我国纳米光刻技术研究取得突破
日前，中科院光电技术研究所微光刻技术与微光学实验室首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。 据相关负责人介绍，传统的微光刻工艺采用尽可能短的曝光波长，期望获得百纳米甚至几十纳米级别的光刻分辨率。然而，随着曝光波长的缩短，整个光刻装备的成本也急剧上升。以目前主流的193光刻机为例，其售价为几千万美元。如此高昂的成本严重限制了短波长光源光刻技术的应用。 近年来，表面等离子体光学的提出为微光刻技术的发展提供了新的选择。利用表面等离子体波的短波长，通过合理的设计掩模图形和工艺参数，超分辨的纳米光刻技术有望形成。 在此背景下，该所研究员提出了基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术。理论研究表明，该技术可获得特征尺寸小于1/10曝光波长的纳米结构，并利用365纳米光源从实验上获......阅读全文
激光刻划的功能介绍
中文名称激光刻划英文名称laser grooving and scribing定 义利用聚焦后高能量密度的激光束，对被加工表面刻槽或划线的方法。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），激光器件和激光设备-激光应用（三级学科）
光刻垄断难解，技术难在哪？
经常听说，高端光刻机不仅昂贵而且还都是国外的，那么什么是光刻机呢？上篇我们聊了从原材料到抛光晶片的制成过程，今天我们就来聊聊什么是光刻～第一步骤的晶体生长机晶片的制造，我们上篇已经聊过了。今天我们要聊的是光刻，我们先简单聊一聊硅的氧化（热氧化），刻蚀的话我们后面再讲。硅的氧化其中包含了在分立器件和集
研究实现单个纳米尺度物体无标记光学显微成像
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519411.shtm
新型纳米腔为量子光学新应用打开大门
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517337.shtm
《光学》：无标记染料或标签－解析光衍射极限纳米结构
来自奥地利格拉茨大学的研究人员近日开发了一种新的测量和成像方法，可在不需要任何染料或标签的情况下解析小于光衍射极限的纳米结构。这种激光扫描显微镜新方法弥补了传统显微镜和超分辨率技术之间的差距，有朝一日或可被用来观察复杂样品的精细特征。 在国际光学出版集团的高影响力期刊《光学》上描述的这种新方法
长春光机所在纳米光学吸收结构研究中取得进展
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室的吴一辉课题组为了解决纳米吸收结构对于入射角度的影响，提出了一种新型的全向偏振无关吸收结构。相关研究成果发表在Optics Express（DOI：10.1364/OE.23.00A413）上。 由于超常吸收纳米结构在光电探测
福建物构所稀土纳米光学诊疗材料研究获进展
细菌生物膜具有感染能力，几乎可以侵袭人体任何器官，对人类健康造成严重威胁。尤其是对于免疫功能低下的人群，细菌生物膜引发的严重慢性和持续性感染可能导致致命后果。当前，治疗生物膜感染常依赖于强化抗生素，但长期用药易导致耐药性，不仅削弱治疗效果，还可能诱发二重感染。准确诊断生物膜感染对于有效治疗至关重
研究实现单个纳米尺度物体无标记光学显微成像
近日，中国科学技术大学教授张斗国课题组提出并实现了一种动量空间偏振滤波器件。将该器件安装在传统无标记光学显微镜的出射端，可以高效抑制出射光场的背景噪声，进而采集到单个纳米尺度物体的高对比度、高信噪比光学显微图像。研究成果日前在线发表于美国《国家科学院院刊》。单个纳米尺度物体，如超细大气颗粒物、金属/
Science：磁场调控手性磁性纳米颗粒和凝胶的光学活性
密歇根大学Nicholas A. Kotov和巴西Federal University of São Carlos大学André F. de Moura（共同通讯作者）等人合成了具有L-和D-半胱氨酸表面键的顺磁性Co3O4纳米颗粒，这些键赋予了晶体晶格的手性转变，而这种各向异性使得材料的手性光
生物相容、光学性质稳定的红光纳米颗粒及其细胞成像
清华大学的危岩教授课题组利用壳聚糖、戊二醛和甲基丙烯酸聚乙二醇酯单体等不具有荧光性质的原料，通过简单的微乳液法和颗粒表面引发聚合法得到了生物相容、性质稳定、抗光漂白的具有红光发射性质的纳米颗粒。同时，作者还考察了该红光纳米颗粒对细胞标记成像的效果，为此类红光纳米颗粒用于进一步的生物医疗领域奠定
光学的“纳米尺度”进化，将拉开“消费光子”的序幕
目前最为可行的发展方式，是融合光学与半导体工艺，用半导体的思路做纳米级光元件。图片来源网络 单个晶体管到集成电路的进化，直接了促成人类信息革命的爆发，拉开了消费电子的序幕，造就了近50年来无数的科技奇迹和无数伟大的企业。基于对半导体行业长期发展的统计，半导体行业归纳出了所谓的“摩尔定律”——
中澳科学家开发出温控纳米光学材料
日前，南开大学物理学院教授张国权研究组与澳大利亚国立大学教授尤里·基夫沙尔研究组共同开发出一种新型温控纳米材料，在节能方面有巨大的应用潜力。这项研究从纳米颗粒折射率和温度的变化关系着手，当改变温度时，纳米颗粒的折射率发生变化，从而对纳米材料的光学性质和功能进行调节和控制。研究论文发表在国际著名学
纳米孔测序联合光学测绘揭示转基因植物细节
索尔克的研究人员利用最新的DNA测序技术，在分子水平上研究植物插入新基因后会发生什么。 索尔克的研究人员绘制了具有最高分辨率的转基因植物系基因组和表观基因组图，为了精确地揭示插入一段外源DNA后，在分子水平上会发生什么。他们的研究结果发表在2019年1月15日的PLOS Genetics，阐明
2024上海光刻胶展「2024中国大型光刻胶博览会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
拉曼光谱应用：新型光学纳米孔器件有望用于快捷测序
比利时校际微电子中心（IMEC）9日发表公报说，该中心成功开发出一种能直接读取单分子DNA（脱氧核糖核酸）碱基的新型光学纳米孔器件，有望用于遗传学研究快捷测序。 据介绍，新型器件结合了表面增强拉曼光谱和纳米孔流体技术，能以超高分辨率，实现无标记检测DNA中的遗传编码以及表观遗传变异。研究近期发
