我国纳米光刻技术研究取得突破
日前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。 据相关负责人介绍，传统的微光刻工艺采用尽可能短的曝光波长，期望获得百纳米甚至几十纳米级别的光刻分辨率。然而，随着曝光波长的缩短，整个光刻装备的成本也急剧上升。以目前主流的193光刻机为例，其售价为几千万美元。如此高昂的成本严重限制了短波长光源光刻技术的应用。 近年来，表面等离子体光学的提出为微光刻技术的发展提供了新的选择。利用表面等离子体波的短波长，通过合理的设计掩模图形和工艺参数，超分辨的纳米光刻技术有望形成。 在此背景下，该所研究员提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。理论研究表明，该技术可获得特征尺寸小于1/10曝光波长的纳米结构，并利用365纳米光源从实验上获......阅读全文
光电所表面等离子三维彩色成像研究获进展
表面等离子体亚波长光学是最近十余年来光学领域发展的重要分支。采用人为精确设计的纳米金属结构，可在远小于波长的尺度上对电磁波的相位、振幅等特征进行调控，为超衍射成像、光刻和显示技术提供了极具潜力的技术途径。 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室通过研究发展了一种基于表面等离子体
第三届全国信息光学与光子器件学术会议在广西召开
8月6日至8日，光学前沿——第三届全国信息光学与光子器件学术会议（CIOC2010）在广西桂林召开。大会由中国科学院上海光学精密机械研究所主办，广西师范大学与中国激光杂志社联合承办。上海光机所干福熹院士、长春光机所王家骐院士、桂林市副市长巫家世、广西师范大学副校长李传起教授等到会并
谁将改变我们的生活？盘点十项具有变革潜质的前沿技术
你开着混动汽车，通过导航仪找到了特色参观，你在坚固温暖的房子里用手机查看着一周的天气预报，你足不出户就能通过电商买到国外的牛奶，你坐在影院里一边吃着爆米花一边看着最新的3D大片…… 虽已习以为常，但我们的生活已确实都被这些曾经的先进技术改变了。在2015年的关口猜想，下一次是谁要改变我们？
用于X射线的消色差透镜问世－有助微芯片等研发
科技日报北京3月14日电 （实习记者张佳欣）瑞士保罗谢勒研究所（PSI）的科学家开发了一种突破性的X射线消色差透镜。这使得X射线束即使具有不同的波长也可以准确地聚焦在一个点上。根据14日发表在《自然·通讯》上的论文，新透镜将使利用X射线研究纳米结构变得更加容易，特别有利于微芯片、电池和材料科学等领域
扫描探针显微技术有哪些？
扫描探针显微技术主要是利用顶端约1-10Å的探针来3D解析固体表面纳米尺度上的局部性质。扫描探针显微镜SPMs就是一系列的基于扫描探针显微术而发展起来的显微镜，它包括STM、AFM、LFM、MFM等等。其中STM和AFM的发明使得各种扫描探针显微技术有了长足的发展，下面我们先来看一下迄
化学所利用半导体纳米线同质结实现光学分波器
光学分波器是纳米光子回路中的关键元件，可以用来连接纳米激光器(J. Am. Chem. Soc., 2011, 133, 7276-7279)、光信号传感器(Adv. Mater., 2012, 24, OP194-199)、检测器 (Adv. Mater., 2012, 24, 474
通过核酸扩增策略的光学纳米生物传感界面的构建和应用
各种核酸等温扩增辅助光学生物传感方法在宏观反应界面和微观反应界面上的示意图 现代光学检测技术由于其高灵敏度和高准确性在临床检测中起着关键作用。然而，由于对肿瘤治疗具有重要意义的恶性肿瘤的早期发现和诊断的临床需求，人们已经提出了诸如高检测灵敏度的更高要求。核酸等温扩增技术为满足这一要求开辟了途径
Science：通过光学自旋轨道耦合的纳米手征能谷光子界面
