能效、高并行的AI硬件中发挥关键
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
微电子所在阻变存储器研发与平台建设方面取得进展
日前，中科院微电子研究所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。微电子所纳
微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基
蚕丝蛋白注入－让新型的光响应性阻变存储器可降解
高等研究院周晔研究员以蚕丝蛋白为材料主体，水溶性碳量子点为光调控单元，并结合简易的三明治器件结构，构筑了一种新型的光响应性阻变存储器。 该存储器展现出存储窗口大（106）、耐受性好、稳定性好（106 s）等优点。同时，在紫外光照射条件下，存储器的开启电压会显著下降（1.2 V），见图1。图1.
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
我国科学家在阻变存储器集成应用研究获进展
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。 对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直
微电子所在面向应用的阻变存储器研究中取得新进展
日前，中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究上取得新进展。 阻变存储器(RRAM)是非挥发性存储器的一种重要的替代方案，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、高速、低功耗、可嵌入功能强等优点。微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室科研人员在前期建立新材料、新结构及与大生产CMOS集成
心血瘀阻的病因是什么
心脉的正常运行与心气充沛、血液充盈、脉道通利三者有关。若因久病体虚，思虑劳心过度，或痰湿内阻，或失血过多等，使脉不充盈，心之阳气不足以推动血液运行，则容易导致瘀血内阻、气机阻滞，而使心脉受阻出现心血瘀阻证。该证常因劳累、感受寒邪，或情志变化而诱发、加重。
阻变材料探索与机理研究方面取得系列进展
基于电致电阻效应的电阻型随机存储器(RRAM)是一种极具发展潜力的新兴存储技术，具有非易失性、低功耗、超高密度、快速读写等优势。目前开展稳定的新型电致电阻材料的探索以及阻变机理研究非常重要，也是当前的一个研究热点。 中科院宁波材料技术与工程研究所李润伟研究团队较早地开展了阻变材料
心脉瘀阻的症状是什么？
胸闷：这是心脉瘀阻最常见的症状，患者会感到胸部压迫感或疼痛，严重时可能会出现呼吸困难。 心悸：患者会感到心跳加速或不规则，有时甚至会感到心跳停顿。 疲乏无力：由于心脏的气血运行不畅，患者会感到全身乏力，活动能力下降。 面色苍白或发紫：这是因为心脏的气血运行不畅，导致面部血液循环不良。 口
痰热阻肺证是什么疾病？
痰热阻肺证是中医学上的一种病证，它通常与肺部疾病有关。痰热阻肺证的主要特点是痰液积聚在肺部，导致气道受阻，呼吸困难等症状。 在中医理论中，痰热阻肺证的病因可以有多种，如外感风热、饮食不当、情绪不稳等。这些因素可能导致体内湿气和热气的积聚，形成痰液，进而影响肺部的正常功能。 痰热阻肺证的症状包
新型存储器有望推动存储技术的变革
集成电路，俗称“芯片”，是信息技术产业的核心，被誉为国家的工业粮食。而存储器是存储信息的主要载体，占集成电路市场的四分之一，我国存储器市场占全球市场的一半，但缺乏自主知识产权和人才，导致高密度、大容量存储器完全依赖进口。这给我国的信息安全带来了极大的隐患。 为解决此难题，有一个团队默默耕耘了十
我国学者在阻变器件电流保持特性调控研究中取得新进展
近日，中国科学院微电子研究所刘明院士团队及其合作者（中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰课题组、武汉大学肖湘衡课题组等）在阳离子基阻变器件电流-保持特性调控上取得重要进展。图1：石墨烯缺陷工程调控所得高驱动电流、低保持特性易失性选择器及低操作电流、高保持特性非易失性存储器的特征I-V曲线
金属有机框架材料的电致阻变效应研究获系列进展
基于电致阻变效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有非易失性、结构简单、低功耗、高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新兴存储技术之一。同时，随着可穿戴电子器件的快速发展，研发柔性电致阻变材料和柔性阻变存储器尤其值得关注。 中国科学院磁性材料与器件重点实验室（宁波材料技术与工程研究所）研
