微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基本的微观层面探讨和研究RRAM的微观物理机制，获得RRAM电学特性与材料微观结构之间的内在联系，对于控制和提高器件的存储特性具有重要的指导作用，也有助于器件失效模型的建立和分析。而如何通过微观表征手段获得阻变过程中伴随的微观结构变化信息，一直是实验技术和方案设计上急需解决的难点问题。 微电子所刘明研究员领导的课题组针对CMOS工艺兼容性好的二元金属氧化物基RRAM，在器件的性能优化、集成技术及阻变机制等方面开展了系统的研究工作，取得了一些重要进展。针对阻变机制的研究，该课题组以ZrO2材料为模板，通过对Cu/ZrO2/Pt器件的高、......阅读全文
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
微电子所在SOT型磁性存储器研究领域获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
微电子所在阻变存储器研发与平台建设方面取得进展
日前，中科院微电子研究所在阻变存储器与大生产CMOS工艺集成研究上取得进展。 阻变存储器（RRAM）是近些年兴起的新型不挥发存储技术，具有单元尺寸小、速度快、功耗低、工艺及器件结构简单和可嵌入功能强等优点，是国际上公认的32nm节点以下主流存储器技术的有力竞争者之一。微电子所纳
微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基
微电子所在阻变存储器与铁电FinFET研究中取得进展
近日，2018国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山召开。会上，中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。 对于新型存储器RRAM，初始电形成过程会增加电路设计复杂度，带来可靠性问题，一直
微电子所在面向应用的阻变存储器研究中取得新进展
日前，中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究上取得新进展。 阻变存储器(RRAM)是非挥发性存储器的一种重要的替代方案，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、高速、低功耗、可嵌入功能强等优点。微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室科研人员在前期建立新材料、新结构及与大生产CMOS集成
我国学者在阻变器件电流保持特性调控研究中取得新进展
近日，中国科学院微电子研究所刘明院士团队及其合作者（中国科学院上海微系统与信息技术研究所狄增峰课题组、武汉大学肖湘衡课题组等）在阳离子基阻变器件电流-保持特性调控上取得重要进展。图1：石墨烯缺陷工程调控所得高驱动电流、低保持特性易失性选择器及低操作电流、高保持特性非易失性存储器的特征I-V曲线
全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合磁性存储器件研究
近期，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作，研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合（SOT）磁性存储器件，并实现了低能耗、可编辑的突触功能，为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。 存算一体及
“超级光盘”存储器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大学光子芯片研究院顾敏院士、中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员、上海理工大学光电信息与计算机工程学院文静教授等合作，在国际上首次利用双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技
北京大学国际上首次以单支路单个器件实现了CAM操作
内容寻址存储器（Content addressable memory, CAM）是以内容进行寻址的存储器，其将输入数据与阵列中存储的所有数据同时进行比较并输出相应的匹配信息，能在存储器内部以高并行度和高能效实现搜索与相似度检测运算，减少了数据传输，近年来在完成边缘智能计算等任务中展现出极大的潜力。传
访《科学》论文作者：横空出世的半浮栅晶体管
8月9日出版的《科学》(Science)杂志刊发了复旦大学微电子学院张卫课题组最新科研论文，该课题组提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管(SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor)。这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具有非
阻变存储器是什么？
伴随着科学的发展和技术的进步，新的存储器不断被提出并被应用于现今社会，在今天，电阻存储器的研究已经非常普遍，因为电阻存储器[36-39]具有其本身非常大的优点，具体地说，首先它具有非常大的存储密度，因为电阻存储器采用的是纳米技术工艺，也就是说在几十纳米的数量级范围内对器件进行设计和构造，所以它具