代尔夫特理工大学L. Kuipers（通讯作者）等人证实二维过渡金属硫化合物的能谷信息可以用光的自旋角动量编码并检测。使用等离子纳米线二硫化钨（WS2）层系统证实了能谷依赖的光定向耦合。WS2中的谷赝自旋耦合相同手性的横向光子自旋，耦合效率达到90±1%。研究结果为调控、检测和处理电子能谷和自旋
国家纳米中心等在晶体光学各向异性研究中获进展
近日，国家纳米科学中心戴庆团队和美国石溪大学教授刘梦昆等合作，利用近场光学技术克服了范德华晶体有限尺寸导致的表征困难，成功测量了氮化硼及二硫化钼的介电张量，发展了新的晶体光学各向异性表征方法。 石墨烯、氮化硼、过渡金属硫族化合物等新型二维材料都属于范德华晶体，各自具有优良的力学、电学、光学性质
科学家利用超表面实现平面内纳米位移光学感测
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/515996.shtm中国科学技术大学光电子科学与技术安徽省重点实验室微纳光学与技术课题组王沛教授和鲁拥华副教授在精密位移的光学感测研究方面取得新进展，设计了一种光学超表面（metasurface，将二维平
上海交大学者发明纳米光学质谱仪－可望用于癌细胞检测
秤对人们来说并不陌生，然而，有一种秤，人们却从没有听过、见过，那就是上海交大物理系朱卡的教授团队发明的“光秤”。 朱卡的教授和他所指导的李金金博士以量子光学和纳米材料为研究基础，在国际上首次发明了纳米光学质谱仪，也就是“光秤”，可以对生物DNA分子的质量、染色体的质量以及中性原子的质量进行
机智！MIT大牛妙招将纳米级光学显微镜带入临床
近日，来自MIT生物工程学院的Edward S Boyden教授与陈飞博士，赵永兴博士以及哈佛大学医学院研究人员合作开发了一种非常简单易操作的技术，显微扩张技术，只需使用婴儿尿不湿中的高分子材料，就可以将普通光学显微镜的分辨率提升到70纳米，并且可以广泛应用于临床病理检测。 同时他们还发现，借
金属纳米结构的表面等离子体光学研究获得系列进展
金属纳米结构的表面等离子体光学在光催化、纳米集成光子学、光学传感、生物标记、医学成像、太阳能电池，以及表面增强拉曼光谱(SERS)等领域有广泛的应用前景，这些功能和金属纳米结构与光相互作用时产生的表面等离子体共振密切相关。最近，中科院物理研究所光物理实验室李志远研究组，对金纳米棒
我国学者用超表面实现平面内纳米位移光学感测
1月17日，记者从中国科学技术大学获悉，该校光电子科学与技术安徽省重点实验室微纳光学与技术课题组教授王沛和副教授鲁拥华设计了一种光学超表面，并用该表面将二维平面的位移信息映射为双通道偏光干涉的光强变化，实现了平面内任意移动轨迹的大量程、高精度非接触感测。相关研究成果日前在线发表于《科学进展》。
李峰团队发现蛋白质AIE纳米点光学探针制备方法
2001年，香港科技大学教授唐本忠团队发现了一种与传统聚集淬灭相反的现象，称为聚集诱导发光（aggregation-induced emission， AIE）现象，其主要原理是由于分子内运动受到限制，导致非辐射衰减渠道被抑制，辐射衰变增强而发光。与传统的有机染料相比，AIE荧光材料具有抗光漂白
华中大团队成功研发我国首款计算光刻EDA软件
近日，华中科技大学机械学院刘世元教授团队成功研发出我国首款完全自主可控的OPC软件，并已在相关企业实现成果转化和产业化，填补了国内空白。 光刻成像原理图 “OPC是芯片设计工具EDA工业软件的一种，没有这种软件，即使有光刻机，也造不出芯片。从基础研究到产业化应用，我们团队整整走了十年。十年磨
热扫描探针光刻技术消除二维半导体材料
二维半导体材料，比如二硫化钼（MoS2），表现出了诸多新奇的特性，从而使其具有应用于新型电子器件领域的潜力。目前，研究人员常用电子束光刻的方法，在此类仅若干原子层厚的材料表面定域制备图形化电极，从而研究其电学特性。然而，采用此类方法常遇到的问题之一是二维半导体材料与金属电极之间为非欧姆接触，且
宽刀雕细活－我国造出新式光刻机
11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。 光刻机相当于一台投影仪，将精细的线条图案投射于感光平板，光就是一把雕刻刀。但线条精细程度有极限——不能低于光波长的一半。“光太胖，门缝太窄，
