多铁性铁酸铋外延薄膜受极化调制的导电特性研究的进展
BiFeO3(BFO)作为室温单相多铁性材料，不但具有优越的铁电特性，同时由于电、磁、应变之间的耦合作用，可以实现用电场控制磁化，是研究新型多态磁电存储器的首选材料。最近有文献报道了在BFO单晶中又观察到了与铁电极化相关的可反转的二极管整流特性。这种受铁电极化调控的导电行为，不但增加了多铁性BFO材料的多功能特性，也更加丰富了BFO的物理内涵，除了铁电、铁磁和铁弹三个序参量之间的耦合，电输运特性与三个参量之间也存在相互作用。 中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)光物理实验室金奎娟研究组，在氧化物薄膜的激光法制备和物理研究方面取得了丰硕的成果。最近，王灿副研究员、金奎娟研究员、吕惠宾研究员及杨国桢院士等人利用激光分子束外延设备，成功地制备了具有优越铁电性的BFO外延薄膜，并首次在BFO外延薄膜中观察到了可反转二极管特性和相应的电致电阻效应。研究表明，BFO外延薄膜的可反转二极管特性与铁电极化相关，二极管的正向......阅读全文
“超级光盘”存储器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大学光子芯片研究院顾敏院士、中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员、上海理工大学光电信息与计算机工程学院文静教授等合作，在国际上首次利用双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
激光让玻璃变身新式存储器
据英国《每日电讯报》8月15日（北京时间）报道，英国科学家首次研发出了玻璃存储器。这种存储器块头小，存储能力强，而且，寿命长达几千年，大型机构和公司的海量信息今后可以长时间安全存储其中。相关研究发表在最新一期《应用物理学快报》杂志上。 英国南安普敦大学的科学家使用激光让玻璃块
自旋分子存储器研究获进展
经典的冯·诺依曼计算机架构中，数据存储与处理分离。由于指令、数据在存储器和处理器之间的高频转移，导致计算机发展的“存储墙瓶颈”与“功耗墙瓶颈”。能否模仿人类的大脑，构建新型器件实现计算和存储一体化，完成低功耗的复杂并行计算？ 理论提出的自旋场效应晶体管（自旋FET）同时具有实现数据存储和处理的
耐600℃高温存储器问世
科技日报北京5月5日电 （记者刘霞）美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多，表明该存储器具有极强的可靠性和稳定性，有望在可导致电子或存储设备故障的极端环境下大显身手，也为在恶劣条件下进行密集计算的人工智能系统奠定了基础。相
细菌DNA序列可作信息“存储器”
阿根廷科学家近日成功将该国国歌旋律以人工基因编码形式植入某种细菌染色体中。这一方法不仅可以用来存储音乐旋律，还可能发展为一种拥有巨大应用潜力的信息存储方式。 据阿根廷媒体报道，主持研究的阿根廷信息生物学家费德里克·普拉达介绍说，生物的DNA(脱氧核糖核酸)由四种脱氧核苷酸组成，即腺嘌呤、胸
存储器大突破，迄今密度最高！
机构预计今年上半年存储周期触底复苏，行业存储龙头有望迎业绩反转。 迄今最高存储密度器件面世 据科技日报，美国南加州大学电气和计算机工程教授杨建华及合作者在最新一期《自然》杂志上刊发论文称，他们已经为边缘人工智能（便携式设备内的人工智能）开发出了迄今存储密度最高的新型器件和芯片，有望在便携式设
SOT型磁性存储器研究领域
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
什么二极管可以代替肖基特二极管
一、在满足耐压，整流电流，没有特殊要求情况下可以使肖特基二极管与快速恢复二极管互换。 二、肖特基二极管的简单介绍： 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电
快恢复二极管与肖特基二极管有什么区别？
肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作，电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管。 肖特基二极管是以N型半导体为基片，在上
肖特基二极管和稳压二极管有什么区别
肖特基二极管不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约
纳米限制结构相变存储器成功开发
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队基于12英寸集成工艺，开发出纳米限制结构相变存储器。该团队通过优化器件集成工艺，在12英寸晶圆上制备出嵌入式纳米加热电极，实现了超过1.0×1011次的器件循环擦写次数，较传统器件结构提升了1000倍，刷新了蘑菇型结构相变存储器的循环擦写纪录。科研人
储存和存储器的不同特性比较
