新型低势垒接触体系研究
集成电路器件特征尺寸急剧缩小对源漏材料与衬底的接触势垒提出了新的挑战。各种新型的低势垒材料和新型硅化物制备方式不断涌现。其中具有较低金属功函数的稀土金属（如Er、Yb等）已经被证明在N型衬底硅上可以形成非常低势垒的硅化物,是目前国内外关注较多下一代硅化物的备选材料。同时,随着High-k技术以及肖特基势垒源漏MOSFET（SB-MOS）的日益实用化,锗硅器件的研究也引起了较多关注。本论文针对降低接触势垒的需求,论证了用于肖特基势垒提取的导纳谱法的可靠性;研究了使用稀土金属Yb对主流金属硅化物NiSi肖特基势垒高度调节的方法;探索了稀土金属Yb和Er与多晶锗硅固相反应的机理。本论文研究了导纳谱法在提取肖特基势垒时的稳定性和可靠性。通过数值模型模拟肖特基二极管的输出特性和导纳值,比较了电流-电压拟合以及导纳谱法提取的肖特基势垒高度的差别。通过公式推导结合实验说明,在势垒较低的时候,传统的电流-电压拟合方法失效。实验也进一步说明,导纳......阅读全文
新型低势垒接触体系研究
集成电路器件特征尺寸急剧缩小对源漏材料与衬底的接触势垒提出了新的挑战。各种新型的低势垒材料和新型硅化物制备方式不断涌现。其中具有较低金属功函数的稀土金属（如Er、Yb等）已经被证明在N型衬底硅上可以形成非常低势垒的硅化物,是目前国内外关注较多下一代硅化物的备选材料。同时,随着High-k技术以及肖特
研究揭示肖特基势垒TFT及其工作机理
广东省科学院半导体研究所新型显示团队联合华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室，基于铝自发氧化法的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管（TFT），实现肖特基氧化铟镓锌（IGZO） TFT开启电流的大幅度调控。相关研究发表于IEEE Electron Device Letters。广东省科学院半导体研究所
重庆研究院在势垒可光调谐的新型肖特基红外探测器研究中获进展
近日，中国科学院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心在《创新》（The Innovation）上发表了题为Schottky Infrared Detectors with Optically Tunable Barriers Beyond the Internal Photoemissi
宽量子阱双势垒磁性隧道结中长程相位相干性研究获进展
双势垒磁性隧道结利用在两个平行绝缘层之间的超薄磁性金属层形成二维量子阱(QW)，并通过调节金属层厚度和磁矩方向来控制量子阱共振隧穿，是研究自旋相关的量子阱态、量子阱分立能级、量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)等自旋量子效应及自旋量子调控的标准结构，也是研发各种基于量子阱共振隧穿磁电阻效应的新型
体系化发展－新型建筑产品吹来低碳风
随着近几年市场提倡绿色建筑的需求日益增加，政府制定的相关政策频频出台，通过各种建筑节能及材料的大型展会，我们可以清晰的看到，目前国内绿色建材、建筑新能源、室内供暖系统、木制品、集成住宅、别墅配套设施等方面的新成果、新技术。从中反映出的房地产建筑发展趋势也格外受到关注，目前，绿色节能环保的新型建
肖特基势垒二极管的结电容的改变频率是什么
对于pn结二极管和肖特基二极管，由于存在势垒电容，所以随着频率的增高，其阻抗下降；当阻抗的大小降低到不能吸收或只能吸收很少的能量时，该二极管即达到了最高的工作频率——截止频率。作为确定截止频率的标准，可以采用二极管串联电阻所消耗的能量来比较，即当“二极管高频阻抗的大小=串联电阻”时，对应的频率
重大科学研究计划启动低维体系量子输运研究
4月3日，量子调控研究重大科学研究计划“新型低维体系量子输运和拓扑态的研究”项目工作部署会在北京召开。项目将系统研究新型低维体系，如石墨烯及类石墨烯、拓扑绝缘体、新型异质结界面等体系中的量子输运和拓扑态，并利用界面设计、应变、电、磁、光等多种手段对量子输运和拓扑态实现调控，力争在新型低维体系量子