中科院，上海科技大学Nature子刊发表新技术
国内的一组研究人员发表了题为“Nanoscale probing of electron-regulated structural transitions in silk proteins by near-field IR imaging and nano-spectroscopy”的文章，突破
光刻机为什么不用x射线
因为x射线具有穿透力，而穿透力产生的折射会浪费大量的能量，致使光刻机效率低下，甚至无法工作，所以不用x射线。
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
光刻机的定位格栅是什么
时光刻机中的一项核心技术，应用于对半导体衬底进行成像的光刻技术，主要用来确定位置。在目前高端光刻机晶圆台的亚纳米级定位需求中，光栅干涉测量具有较大优势，测量分辨率可达17pm，长期测量稳定性可达0.22nm，采用先进的二维平面光栅可以实现空间六自由度测量，是14nm及以下光刻工艺制程的重要技术路线。
高精度掩膜对准光刻机
高精度掩膜对准光刻机是一种用于农学、生物学、化学、物理学领域的分析仪器，于2017年11月7日启用。 技术指标 支持4英寸晶圆；曝光波长：350-450nm；曝光灯功率：350W；分辨率：优于0.8mm（光刻胶厚度1微米时）；套刻精度：0.5mm；光强均匀度：优于±2％；更换汞灯后及汞灯全寿
电子束光刻的基本结构
电子束曝光的基本结构，从上往下依次为：电子枪、电子枪准直系统、电磁透镜、消像散器、偏转器、物镜、光阑（Aperture）、电子探测器、工作台（stage）以及真空泵（离子泵、分子泵、机械泵）。 电子枪：高分辨率的热场发射，配有高压，电子束的能量通常在10~100KeV。 电子枪准直系统：对电
光刻机的性能指标
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度
DRYTEK去胶设备(等离子光刻)共享应用
仪器名称：去胶设备(等离子光刻)仪器编号：90175600产地：美国生产厂家：DRYTEK型号：MS-5出厂日期：199002购置日期：199003所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627810
5nm是物理极限－芯片发展将就此结束？（二）
有外媒报道的劳伦斯伯克利国家实验室将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，其晶体管就是由碳纳米管掺杂二硫化钼制作而成。不过这一技术成果仅仅处于实验室技术突破的阶段，目前还没有商业化量产的能力。至于该项技术将来是否会成为主流商用技术，还有待时间检验。再来说说光刻机分辨率的事要想做出更
4月，富阳等您！闪光科技诚邀您参加中国光学十大进展高峰论坛暨颁奖典礼
2023年4月19-21日在杭州富阳举办的中国光学十大进展高峰论坛暨颁奖典礼，这是一场光学领域备受瞩目的科研成果盛会，本次论坛由中国激光杂志社、杭州光学精密机械研究所和杭州市富阳区人民政府联合主办，范滇元院士、祝世宁院士、崔铁军院士和罗先刚院士等诸多光学领域大咖加入，是一次全新的学术观点和科研成果动
世界顶级纳米材料专家聚集南理工
纳米粉体颗粒可以直达癌症病灶，最大限度减少对人体的伤害；在飞机引擎表面涂上一层纳米材料，可以保护引擎，大量节省燃油消耗……今天上午，南京理工大学格莱特纳米科技研究所揭牌，国际纳米晶材料泰
X射线衍射光学部件的制备及其光学性能表征（四）
3 X射线光学表征3.1 100 nm分辨率波带片的聚焦特性100 nm波带片的光学聚焦特性在上海光源同步辐射BL15U1线站进行了光学表征。图 22是光学测试系统(图 22(a))和光路示意图(图 22(b))。X射线的能量是10 keV，波带片的第一环直径为3.46 μm，总共有300个波带