目前最广泛使用的数字储存装置是硬盘（HDD），但它受欢迎的程度正迅速下滑…数字数据储存正历经强大的成长态势，2016年即已增加到超过10，000艾位元组（Exabyte；EB）或10皆位元组（Zettabyte；ZB）的电子数据。值得一提的是，在位元的次方单位表中，目前只剩下“佑位元组”（Y
关于傅里叶变换的存储器控制介绍
因FFT是为时序电路而设计的，因此，控制信号要包括时序的控制信号及存储器的读写地址，并产生各种辅助的指示信号。同时在计算模块的内部，为保证高速，所有的乘法器都须始终保持较高的利用率。这意味着在每一个时钟来临时都要向这些单元输入新的操作数，而这一切都需要控制信号的紧密配合。 为了实现FFT的流形
如何检测二极管
1、检测小功率晶体二极管A.判别正、负电极(a)观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。(b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负
激光二极管简介
激光二极管：激光二极管是当前最为常用的激光器之一，在二极管的PN结两侧电子与空穴的自发复合而发光的现象称为自发辐射。当自发辐射所产生的光子通过半导体时，一旦经过已发射的电子—空穴对附近，就能激励二者复合，产生新光子，这种光子诱使已激发的载流子复合而发出新光子现象称为受激辐射。如果注入电流足够大，
肖特基二极管和快恢复二极管又什么区别？
对于高频开关电源来说,由于频率很高(相位变换)当正半周时二极管正篇导通此时无影响,如果肖特基二极管反向恢复比较慢时,当负半周到来由于肖特基二极管还没有从正偏时的导通状态变成截止相当于短路就等于是负半周的电压与正半周的电压叠加在肖特基二极管两端,由于频率很快,反向的时间就很短(等同与短路时间很短
肖特基二极管和快恢复二极管有什么区别详解
肖特基二极管的基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。因此，能制作开关二极管和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管它是具有
肖基特二极管和开关二极管的区别
1:开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速
肖特基二极管和整流二极管区别在哪里
肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号
多铁性铁酸铋外延薄膜受极化调制的导电特性研究的进展
BiFeO3(BFO)作为室温单相多铁性材料，不但具有优越的铁电特性，同时由于电、磁、应变之间的耦合作用，可以实现用电场控制磁化，是研究新型多态磁电存储器的首选材料。最近有文献报道了在BFO单晶中又观察到了与铁电极化相关的可反转的二极管整流特性。这种受铁电极化调控的导电行为，不但增加了多铁性BF
主办EXPO－2024上海存储器展官网」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
电子天平数据存储器功能解析
电子天平内部具有微处理器、计数器、一定容量的数据存储器RAM、程序存储器ROM、总线、输入/输出接口以及其它多种功能器件。主要功能的介绍如下： 1、中央处理单元CPU。中央处理单元CPU是将运算器、控制器和寄存器组等功能部件，通过内部总线集成在一块硅片上，CPU具有如下功能：可
韩企加速抢占高带宽存储器市场
当地时间3月18日至21日，在美国圣何塞举行的英伟达年度开发者会议“GTC 2024”上，韩国半导体企业全面展示了第五代HBM（高带宽存储器）产品，瞄准人工智能（AI）半导体用内存市场展开激烈竞争。英伟达在“GTC 2024”中推出新一代AI半导体产品“Blackwell”，性能较现有产品大幅提升，
新型存储器有望推动存储技术的变革
集成电路，俗称“芯片”，是信息技术产业的核心，被誉为国家的工业粮食。而存储器是存储信息的主要载体，占集成电路市场的四分之一，我国存储器市场占全球市场的一半，但缺乏自主知识产权和人才，导致高密度、大容量存储器完全依赖进口。这给我国的信息安全带来了极大的隐患。 为解决此难题，有一个团队默默耕耘了十
国产相变存储器开启产业化应用
潜心相变存储器研究15年，中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来，通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片，实现了产业化销售。截至今年6月，该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成
韩企加速抢占高带宽存储器市场
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519756.shtm
一文读懂存储器的工作原理
1、存储器构造存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的1234这样的数字，这样，我们的一个谜团就解开了，计算机也没什么神秘的吗。图1让我们看图1。单片机里面都有这样的存储器，这是一个存储器的示意图：一个存储器就象一个