研究利用超表面实现平面内纳米位移的光学感测
中国科学技术大学光电子科学与技术安徽省重点实验室微纳光学与技术课题组教授王沛和副教授鲁拥华在精密位移的光学感测研究方面取得新进展，设计了一种光学超表面，将二维平面的位移信息映射为双通道偏光干涉的光强变化，实现了平面内任意移动轨迹的大量程、高精度的非接触感测。1月10日，研究成果在线发表于《科学进
纳米自组装三维超晶格光学芯片研究获进展
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋与香港城市大学教授朱剑豪合作，在纳米自组装三维超晶格光学芯片领域取得新突破。相关论文Evaporative Self-Assembly of Gold Nanorods into Macroscopic 3D Plasmonic Superlatti
国家纳米中心发展新的晶体光学各向异性表征方法
近日，国家纳米科学中心戴庆团队和美国石溪大学教授刘梦昆等合作，利用近场光学技术克服了范德华晶体有限尺寸导致的表征困难，成功测量了氮化硼及二硫化钼的介电张量，发展了新的晶体光学各向异性表征方法。相关研究成果在线发表于《自然—通讯》，其表征方法已申请发明ZL。该研究得到了国家自然科学基金、科技部重点
电子束光刻相关介绍
电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。 光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波。这样，电子束曝光的精度可以达到纳
光刻机的紫外光源
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。 常见光源分为: 可见光：g线：436nm 紫外光（UV），i线：365nm 深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm 极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm 对光源系统的要求 a.有适当的波长。
光刻机的对准系统
制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊ZL的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计ZL技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。 对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜
光刻机的三大种类
a.接触式曝光（Contact Printing）：掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。接触式，根据施加力量的方式不同又分为：软接触，硬接触和真空接触。 1.软接触 就是把基片通过托盘吸附住（类似于匀胶机的基片放置方式），掩膜盖在基片上面； 2.硬接
光刻机各个结构的作用
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。 光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。 能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。 光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。 遮光器：在不需要曝
光刻机投影式曝光分类
扫描投影曝光（Scanning Project Printing）。70年代末～80年代初，〉1μm工艺；掩膜板1：1，全尺寸； 步进重复投影曝光（Stepping-repeating Project Printing或称作Stepper）。80年代末～90年代，0.35μm（I line）～
光刻机工作原理和组成
光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准
光刻机的简介和分类
光刻机（Mask Aligner）是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。其分为两种，一种是模板与图样大小一致的contact aligner，曝光时模板紧贴晶圆；另一种是利用类似投影机原理的stepper，获得比模板更小的曝光图样。高端光刻机被称为“现代光学工业之花”，制造难度很大
光刻机移动精度怎么控制
光刻机移动精度要在雕刻的过程中，晶圆需要被快速移动,每次移动10厘米来控制。这种误差级别相当于眨眼之间端着一盘菜从北京天安门冲到上海外滩，恰好踩到预定的脚印上，菜还保持端平不能洒。这种方法也叫视频图像处理对准技术，是指在光刻套刻的过程中，掩模图样与硅片基板之间基本上只存在相对旋转和平移，充分利用这一
电子束光刻的特点
电子束曝光是用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射，使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图
极紫外光刻新技术问世
据日本冲绳科学技术大学院大学（OIST）官网最新报告，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻技术，超越了半导体制造业的标准界限。基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。 在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和
去胶设备(等离子光刻)共享应用
仪器名称：去胶设备(等离子光刻)仪器编号：90175600产地：美国生产厂家：DRYTEK型号：MS-5出厂日期：199002购置日期：199003所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：窦维治（010-627810