上海微系统所等实现六角氮化硼表面石墨烯边界调控
近日，《纳米尺度》（Nanoscale）杂志以《六角氮化硼表面石墨烯晶畴边界调控》（Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride）为题，在线刊登了中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室陈令修、王浩敏等科研人员在石墨烯可控生长研究领域取得的重要进展。论文被该杂志选为封底配图文章。 理想的石墨烯是零带隙半金属，边界是影响其电子能带结构的重要因素。实现对石墨烯晶畴的边界调控是受到广泛认同的前沿课题。然而，这项研究却面临着缺乏理论指导和具体解决方案的多重挑战。因此，实现边界可控乃至条带制备对于石墨烯基本物理性质的研究及在电子学等方面的应用具有极其重要的意义。 在绝缘的六角氮化硼基体上直接生长石墨烯并调控边界，既可以最大限度地保持石墨烯优良的本征特性又可以在生长后直接应用于纳米电子器件，避免了从金属基体转移所带来的界面污染......阅读全文
实现六角氮化硼表面石墨烯边界调控
近日，《纳米尺度》（Nanoscale）杂志以《六角氮化硼表面石墨烯晶畴边界调控》（Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride）为题，在线刊登了中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室陈
上海微系统所等实现六角氮化硼表面石墨烯边界调控
近日，《纳米尺度》（Nanoscale）杂志以《六角氮化硼表面石墨烯晶畴边界调控》（Edge Control of Graphene Domains Grown on Hexagonal Boron Nitride）为题，在线刊登了中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室陈
氮化硼表面制备石墨烯单晶获突破
中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员，通过引入气态催化剂的方法，在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。3月11日，相关研究论文发表于《自然—通讯》。 该团队在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底的取向关系的基础上，以乙炔为碳源，创新性地引入硅烷作
王浩敏团队制备成功石墨烯纳米带
3月10日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所信息功能材料国家重点实验室王浩敏团队在国际上首次通过模板法在六角氮化硼沟槽中实现石墨烯纳米带可控生长，成功打开石墨烯带隙，并在室温下验证了其优良的电学性能，为研发石墨烯数字电路提供了一种可能的技术路径。3月9日，相关研究成果发表于《自然—通讯》杂志
王浩敏团队制备成功石墨烯纳米带
3月10日，记者从中科院上海微系统所获悉，该所信息功能材料国家重点实验室王浩敏团队在国际上首次通过模板法在六角氮化硼沟槽中实现石墨烯纳米带可控生长，成功打开石墨烯带隙，并在室温下验证了其优良的电学性能，为研发石墨烯数字电路提供了一种可能的技术路径。3月9日，相关研究成果发表于《自然—通讯》杂志
六方氮化硼石墨烯已具备实用价值
随着人们生活需求的日益增长，各类电子产品的性能及功能得到了极大提高。同时，传统电子材料的物理限制也因此逐渐显现，人们愈加迫切地需要具备更加强大性能的新一代电子原材料作为电子工业继续腾飞的基石。 据物理学家组织网9月15日报道，英国曼彻斯特大学的研究人员在《自然·纳米技术》发表论文称，他们利用二
石墨烯类膜材料质子输运特性研究取得突破性进展
近日，中国科学技术大学工程科学学院吴恒安教授、王奉超副研究员，与诺贝尔物理奖得主、英国曼彻斯特大学安德烈·海姆教授课题组及荷兰内梅亨大学研究人员合作，在石墨烯类膜材料质子输运特性研究方面取得了突破性进展，发现石墨烯以及氮化硼等具有单原子层厚度的二维纳米材料可作为良好的质子传导膜。该成果于11月2
石墨烯/氮化硼异质结构的热致旋转现象观测研究获进展
二维材料范德华异质结构近期在二维材料和物理研究领域引起了广泛的研究兴趣。不同的二维材料通过范德华力结合在一起可以形成不同类型的异质结构，往往可以表现出单种二维材料所不具备的特性。这种人工异质结的出现为研究者有目的性地设计不同结构以及器件提供了极大的空间。例如垂直隧穿晶体管，二维材料激光器等等。在
