微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研成果。 深圳市中兴微电子技术有限公司副总经理刘新阳介绍了中兴微电子发展情况、重点方向和双方已有合作基础及未来合作规划。 双方就“芯片技术战略合作”相关事项进行了深入探讨，并就一些重点合作方向达成一致意见。 深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明表示，希望利用双方优势力量，在原有合作基础上进一步扩大合作范围和合作内容。 叶甜春表示，将充分发挥微电子所的研发力量、人才优势和综合技术实力，以及中兴微电子在相关领域的雄厚研发能力和产业化实力，结合国家当前以及未来在核心器件与智能制造等重点领域的发展趋势和机遇，建立长期、紧密、务实的全......阅读全文
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
阴和俊调研微电子所
7月6日，中科院副院长阴和俊调研中国科学院微电子研究所。 微电子所所长叶甜春、党委书记李培金、副所长周玉梅、副所长周也方及所属各部门负责人、千人计划学者、百人计划学者和部分科研骨干80余人参加了座谈会。叶甜春所长首先从微电子所概况、未来科研发展重点、产业化发展重点、新方向拓展
微电子所在纳米森林的微器件应用研究中获进展
原文地址：http://www.cas.cn/syky/202103/t20210316_4781092.shtml 近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在纳米森林的微机电系统（MEMS）传感器应用研究上取得重要进展。 湿度的监测与控制在气象、农业、汽车、医药等行业具有重
微电子所硅光子平台开发取得进展
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。 硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于CMOS工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子器件和芯片的开发，最终实
微电子所采用ALD技术显著提升发光器件效率
日前，中国科学院微电子研究所将先进的原子层沉积技术应用于高光效半导体发光器件的研究取得显著进展。 上世纪80年代，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬兰科学家提出并应用于平板显示器件中Al2O3绝缘膜的沉积。2007年英特尔公司将原子层沉积技术引
微电子所揭示阻变存储器失效机制
近日，中国科学院微电子研究所刘明课题组在阻变存储器（RRAM）研究方向取得新进展，揭示了阳离子基阻变存储器复位失效现象的微观机制，通过增加离子阻挡层，改善了器件的可靠性，主要研究成果于10月17日发表在《先进材料》（Advanced Materials，DOI: 10.1002/adma.201
微电子所举办专业数据库Inspec相关培训
为了更广泛的推广使用Inspec数据库这一先进的信息查询工具，使之更有效的服务于科学研究工作，6月10日下午，中科院微电子研究所图书资料室举办了题为“利用专业数据库Inspec开展物理及工程领域科学研究”的培训。 本次培训采用网络在线培训的形式，主讲人为Thomson Sc
微电子所在14纳米产学研合作中取得显著成果
近期，中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心研究员韦亚一团队与中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司在负显影光刻胶建模和光源掩模协同优化方面开展深入合作，围绕14纳米节点中光刻研发所面临的各项工艺挑战进行联合技术攻关并取得显著进展，完成了后段制程中特定关键层的模型校准工作。结果表明，对于负显
微电子所发明ZL荣获“中国ZL优秀奖”
近日，国家知识产权局印发《关于第十七届中国ZL奖授奖的决定》（国知发管字〔2015〕67号），中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑的中国发明ZL“半导体器件及其制造方法”（ZL号：ZL 200910235339.9）荣获“中国ZL优秀奖”。 “半导体器件及其制造方法”提
中科院微电子所畅谈党建兴所经验
今天（7月25日）, 中央国家机关工委召开中央国家机关部门直属事业单位党建工作推进会。中国科学院微电子研究所等6家事业单位在会上分享了各自的党建工作经验。 中科院微电子所党委书记李培金介绍，微电子所曾经历一个“丑小鸭”式的成长发展过程。从2005年到2015年的十年间，他们从一度拟撤销的“C
微电子所垂直纳米环栅器件研究获进展
与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。其中，垂直纳米环栅器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加栅极和源漏的设计空间，减少器件所占面积，更易实现多层器件间的垂直堆叠并通过全新的布线方
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。 增强型氮化镓MIS-HEMT是目前尚未成功商用
微电子所在高性能选通管研究中获进展
近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI国际研讨会）在日本召开。中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM
