研究揭示肖特基势垒TFT及其工作机理
广东省科学院半导体研究所新型显示团队联合华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室，基于铝自发氧化法的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管（TFT），实现肖特基氧化铟镓锌（IGZO） TFT开启电流的大幅度调控。相关研究发表于IEEE Electron Device Letters。广东省科学院半导体研究所为该论文第一完成单位。 以IGZO为代表的TFT，具有较高的场效应迁移率、良好的电学稳定性和可大面积均匀制备等特点，在平板显示器领域已实现商业化应用。便携式平板显示设备由于采用移动电源对屏幕的功耗有较高要求，目前通过降低TFT背板的功耗来延长便携式平板显示设备的续航时间是有效的解决方案之一。 与普通IGZO TFT相比，肖特基IGZO TFT具有低饱和电压，高本征增益，良好的环境稳定性，显著减弱的短沟道效应以及能够实现低功耗等特征优势，近年来得到广泛研究和关注。为实现源漏电极与IGZO沟道层间形成肖特基接触，过往研究一般是对电......阅读全文
研究揭示肖特基势垒TFT及其工作机理
广东省科学院半导体研究所新型显示团队联合华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室，基于铝自发氧化法的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管（TFT），实现肖特基氧化铟镓锌（IGZO） TFT开启电流的大幅度调控。相关研究发表于IEEE Electron Device Letters。广东省科学院半导体研究所
新型低势垒接触体系研究
集成电路器件特征尺寸急剧缩小对源漏材料与衬底的接触势垒提出了新的挑战。各种新型的低势垒材料和新型硅化物制备方式不断涌现。其中具有较低金属功函数的稀土金属（如Er、Yb等）已经被证明在N型衬底硅上可以形成非常低势垒的硅化物,是目前国内外关注较多下一代硅化物的备选材料。同时,随着High-k技术以及肖特
肖特基势垒二极管的结电容的改变频率是什么
对于pn结二极管和肖特基二极管，由于存在势垒电容，所以随着频率的增高，其阻抗下降；当阻抗的大小降低到不能吸收或只能吸收很少的能量时，该二极管即达到了最高的工作频率——截止频率。作为确定截止频率的标准，可以采用二极管串联电阻所消耗的能量来比较，即当“二极管高频阻抗的大小=串联电阻”时，对应的频率
重庆研究院在势垒可光调谐的新型肖特基红外探测器研究中获进展
近日，中国科学院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心在《创新》（The Innovation）上发表了题为Schottky Infrared Detectors with Optically Tunable Barriers Beyond the Internal Photoemissi
肖特基二极管的原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩
硅化铂探测器简介
硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 简介 硅化铂探测器是指利用铂硅肖特基势垒和内光电效应将入射的红外辐射转变成电信号的器件。又称硅化铂肖特基势垒探测器。 用途 主要用于中、短波红外辐射的探测。 构造 它的构造
TENG调节肖特基/欧姆接触可逆转变用于高灵敏传感器
随着人们对微型化器件的需求日益增长，基于纳米材料的功能性器件受到了广泛关注。一维半导体微纳米线场效应晶体管在各式高灵敏度传感系统中具有广泛应用。基于半导体纳米线的传感器性能受电极/半导体接触状态的影响很大，金属电极与半导体纳米线接触形式主要有两种：欧姆接触与肖特基接触。在过去的研究中，人们常使用
合肥研究院在光电晶体管的光调控方面取得进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所纳米材料与纳米结构研究室研究员费广涛课题组与中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心博士张尧合作，在光电晶体管的光调控方面取得进展。研究发现，Ag/TiO2复合薄膜在外加两束光照射后，具有类似于三极管的特性，可以实现对光电信号的增强、开关和调
肖特基二极管（sbd）基本原理及特性
肖特基二极管形成肖特基（SBD）二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不
什么二极管可以代替肖基特二极管
一、在满足耐压，整流电流，没有特殊要求情况下可以使肖特基二极管与快速恢复二极管互换。 二、肖特基二极管的简单介绍： 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电
上海硅酸盐所ZnO导电陶瓷研究获进展
最近，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员李国荣科研团队在ZnO导电陶瓷研究中取得新进展。该团队通过晶粒及晶界缺陷设计的方法，成功消除了ZnO晶界处的肖特基势垒，制备出高导电的ZnO陶瓷，其室温下的电导率高达1.9×105 Sm-1；同时缺陷设计也降低了材料的晶格热导率，使该陶瓷呈现良好的高温热电性
分析肖特基二极管的优势与结构应用
一、肖特基二极管具有的优势 肖特基二极管MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用，并能最大程度降低开关损耗。肖特基二极管与普通的PN结二极管不同。是使用N型半导体材料与金属在一起结合形成金属一半导体结。肖特基二极管比普通二极管有正向压降低、反向电荷恢复时间短（10ns
肖特基二极管的作用是什么呢？
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管，是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管。与普通二极管（多指用PN结形成的硅二极管）相比最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降更低，仅0.4V左右。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流较大。其多用作高
肖特基二极管和整流二极管区别在哪里
肖特基（Schottky）二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号
王中林小组制备出高性能传感器