中国科大非晶固体负载不稳定性研究取得进展
中国科学技术大学物理学院教授徐宁、美国宾夕法尼亚大学教授Andrea J. Liu与美国芝加哥大学教授Sidney R. Nagel合作，在非晶固体特别是Jammed固体和玻璃态的振动特性研究中取得一系列研究成果。最近，在非晶固体负载不稳定性的研究中也取得进展，11月20日相关研究成果在线发表在
高性能低维柔性电子集成方向获得新进展
近日，北京大学深圳研究生院信息工程学院教授张盛东团队在《先进材料》发表最新研究。研究人员创新性地引入非共价氢键相互作用来克服固有范德华间隙导致的高接触电阻，为实现超越范德华接触限制的高性能、低功耗柔性电子器件提供了一种可扩展的解决方案。实现低接触电阻是开发高性能电子器件的基本前提，但在低维半导体领域
中国科大非晶固体负载不稳定性研究取得进展
中国科学技术大学物理学院教授徐宁、美国宾夕法尼亚大学教授Andrea J. Liu与美国芝加哥大学教授Sidney R. Nagel合作，在非晶固体特别是Jammed固体和玻璃态的振动特性研究中取得一系列研究成果。最近，在非晶固体负载不稳定性的研究中也取得进展，11月20日相关研究成果在线发表在
肖特基二极管的结构
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又
肖特基二极管的原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩
兰州化物所提出实现超低摩擦新策略
摩擦是生活中常见的物理现象，源于滑动界面上离散原子间的相互阻碍作用，其能量耗散模式取决于滑移能垒与自身力学性能的竞争。界面阻力极低的状态称为超低摩擦，是摩擦学中的重要课题之一。目前，学术界主要通过结构润滑和连续滑动两种方式来实现超低摩擦。结构润滑通过构建非公度界面结构，有效地降低滑动能垒实现低摩
研究开发出新型醚类电解液体系
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/516692.shtm
王中林小组制备出高性能传感器
相关论文发表于《应用物理快报》和《先进材料》 美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)王中林教授领导的研究小组最近利用肖特基特性制备出高性能传感器——紫外光传感器和生物传感器。与传统的基于欧姆接触的传感器相比，这些传感器不仅把灵敏度提高了几个数量级，
肖特基二极管（sbd）基本原理及特性
肖特基二极管形成肖特基（SBD）二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不
美科学家发明新同质外延自旋电子石墨烯隧道装置
美国海军研究实验室（NRL）的科学家们已经发明出一种新型室温条件下电子隧道装置，这种装置包括的隧道势垒和传输信道都是由石墨烯构成的。这种功能化的同质外延装置为自旋电子学石墨烯器件的实现提供了一个简练的方法。其研究结果发表在杂志ACS纳米研究报告。 海军实验研究所表明氢化石墨烯是以氢原子结束的
TENG调节肖特基/欧姆接触可逆转变用于高灵敏传感器
随着人们对微型化器件的需求日益增长，基于纳米材料的功能性器件受到了广泛关注。一维半导体微纳米线场效应晶体管在各式高灵敏度传感系统中具有广泛应用。基于半导体纳米线的传感器性能受电极/半导体接触状态的影响很大，金属电极与半导体纳米线接触形式主要有两种：欧姆接触与肖特基接触。在过去的研究中，人们常使用
计算方法证实“超硬石墨”碳结构
美国纽约州立大学石溪分校(SBU)的Artem R. Oganov 教授采用先进计算方法证实了此前预测的超硬“M-碳”结构及其性质，并与实验结果完美吻合。 1963 年，Aust 和Drickamer 等人在常压下压缩石墨得到了一种新型碳结构，其具有透明、超高硬度等类似金刚石的特点
新型能源体系建设提速