陈彧等发现石墨烯有望为信息存储器“大限”解围
很多人都知道，摩尔定律揭示了信息技术神话一样的发展速度；但很多人不知道的是，2018年，以硅基材料为基础的信息存储技术将面临发展“大限”。华东理工大学特聘教授陈彧带领的课题组最近发现，石墨烯材料能有效拓展信息存储空间，从而在以石墨烯为基础的新型有机高分子信息存储材料研究领域取得重大进展。研
上海硅酸盐所钛酸锶钡薄膜高频微波性能合作研究获进展
钛酸锶钡（(Ba,Sr)TiO3，简称BST）是一种非常重要的功能材料，它具有高介电常数、低介电损耗、高可调性和居里温度随组分连续可调的特性，是动态随机存储器、非制冷红外探测器以及可调微波器件等多种应用研究的优选材料之一。 最近，中国科学院上海硅酸盐研究所董显林研究员
“杰出妇女”刘明院士：循序渐进－登高望远
在刚刚过去的“三八”妇女节当天，中科院举行了中国科学院第五届“十大杰出妇女”颁奖典礼。中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室主任刘明是获奖者之一。站在中科院杰出女性代表发言席上的刘明素面朝天，她给人的第一印象是美丽阳光。 刘明向《中国科学报》记
激光让玻璃变身新式存储器
据英国《每日电讯报》8月15日（北京时间）报道，英国科学家首次研发出了玻璃存储器。这种存储器块头小，存储能力强，而且，寿命长达几千年，大型机构和公司的海量信息今后可以长时间安全存储其中。相关研究发表在最新一期《应用物理学快报》杂志上。 英国南安普敦大学的科学家使用激光让玻璃块
细菌DNA序列可作信息“存储器”
阿根廷科学家近日成功将该国国歌旋律以人工基因编码形式植入某种细菌染色体中。这一方法不仅可以用来存储音乐旋律，还可能发展为一种拥有巨大应用潜力的信息存储方式。 据阿根廷媒体报道，主持研究的阿根廷信息生物学家费德里克·普拉达介绍说，生物的DNA(脱氧核糖核酸)由四种脱氧核苷酸组成，即腺嘌呤、胸
耐600℃高温存储器问世
科技日报北京5月5日电 （记者刘霞）美国宾夕法尼亚大学科学家研制出一款可在600℃高温下持续工作60小时的存储器。这一耐受温度是目前商用存储设备的两倍多，表明该存储器具有极强的可靠性和稳定性，有望在可导致电子或存储设备故障的极端环境下大显身手，也为在恶劣条件下进行密集计算的人工智能系统奠定了基础。相
SOT型磁性存储器研究领域
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
自旋分子存储器研究获进展
经典的冯·诺依曼计算机架构中，数据存储与处理分离。由于指令、数据在存储器和处理器之间的高频转移，导致计算机发展的“存储墙瓶颈”与“功耗墙瓶颈”。能否模仿人类的大脑，构建新型器件实现计算和存储一体化，完成低功耗的复杂并行计算？ 理论提出的自旋场效应晶体管（自旋FET）同时具有实现数据存储和处理的
存储器大突破，迄今密度最高！
机构预计今年上半年存储周期触底复苏，行业存储龙头有望迎业绩反转。 迄今最高存储密度器件面世 据科技日报，美国南加州大学电气和计算机工程教授杨建华及合作者在最新一期《自然》杂志上刊发论文称，他们已经为边缘人工智能（便携式设备内的人工智能）开发出了迄今存储密度最高的新型器件和芯片，有望在便携式设
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
北京微电子国际研讨会举行
7月19日，由北京市经信局、北京经济技术开发区联合主办的2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会新闻发布会在北京经开区举行，现场发布2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会将于9月25日至27日在北京经开区举办。 2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会将以“凝芯
微电子自旋共振波谱仪
微电子自旋共振波谱仪是一种用于化学、自然科学相关工程与技术、材料科学、环境科学技术及资源科学技术领域的分析仪器，于2018年7月11日启用。 技术指标 灵敏度：8*1013 spin/T；分辨率 0.006mT；最大磁场强度0.7T；扫描宽度10-4-0.65T；波段范围：X波段；微波功率：
微电子工艺实习实践教学研究
1 开展微电子专业实习实践的必要性实践教学对于大多数工科课程都具有十分重要的作用，微电子学是基于半导体工艺的工程技术学科，直到21世纪前10年，半导体器件发展基本遵循摩尔定律，加工技术突飞猛进。尤其是集成电路课程相对于其他学科更加偏重于对微米甚至纳米级物理效应的研究，知识体系复杂，学生理解和掌握的难
阴和俊调研微电子所
7月6日，中科院副院长阴和俊调研中国科学院微电子研究所。 微电子所所长叶甜春、党委书记李培金、副所长周玉梅、副所长周也方及所属各部门负责人、千人计划学者、百人计划学者和部分科研骨干80余人参加了座谈会。叶甜春所长首先从微电子所概况、未来科研发展重点、产业化发展重点、新方向拓展
“新型高密度存储材料与器件”项目启动
10月17日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在中国科学院微电子研究所召开。 会上，微电子所所长叶甜春和中科院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶甜春对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望，表示要集中力量围绕关键技术开展攻关，实现