新型数字开关由石墨烯和氮化硼纳米管制成
氮化硼纳米管和石墨烯的化学结构是制备新型数字开关的关键。 科学家将石墨烯和氮化硼纳米管结合，制成全新的混合数字开关，可作为电子产品中控制电流的基本元件。未来有望借此制成不含硅半导体的晶体管，让计算机、手机、医学设备和其他电子产品的速度更快、体积更小。 石墨烯可“变身”为各种独特的材料，氮化硼
多层石墨烯边界的拉曼光谱研究方面获进展
单层石墨烯(SLG)因为其近弹道输运和高迁移率等独特性质以及在纳米电子和光电子器件方面所具有的潜在应用而受到了广泛的研究和关注。每个SLG样品都存在边界，且SLG与边界相关的物理性质强烈地依赖于其边界的取向。在本征SLG边界的拉曼光谱中能观察到一阶声子模-D模，而在远离边界的位置却观察不到。研究
化学所合作在石墨烯的可控制备方面取得系列进展
近年来，石墨烯作为一种新型的碳材料，因其许多独特优异的性质引起了人们的广泛关注和极大兴趣。石墨烯的可控制备是开展石墨烯基础研究和应用开发的前提，是目前亟待解决的重大科学问题之一。在众多石墨烯的制备方法中，化学气相沉积法（CVD）因兼有高质量和宏量制备的优点已成为石墨烯生长的最重要方法之一。 最
石墨烯分散效果评价颗粒表面特性评价
通过颗粒在溶剂中的比表面积，来分析分散性，比表面积越大，分散性越好，比表面积是指与溶剂接触的全部面积（湿式比表面积）。该方法也可以对颗粒的分散性进行实时监控，还可以通过这种方法对分散剂性能进行评价，来优化浆料的配方。纳米陶瓷粉体的比表面和孔隙度影响陶胚的加工和烧结固化与成品的强度、质感、外观以及密度
石墨烯控制技术能消灭99.9％表面细菌
科技日报讯（记者张佳欣）石墨烯以其强大的杀菌性能，有望成为抗击耐药细菌领域的颠覆性技术。瑞典查尔姆斯理工大学研究人员利用普通冰箱贴中的磁铁技术，研发出一种超薄的针刺状表面，作为导管和植入物的涂层，可杀死医疗设备表面99.9%的细菌。相关论文发表在近日出版的《先进功能材料》杂志上。医源性感染是全球普遍
学者综述石墨烯基材料介导免疫调控
南方医科大学口腔医院教授邵龙泉团队结合团队的前期研究，在石墨烯基材料介导免疫调控研究方面综述了前人进展。近日，相关综述文章在线发表于《纳米技术》。 文章指出，石墨烯基材料广泛应用于组织工程和再生医学，是生物材料领域中的最具发展潜力的材料之一。免疫调控在组织修复与愈合过程中发挥重要作用。 论文
学者综述石墨烯基材料介导免疫调控
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511851.shtm
物理所等在石墨烯外延及二维超晶格研究中取得进展
石墨烯以其独特的线性能量色散关系、高迁移率、高热导率以及优异的力学性能等而在凝聚态物理及材料科学等领域内倍受关注。众所周知，石墨烯的性质受衬底的影响很大，常用的氧化硅衬底会引起额外的载流子散射和电声相互作用而使其质量下降很多。最近的研究发现，六方氮化硼由于其原子级平整的表面、无悬挂键、掺杂效应弱
物理所石墨烯摩尔超晶格研究取得系列进展
最近，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）纳米物理与器件实验室在《自然•材料》、《自然•纳米技术》、《自然•物理》、《自然•通讯》刊登了系列研究成果。针对石墨烯/氮化硼异质结构，他们系统研究了氮化硼基底调制下的摩尔超晶格以及相关物理现象，为石墨烯能带及电子学性质调控提供了新思路。
研究者设计梯度表面能调控的复合型转移媒介
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。 当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常
美研究发现添加人造边缘可让二硫化钼原子层整齐生长
据物理学家组织网近日报道，美国莱斯大学和橡树岭国家实验室(ORNL)的科学家合作开发出一种新方法，可以控制二硫化钼(MDS)原子层整齐一致地生长，借此朝制造二维电子设备前进了一步。相关研究发表在本周出版的《自然·材料学》杂志上。 半导体二硫化钼是制造功能性二维电子元件所需的三种材料中的一种
《自然》刊发！南航以通讯作者单位发布最新成果