东北广袤草原，国内在运最大陆上风电基地全容量投产发电；西南长江干流，6座梯级水电站组成的世界最大清洁能源走廊全力顶峰保供；东南蔚蓝大海，全球首台超大容量16兆瓦海上风机并网发电……2023年，我国推动能源安全新战略走深走实，全力保障能源安全稳定供应，加快推进能源绿色低碳转型，为全面推进中国式现代
J.－Am.－Chem.－Soc：飞秒瞬态吸收光谱在多电荷转移中的应用
近日，中国科学院大连化学物理研究所光电材料动力学创新特区研究组研究员吴凯丰团队采用三脉冲飞秒瞬态吸收光谱，以量子限域的纳米棒-金属异质结作为模型体系，揭示了纳米尺度多电荷转移中的库仑势垒和效率瓶颈。 多电荷转移过程在自然光合作用和人工光催化体系普遍存在。由于材料的光吸收截面和激发光源的光子通量
合肥研究院研究发现具有内部输运垒的离轴锯齿
近日，中国科学院合肥物质科学研究院等离子体物理研究所EAST团队科研人员在离轴锯齿振荡期间观察到了内部输运垒的形成过程。相关研究成果发表于Nuclear Fusion。 在磁约束聚变实验装置中，内部输运垒和反磁剪切位形是获取高约束模等离子体的重要保障。EAST团队在探索反磁剪切位形的等离子体放
什么二极管可以代替肖基特二极管
一、在满足耐压，整流电流，没有特殊要求情况下可以使肖特基二极管与快速恢复二极管互换。 二、肖特基二极管的简单介绍： 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电
曹垒团队研究显示：归雁栖湿地－奈何怯农田
近日，中国科学院生态环境研究中心一项对野生雁类的高科技追踪结果表明，不同于北美、欧洲及邻近的日本和韩国，中国的雁类不愿意从它们世代栖息的湿地迁移到农田中觅食。 曹垒研究团队通过在5个物种67只雁身上放置最新的高科技追踪设备，证实了这些鸟类仍忠于其世代相传的栖息地。它们日夜都待在长江泛洪平原的湿
哈工大学子获首届中国材料研究学会优秀博士论文奖
日前，在首届中国材料研究学会材料学科优秀博士论文颁奖典礼上，哈尔滨工业大学材料学院甄良教授指导的2016届博士毕业生李洋撰写的题为《MoS2、WSe2二维材料及相关异质结的电学与光学性质》博士学位论文成为10篇入选论文之一。 该论文从二维材料与金属的电接触行为出发，研究了MoS2纳米片功函数随
苏州纳米所新型纳米载药体系研究取得系列进展
纳米药物递送体系是指通过物理或化学方式将药物分子装载在纳米材料载体上，形成药物-载体的复合体系。它的主要优点包括：（1）能够显著提高靶区的药物浓度，从而改善药物的利用率和治疗效果，并降低药物的不良反应；（2）提高难溶性药物在水溶液中的溶解性；（3）将药物分子靶向递送至特
水合氢离子的结构
水合质子的结构问题一直是分析界的一大难题，质子在水中的状态，并不是一般认为是H3O+的结构或者H5O2+的结构，X射线衍射结果表明，存在的氢键并不是传统意义上的O——H···O，而是O···H···O，后者拥有更短的O···O间距和更低的势垒，使得质子可以轻易的在两侧势井中移动，中间势垒低，加上质子
水合质子的结构研究
水合质子的结构问题一直是分析界的一大难题，质子在水中的状态，并不是一般认为是H3O+的结构或者H5O2+的结构，X射线衍射结果表明，存在的氢键并不是传统意义上的O——H···O，而是O···H···O，后者拥有更短的O···O间距和更低的势垒，使得质子可以轻易的在两侧势井中移动，中间势垒低，加上质子
首次实现磁性隧道结双金属量子阱层中的共振隧穿
磁性隧道结中的量子阱共振隧穿效应由于其重要的科学与应用价值而被广泛关注和研究。在半导体领域，多量子阱之间的共振隧穿已经被证实和应用，例如共振隧穿二极管、多量子阱的发光二极管等。然而，目前为止还没有在金属结构中实现多量子阱的共振隧穿。在金属量子阱层中由于各种退相干因素使得电子很难保持相干性，从而使
科研人员发展冷冻抑制新策略
近日，中科院大连化学物理研究所研究员杨维慎和副研究员朱凯月团队在电催化析氧反应方面取得重要进展。团队发展了一种冷冻抑制新策略，解决了碳修饰过程中钙钛矿结构易破坏问题，首次实现在钙钛矿表面同时脱溶出合金纳米粒子和均匀包覆碳层。该催化剂用于碱性体系催化析氧反应（OER），并表现出显著增强的活性和长期