相关论文发表于《应用物理快报》和《先进材料》 美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)王中林教授领导的研究小组最近利用肖特基特性制备出高性能传感器——紫外光传感器和生物传感器。与传统的基于欧姆接触的传感器相比，这些传感器不仅把灵敏度提高了几个数量级，
光解水制氢的复合催化剂设计取得新进展
中国科技大学化学与材料科学学院、合肥微尺度物质科学国家实验室熊宇杰课题组，通过与罗毅研究团队的江俊和张群在材料设计与合成、理论模拟和先进表征中的 “三位一体化”合作，在光解水制氢方面取得重要进展。研究人员通过设计半导体-金属复合结构中的半导体表面晶面，首次实现了半导体的内禀性电荷空间分布和半
电容电压特性测试仪原理介绍
电容电压（C-V）特性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器。专用于测量半导体器件PN结势垒在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。 仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分辨到0.001pF，偏置电压分辨率为0.01V，漏电流小分辨率为0.01μA或0.1μA（可选）。
肖基特二极管和开关二极管的区别
1:开关二极管是利用二极管的单向导电性，在半导体PN结加上正向偏压后，在导通状态下，电阻很小（几十到几百欧）；加上反向偏压后截止，其电阻很大（硅管在100MΩ以上）。利用开关二极管的这一特性，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速
肖特基二极管常见型号参数及作用区别
一、肖特基二极管特性1、肖特基（Schottky）二极管的正向压降比快恢复二极管正向压降低很多，所以自身功耗较小，效率高。2、由于反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。3、能耐受高浪涌电流。4、目前市场上常见的肖特基管最高结温分100℃、125℃、150％、175℃几种(结温越高表示产品抗
中国科大设计出新型光解水制氢复合催化剂
近日，中国科学技术大学熊宇杰教授课题组，通过与罗毅研究团队的江俊教授和张群副教授在材料设计与合成、理论模拟和先进表征中的“三位一体化”合作，在光解水制氢方面取得新进展。研究人员通过设计半导体-金属复合结构中的半导体表面晶面，首次实现了半导体的内禀性电荷空间分布和半导体-金属间肖特基势垒驱动的电荷
高性能低维柔性电子集成方向获得新进展
近日，北京大学深圳研究生院信息工程学院教授张盛东团队在《先进材料》发表最新研究。研究人员创新性地引入非共价氢键相互作用来克服固有范德华间隙导致的高接触电阻，为实现超越范德华接触限制的高性能、低功耗柔性电子器件提供了一种可扩展的解决方案。实现低接触电阻是开发高性能电子器件的基本前提，但在低维半导体领域
肖特基二极管的的优缺点
优点 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的
宽量子阱双势垒磁性隧道结中长程相位相干性研究获进展
双势垒磁性隧道结利用在两个平行绝缘层之间的超薄磁性金属层形成二维量子阱(QW)，并通过调节金属层厚度和磁矩方向来控制量子阱共振隧穿，是研究自旋相关的量子阱态、量子阱分立能级、量子阱共振隧穿磁电阻(QW-TMR)等自旋量子效应及自旋量子调控的标准结构，也是研发各种基于量子阱共振隧穿磁电阻效应的新型
电容电压特性测试仪的工作原理您知道吗？
电容电压特性测试仪 型号：HAD-CV300 1．HAD-CV300引言 HAD-CV300型电容电压（C-V）特性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器。专用于测量半导体器件PN结势垒在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。 仪器有较高的分辨率，电容量
电容电压特性测试仪的工作原理您知道吗？
电容电压特性测试仪 型号：HAD-CV300 1．HAD-CV300引言 HAD-CV300型电容电压（C-V）特性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器。专用于测量半导体器件PN结势垒在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。 仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分
肖特基二极管的结构
新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为硅（Si）或砷化镓（GaAs）。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又
中国科大在复合结构催化剂设计研究领域取得进展
中国科学技术大学教授熊宇杰课题组通过与武晓君教授和罗毅研究团队的张群副教授在材料设计与合成、理论模拟和先进表征中的“三位一体化”合作，再次取得新进展。研究人员设计出电荷密度可调控的半导体-金属复合结构，并揭示了该体系在氧分子活化中电荷转移的竞争行为和机制，进而获得了性能显著改善的有机氧化反应催化
化合物半导体材料的材料优势
化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。以GaAs为例，通过比较可得：1.化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度，因此，可以做到更高的工作频率和更快的工作速度。2.肖特基势垒特性优越，容易实现良好的栅控特性的MES结构。3.本征电阻率高，为半绝缘衬底。电路工艺中便
化合物半导体集成电路的主要特征
化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。以GaAs为例，通过比较可得：1.化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度，因此，可以做到更高的工作频率和更快的工作速度。2.肖特基势垒特性优越，容易实现良好的栅控特性的MES结构。3.本征电阻率高，为半绝缘衬底。电路工艺中便
摩尔定律难以为继？新型二维材料有话说
近年来，半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明，新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后，这次发表在《纳米通讯》上的研究，通过