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/7/505141.shtm2023年7月19日，国际著名学术期刊《Nature》发表了南京航空航天大学国际前沿科学研究院、航空学院郭万林院士团队殷俊教授与英国曼彻斯特大学诺贝尔奖获得者A. Geim团队A. M
超平整石墨烯晶圆转移与集成光电器件
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常会
英国科学家成功合成含有六方氮化硼夹层的石墨烯材料
随着人们生活需求的日益增长，各类电子产品的性能及功能得到了极大提高。同时，传统电子材料的物理限制也因此逐渐显现，人们愈加迫切地需要具备更加强大性能的新一代电子原材料作为电子工业继续腾飞的基石。 据物理学家组织网9月15日报道，英国曼彻斯特大学的研究人员在《自然·纳米技术》发表论文称，他们利用二
上海微系统所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究获进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究取得新进展，研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积（CVD）方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结，并将其成功应用于WSe2/MoS2 二维光电探测器件。研究论文Synthesis of High-Qual
关键一步！超高质量石墨烯纳米带制备迎来突破
3月28日，上海交通大学物理与天文学院教授史志文、以色列特拉维夫大学教授Michael Urbakh、深圳先进技术研究院教授丁峰和武汉大学教授欧阳稳根合作，开发了一种生长石墨烯纳米带的全新方法，实现超高质量石墨烯纳米带在氮化硼层间的嵌入式生长，形成“原位封装”的石墨烯纳米带结构，并演示了所生长的
关键一步！超高质量石墨烯纳米带制备迎来突破
3月28日，上海交通大学物理与天文学院教授史志文、以色列特拉维夫大学教授Michael Urbakh、深圳先进技术研究院教授丁峰和武汉大学教授欧阳稳根合作，开发了一种生长石墨烯纳米带的全新方法，实现超高质量石墨烯纳米带在氮化硼层间的嵌入式生长，形成“原位封装”的石墨烯纳米带结构，并演示了所生长的石墨
原位电镜成像技术发现NaCl成核结晶的非经典路径
自然中普遍存在的现象，如云层中水分子在灰尘矿物质表面的聚集造成的降水/降雪、生物矿物质的形成等物理/化学过程等，均与基于结构物态相变有关，成核结晶的热力学和动力学微观机制是相变的核心问题，经典理论预言认为成核存在自由能势垒，系统热力学涨落克服这一势垒而导致单体聚集不断长大形成晶核进而结晶（如图1
大连化物所石墨烯表面化学研究取得重要进展
继在石墨烯生长机理和大尺度石墨烯结构测定等方面的研究取得系列进展（ChemComm 47, 2011, 1470; Nat Commun 3, 2012, 699）后，中科院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室纳米和界面研究组采用自行研制的深紫外激光光发射电子显微镜（DUV-PEEM）等手段
化学所高质量石墨烯和氮化硼的制备及性能研究获进展
高质量二维原子晶体的可控制备是基础研究和应用开发的前提，目前是迫切需要优先研究的重大基础科学问题之一。可控制备的最终目的是获得大面积、单层和单晶结构的二维原子晶体。 在中国科学院、科技部和国家自然科学基金委的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体重点实验室的相关科研人员最近在石
研究发现！理想的超滑体系大晶格失配范德华异质界面
当前，因摩擦和磨损导致的能源损耗约占人类能源总消耗的三分之一。实现极低摩擦可以降低能源消耗，延长机械寿命。超滑（superlubliricty）定义为两个固体表面接触时摩擦力接近于零（摩擦系数小于10-3）的状态，自上世纪九十年代被发现以来一直是摩擦学的前沿研究方向。结构超滑（structura
AFM再立功！科学家们发现了第一种二维冰相
生物抗冻蛋白如何抗结冰，冰川之间的相对滑移、大气臭氧的降解催化，都与冰的结构和成核生长密切相关。 经过近百年的探索，人们已经发现了冰的18种三维晶体结构，其中自然界最常见的就是六角形的冰相。然而，是否有稳定存在的二维冰，学术界一直有很大争议。 近日，北京大学、美国内布拉斯加大学林肯分校以及中