超平整石墨烯晶圆转移与集成光电器件
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研究者设计梯度表面能调控的复合型转移媒介
石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优，在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。 当前，发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注，其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而，传统的高分子辅助转移技术通常
南大团队成功研制超平整石墨烯薄膜
近日，由南京大学物理学院高力波教授团队领衔，协同学院四个青年学者团队，以“质子辅助生长超平整石墨烯薄膜”为题，在《自然》杂志上发表了将质子辅助生长用于高质量石墨烯制备的研究成果。这项工作，不仅探索出了一种可控生长超平整石墨烯薄膜的方法，更为重要的是，该团队还发现了这种生长方法的内在机制，即质子
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方
上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI(绝缘体上硅)材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
石墨烯高性能光学器件研究获进展 实现非局部光电探测
近日，普渡大学、密西根大学和宾夕法尼亚州立大学的研究团队声称，已解决阻碍石墨烯高性能光学器件的发展问题，石墨烯高性能光学器件可用于成像、显示、传感器和高速通信。题为“由碳化硅衬底与微米量级石墨烯结合制成的光电晶体管的位置依赖和毫米范围光电探测”的论文发表在《自然纳米技术》杂志。该项目受到美国
北京石墨烯研究院石墨烯晶元、烯薄膜设备采购公告
国信招标集团股份有限公司受北京石墨烯研究院委托，根据《中华人民共和国政府采购法》等有关规定，现对北京石墨烯研究院2018年石墨烯晶元批量制备设备和高质量石墨烯薄膜批量制备设备采购项目进行公开招标，欢迎合格的供应商前来投标。 项目名称：北京石墨烯研究院2018年石墨烯晶元批量制备设备和高质量石墨
上海微系统所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究获进展
中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯/六方氮化硼平面异质结研究取得新进展，研究员谢晓明领导的研究团队采用化学气相沉积（CVD）方法成功制备出单原子层高质量石墨烯/六方氮化硼平面异质结，并将其成功应用于WSe2/MoS2 二维光电探测器件。研究论文Synthesis of High-Qual
石墨烯传感器在中红外波段的应用潜力
据麦姆斯咨询报道，美国耶鲁大学（Yale University）和巴塞罗那光子学研究所（ICFO）的研究人员合作开发了一款基于石墨烯的器件，或能制成在中红外光谱工作的新型微尺寸非制冷探测器。目前，在红外“指纹”区（充满了分子特定的光谱信息）工作的商用中红外传感器，通常需要昂贵的光电探测器材料
晶圆测试与探针台
晶圆测试是在半导体器件制造过程中执行的一个步骤。在此步骤中，在将晶圆送至芯片准备之前执行，晶圆上存在的所有单个集成电路都通过对其应用特殊测试模式来测试功能缺陷。晶圆测试由称为晶圆探针器的测试设备执行。晶圆测试过程可以通过多种方式进行引用：晶圆最终测试 (WFT)、电子芯片分类 (EDS) 和电路