微电子所忆阻器基感知计算研究获进展
生物体中，感受神经系统是本体与外界环境交互的基本信息感知系统。生物体对生存环境的信息甄别与过滤，主要基于感受神经系统的习惯化功能。当前，人类社会正由信息化向智能化演进。智能化社会需要高效智能的信息感知系统对感知到的巨量信息进行有效甄别、处理和决策，并对重复无意义的信息进行有效过滤。因此，基于生物
微电子所在全血细胞计数即时诊断领域取得进展
全血细胞计数作为临床检验领域中最常用的血液检验项目之一，可实现对血液中白细胞、红细胞和血小板等细胞子类的识别与计数，在血细胞形态或浓度异常相关疾病的诊断及疗效评估中具有重要作用。基于全血细胞计数的现场诊断/即时诊断（POCT）有望超越医院和检验中心等传统医疗场所，进入家庭及采样现场，实现个体化健
中科大与微电子所联合成立微纳电子系统集成研究中心
9月18日，中国科学技术大学与中科院微电子研究所联合成立“微纳电子系统集成研究中心”揭牌。中国科大校长侯建国，该研究中心主任、微电子所所长叶甜春以及20多个国内外著名芯片代工厂、高校与IC企业的60多名高管、领导、专家、教授等出席了揭牌仪式。 在揭牌仪式上，该研究中心执行主任、中国科大“千人计
微电子所青促会举办学术交流会
10月20日，“长江学者”、“国家杰出青年科学基金”获得者、东南大学教授黄庆安应邀做客中国科学院微电子研究所“青促会创新论坛”，作了题为《互补金属氧化物半导体晶体管（CMOS）、微机电系统（MEMS）技术与产业发展》的学术报告。微电子所副所长陈大鹏研究员主持交流会，青年科研骨干、研究生共50余人
微电子所新型三氧化二铝表面钝化研究获进展
日前，中科院微电子研究所在新型Al2O3表面钝化研究上取得突出进展。 良好的表面钝化对于提升晶体硅太阳能电池的开路电压十分重要，传统晶体硅电池常用等离子体增强化学气相沉积法沉积SiNx:H薄膜，除了能够降低反射率以外，还对Si电池的表面进行了较好的钝化。然而传统SiNx:H薄膜
山东中心组织微电子所专家到济南对接RFID项目
12月4日至6日，在中国科学院山东综合技术转化中心和济南市科技局的组织下，中科院微电子所产业化处副处长王琴率领包含“千人计划”王慰研究员在内的4位专家，到济南对接RFID项目。 今年山东中心和济南市科技局共同组织了针对济南RFID产业的调研，在充分调研企业需求的基础上，山东中心联系各相关研
微电子所极低功耗系统级芯片研发取得新成果
便携式医疗电子产品主要是指植入式、口服式、穿戴式的生理参数检测和仿生系统等电子产品，系统级SoC(System on Chip)芯片作为这类产品的核心元器件，通常由信号采集、模数转换、信号处理、射频模块和电源管理等关键电路构成。SoC芯片一般使用微小型电池供电，使得产品性能和连续
微电子所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破
近日，中国科学院微电子研究所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破。微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）研究员金智带领的团队在国家和中科院科研项目的支持下，对石墨烯的材料生长、转移和石墨烯射频器件的制备进行了深入、系统的研究，制备出了具有极高振荡频率的石墨烯射频器件，取得了一系列重要成果。
微电子所在SOT型磁性存储器研究领域获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
微电子所等研究团队在器件物理研究中获进展
传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键，可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动，因此，表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态，单层二维材料（如二硫化钼和石墨烯）在边界原子的终止和重建可以产生边界态，这使二维材料产生较多独特的现象，并得
微电子所太赫兹晶体管研究取得新进展
InP基太赫兹晶体管的(a)直流与(b)高频特性 太赫兹波（T-ray，0.1–10 THz）在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景，高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日，中国科学院微电子研究所
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方
微电子所成功研发国内首款智能数字助听器SoC芯片
近日，中国科学院微电子研究所智能感知中心成功研发国内首款智能数字助听器SoC芯片。 该SoC芯片采用单芯片全集成解决方案（架构如图1所示，助听器芯片、硬件系统及样机分别如图2、图3所示），芯片集成片上电源LDO、时钟振荡器RC、低噪声模拟前端AFE、低功耗数字信号处理器DSP和高精度音频输出D
微电子所“动力电池组监控芯片”研究取得进展
日前，中科院微电子研究所专用集成电路与系统研究室（二室）在“动力电池组监控芯片”研究项目中取得突破。 当前，随着传统能源紧缺和环境污染的日益严重，节能及环境友好型的新能源产业越来越被各国所重视。在新能源开发中，大功率电池组的应用需求日趋增加。为
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFE
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R