罗毅：培养年轻人对科研的热爱
清华大学电子工程系教授罗毅近几年来的研究重点是分布反馈半导体激光器、单片光子集成器件以及基于氮化镓（GaN）材料的蓝绿光器件。他是国际公认的优秀光源增益耦合DFB激光器的开创者之一，也是国内最早从事DFB激光器与电吸收调制器单片集成研究的科学家。 目前，作为博导，他已经培养了几十位博士生，他的学生遍及各大企业、科研院所、投资银行等单位。他指导过的博士生有7位留在他的集成光电子学国家重点联合实验室工作。 理想在清华起航 谈起自己的经历，罗毅认为考入清华和去日本留学决定了他的人生走向。 1978年，罗毅作为恢复高考后的第一届应届生考入清华，拥有了一份宝贵的学习机会。那时的高考，从某种意义上看考察的是考生的综合素质，只有综合能力强而不是靠死读书应付考试的学生才能考上大学。罗毅凭借扎实的基础和较强的综合运用知识的能力，以438的分数考入清华大学电子工程系电真空专业，从属于目前物理电子学学科。但是后来他主要从事......阅读全文
全球首台芯片级掺钛蓝宝石激光器研制成功
美国耶鲁大学一组研究人员开发出首台芯片级掺钛蓝宝石激光器，这项突破的应用范围涵盖从原子钟到量子计算和光谱传感器。研究结果近日发表在《自然·光子学》杂志上。掺钛蓝宝石激光器在20世纪80年代问世，可谓激光领域的一大进步。它成功的关键是用作放大激光能量的材料。掺钛蓝宝石被证明十分强大，因为它提供了比传统
首台芯片级掺钛蓝宝石激光器研制成功
美国耶鲁大学一组研究人员开发出首台芯片级掺钛蓝宝石激光器，这项突破的应用范围涵盖从原子钟到量子计算和光谱传感器。研究结果近日发表在《自然·光子学》杂志上。 掺钛蓝宝石激光器在20世纪80年代问世，可谓激光领域的一大进步。它成功的关键是用作放大激光能量的材料。掺钛蓝宝石被证明十分强大，因为它提供
新方法让光子电子动量相匹配－有望使硅基器件获新功能
美国麻省理工学院和以色列理工学院的科学家近日宣布，他们合作设计出一种新方法，让光子的动量与电子的动量相匹配，从而增强光和物质的相互作用。最新研究有望催生更高效的太阳能电池、新型激光器以及发光二极管（LED）等设备。 研究人员解释称，一般而言，电子的动量比光粒子（光子）的动量大几个数量级，由于动
4月，富阳等您！闪光科技诚邀您参加中国光学十大进展高峰论坛暨颁奖典礼
2023年4月19-21日在杭州富阳举办的中国光学十大进展高峰论坛暨颁奖典礼，这是一场光学领域备受瞩目的科研成果盛会，本次论坛由中国激光杂志社、杭州光学精密机械研究所和杭州市富阳区人民政府联合主办，范滇元院士、祝世宁院士、崔铁军院士和罗先刚院士等诸多光学领域大咖加入，是一次全新的学术观点和科研成果动
李言荣：电子材料急需国家支持
“半导体材料在现有的核高基专项中有了部分的支持，虽然力度还不够，但是量大面广的电子功能材料的研发更为分散。”6月14日，中国工程院院士李言荣在院士大会化工、冶金与材料工程学部学术活动结束后接受了《中国科学报》记者的采访。 半导体材料和功能材料是电子材料的两大类。他认为
硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题，“光”被认为是一种非常有潜力的
中国科学院院士、著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
集成在光学电路中的单光子源问世
荷兰的一个研究小组找到了一种能够完全集成在光学电路中进行光学量子计算的单光子源。该发现为单光子量子计算的出现铺平了道路。相关论文发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。 到目前为止，不少研究团队已经能用数个光子在小规模上进行光学量子计算，“线性光学量子计算”的可行性已获充分证明，但单光子量子计算仍
光子芯片上掺铒波导激光器面世
瑞士洛桑联邦理工学院研究人员研制出有史以来第一个芯片集成的掺铒波导激光器。该激光器性能接近基于光纤激光器，且将“精确可调波长”与“芯片级光子”两大实用性特点合二为一。这一突破发表在新一期《自然·光子学》杂志上。研究人员使用最先进的制造工艺开发了这个芯片级激光器。他们首先在超低损耗氮化硅光子集成电路上
光子芯片上掺铒波导激光器面世
科技日报北京6月12日电 （记者张梦然）瑞士洛桑联邦理工学院研究人员研制出有史以来第一个芯片集成的掺铒波导激光器。该激光器性能接近基于光纤激光器，且将“精确可调波长”与“芯片级光子”两大实用性特点合二为一。这一突破发表在新一期《自然·光子学》杂志上。研究人员使用最先进的制造工艺开发了这个芯片级激光器
半导体集成电路的分类概述
集成电路如果以构成它的电路基础的晶体管来区分，有双极型集成电路和MOS集成电路两类。前者以双极结型平面晶体管为主要器件（如图2），后者以MOS场效应晶体管为基础。图3表示了典型的硅栅N沟道MOS集成电路的制造工艺过程。一般说来，双极型集成电路优点是速度比较快，缺点是集成度较低,功耗较大；而MOS
半导体集成电路的设计保障
1) 常规可靠性设计技术。包括冗余设计、降额设计、灵敏度分析、中心值优化设计等。 2) 针对主要失效模式的器件设计技术。包括针对热载流子效应、闩锁效应等主要失效模式，合理设计器件结构、几何尺寸参数和物理参数。 3) 针对主要失效模式的工艺设计保障。包括采用新的工艺技术，调整工艺参数，以提高半
半导体集成电路的工艺保障
1)原材料控制。包括对掩膜版、化学试剂、光刻胶、特别对硅材料等原材料的控制。控制不光采用传统的单一检验方式，还可对关键原材料采用统计过程控制(statisticalprocesscontrol，SPC)技术，确保原材料的质量水平高，质量一致性好。 2)加工设备的控制。除采用先进的设备进行工艺加
半导体集成电路的制造工艺