金属有机框架材料的电致阻变效应研究获系列进展
基于电致阻变效应的电阻型随机存储器（RRAM）具有非易失性、结构简单、低功耗、高密度、快速读写等优势，被认为是最具发展潜力的新兴存储技术之一。同时，随着可穿戴电子器件的快速发展，研发柔性电致阻变材料和柔性阻变存储器尤其值得关注。 中国科学院磁性材料与器件重点实验室（宁波材料技术与工程研究所）研
物理所发展原位透射电镜技术表征离子输运动力学过程
离子输运是物理、化学和生命科学研究的一个基本过程，其性质对储能、催化和阻变存储等器件性能有重要的影响。在实验上高分辨表征离子输运过程和表界面电化学反应对揭示器件工作机理和开发新型器件具有重要的意义。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）表面物理国家重点实验室多年来致力于原位透射电镜
变比试验的目的是什么
一、变压器变比试验是变压器很重要的试验项目，也是每台必做的出厂试验。在变压器现场安装完成后也要做。其目的，一般有三点：1、保证变压器绕组各个分接位置的电压比误差在标准或技术合同的范围内；2、确定并联绕组的匝数相等；3、确定绕组各分接引线和分接开关的连接是否正确。4、其要求误差在+-0.5%以内（或实
宁波材料所二氧化钒相变调控和新型信息器件研究获进展
存储器是信息记录的载体，也是现代信息技术的核心和基石之一，在数据中心、科学研究以及军事国防等国民生产生活的各个领域发挥着重要作用。随着大数据时代的到来，全球信息量爆炸式增长，对于新型高密度信息存储器的需求愈加迫切。因此，在纳米尺度上调控电子材料的物化特性，将为发展具有超小尺寸、超快响应速度以及超
“高密度存储与磁电子材料关键技术”取得突破
阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术，在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间，863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日，科技部高新司在北京组织专
宫颈上皮内瘤样变是什么？
（1）低度鳞状上皮内病变，涂片有下列表现：①细胞单个散在或片状排列，细胞边界清楚可见；②以中表层细胞为主，胞质嗜酸性；③核增大；④核中度畸形，双核或多核常见；⑤核深染，染色质均匀；⑥核膜清晰可见或模糊不清；⑦核仁少见或不明显。（2）高度鳞状上皮内病变，涂片有下列表现：①细胞常单个散在或成片排列；②以
热阻湿阻测试仪测试织物材料热阻湿阻解析
热湿舒适性是人们除了基本的遮体、保暖、防寒以外对织物较高的要求。热阻湿阻作为衡量织物舒适性的指标具有重要的意义。热阻能够表征材料的热量传递性能，热阻大的面料具有较好的防寒作用。而夏天我们倾向于选择湿阻较小的衣物，这样的衣服穿着时，能及时将人体排出的湿气散去，给人干爽的感觉。 热阻湿阻测试仪
关节退行性变的病因是什么？
关节退行性变是一种常见的慢性疾病，也被称为骨关节炎。其病因可能涉及以下几个方面： 年龄因素：随着年龄的增长，关节软骨会逐渐磨损和退化，导致关节退行性变的发生。 遗传因素：有些人天生就具有易患关节退行性变的基因，这可能会增加他们患病的风险。 肥胖：过度肥胖会增加关节的负担，导致关节软骨磨损加
“超级光盘”存储器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大学光子芯片研究院顾敏院士、中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员、上海理工大学光电信息与计算机工程学院文静教授等合作，在国际上首次利用双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技
“新型高密度存储材料与器件”项目启动
10月17日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在中国科学院微电子研究所召开。 会上，微电子所所长叶甜春和中科院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶甜春对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望，表示要集中力量围绕关键技术开展攻关，实现