集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的
半导体激光器的发展
半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯
半导体激光器的特性
半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能出色的激光器产品，用于制造zui为的激光器系统。半导体激光器具有高效的光电转换效率，且通过光束整形可直接应用于激光加工等领域，而光纤激光器由于其的光束质量早已已成为国内外研究的热门。但半导体激光器将来有没有可能直接获得高光束质量的激光，从而“打败”光纤激
半导体激光器的应用
半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于)1Gh/。局域网，1300nm -1550
什么是半导体激光器？
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。
半导体激光器的特性
半导体激光器具有高速调制、功率稳定、线宽窄、体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。半导体激光器具有的光束质量和调制性能，广泛应用于：科学研究，工业仪器开发、OEM系统集成。此外，尾纤半导体激光器、外部光纤耦合模块、小型半导体泵浦固体激光器可供选择。 半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能
集成光学元器件的工艺技术介绍
集成光学元器件的工艺技术主要涉及成膜与光路微加工。通常采用外延、质子轰击、离子注入、固态扩散、离子交换、高频溅射、真空蒸发、等离子聚合等作为成膜工艺；采用光刻、电子束曝光、全息曝光、同步辐射、光锁定、化学刻蚀、溅射刻蚀(离子铣)、反应离子刻蚀作为光路微加工技术。另外，高速脉冲技术，则是测试及在应用中
新型电驱动有机半导体激光器，将实现光谱学应用于环境和疾病检测
据麦姆斯咨询报道，近日，英国圣安德鲁斯大学（University of St. Andrews）的科学家表示，他们在开发紧凑型有机半导体激光器技术的数十年挑战中取得了“重大突破（significant breakthrough）”。 目前，用于通信、传感、测量、医学、制造等领域的众多激光器都是
太赫兹量子级联激光器实现激射
中科院上海技术物理研究所科研人员采用分子束外延技术和半导体微纳加工平台，自主完成了太赫兹量子级联激光器的结构设计、材料生长和器件制备，成功实现太赫兹量子级联激光器激射。这标志着我国科学家依靠自主创新在太赫兹量子级联激光器领域进入世界前列。 太赫兹量子级联激光器（THz-QCL）是太赫兹频段最具
自主创新－太赫兹量子级联激光器实现激射
中科院上海技术物理研究所科研人员采用分子束外延技术和半导体微纳加工平台，自主完成了太赫兹量子级联激光器的结构设计、材料生长和器件制备，成功实现太赫兹量子级联激光器激射。这标志着我国科学家依靠自主创新在太赫兹量子级联激光器领域进入世界前列。 太赫兹量子级联激光器（THz-QCL）是太赫兹频段最具
太赫兹量子级联激光器实现激射
中科院上海技术物理研究所科研人员采用分子束外延技术和半导体微纳加工平台，自主完成了太赫兹量子级联激光器的结构设计、材料生长和器件制备，成功实现太赫兹量子级联激光器激射。这标志着我国科学家依靠自主创新在太赫兹量子级联激光器领域进入世界前列。 太赫兹量子级联激光器(THz-QCL)是太赫
20点直播︱iCANX青年科学家奖专题讲座
iCANX 85期直播预告︱iCANX青年科学家奖专题！直播时间：1月28日（周五）20:00——21:30（北京时间）直播地址：科学网新浪微博直播间：https://weibo.com/l/wblive/p/show/1022:2321324730554095632841扫码进入科学网新浪微博直播
光子芯片上掺铒波导激光器面世，可用于传感、电信、医疗诊断和消费电子领域
这一光子芯片上的波导激光器不但提供了光纤激光器的性能，还有以前无法实现的频率可调性瑞士洛桑联邦理工学院研究人员研制出有史以来第一个芯片集成的掺铒波导激光器。该激光器性能接近基于光纤的激光器，且将“精确可调波长”与“芯片级光子”两大实用性特点合二为一。这一突破发表在新一期《自然·光子学》杂志上。研究人
激光器发散角相关研究入选“中国光学重要成果”
日前，第十一届全国激光技术与光电子学学术会议暨“2015中国光学重要成果”发布会在上海举行。中科院长春光机所佟存柱研究员团队“高功率极低发散角圆形光束半导体边发射激光器”入选“2015中国光学重要成果”。 半导体激光器自1962年诞生以来已经获得了广泛的应用，但其依然存在一个饱受诟病的缺点，
潘建伟等在小型化量子通信系统上获重要突破
近期，中科院院士、中国科学技术大学教授潘建伟及同事张军等人取得重要科研突破，他们在国际上首次实现了１．２５ＧＨｚ ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ单光子探测器单片集成读出电路，该突破可使高速量子通信终端设备中体积占比最大的探测器模块尺寸减小一个数量级以上，为未来研制小型化量子通信系统奠定了重要基础。国际光
硅基磷化铟异质集成片上光源研究取得新进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518959.shtm近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员游天桂、欧欣课题组，基于“离子刀”异质集成技术成功制备出高质量晶圆级硅基磷化铟（InP）单晶薄膜异质衬底（InPOS），并进一步制备了性