N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响

用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小,而光学带隙先增大后减小;当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明:较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。 ......阅读全文

室温下PdSi纳米颗粒的类液体行为

  作为目前已经被大量市场化的应用材料,低维材料表现出各种优异性能,在半导体、光学、医药、能源、信息技术等领域及人们日常生活用品中都扮演着重要的角色。同时凝聚态物理诸多前沿问题也都与低维材料及其制备工艺息息相关。然而,目前对于低维非晶材料的研究及相关报道还很少。2007年,Ediger利用薄膜沉积技

化学所在石墨烯可控制备和性能研究方面取得系列进展

  在中国科学院、科技部、国家自然科学基金委的大力支持下,化学研究所有机固体院重点实验室相关研究人员在石墨烯的可控制备和性能研究方面取得系列进展,相关结果发表在PNAS、JACS (2篇)、Adv. Mater.(3篇),并应邀在Acc. Chem. Res.杂志上发表了述评。  石

拉曼光谱仪氧化亚铜纳米线的拉曼光谱研究

介绍     氧化亚铜为一价铜的氧化物,是鲜红色粉末状固体,几乎不溶于水,在酸性溶液中化为二价铜。它是一种重要的P型半导体材料,禁带宽度仅为2.1eV,光电转换效率可达到18%。1998年氧化亚铜被发现可作为催化剂在阳光下将水分解成氢气和氧气,证明是一种极具前景的光催化氧化材料。现今,随着纳

拉曼光谱仪氧化亚铜纳米线的拉曼光谱研究

氧化亚铜为一价铜的氧化物,是鲜红色粉末状固体,几乎不溶于水,在酸性溶液中化为二价铜。它是一种重要的P型半导体材料,禁带宽度仅为2.1eV,光电转换效率可达到18%。1998年氧化亚铜被发现可作为催化剂在阳光下将水分解成氢气和氧气,证明是一种极具前景的光催化氧化材料。现今,随着纳米材料的发展,不仅已经

宁波材料所在离子电输运行为研究方面取得进展

  纳米离子学是指研究固体中在纳米尺度内离子迁移的现象,以及与之相关的性质、效应、机制和应用的一门新型学科,锂离子电池、燃料电池、超级电容器以及离子型阻变存储器(ionic memory)等都与纳米离子学密切相关。目前人们对纳米离子学的关注热点主要集中在氧化物材料、离子导体以及材料界

TOKO压力传感器芯体材质都有哪些?

  目前,TOKO压力传感器芯体材质品种繁多,下面简单介绍下几种芯体材质的性能  一、单晶硅  硅在集成电路和微电子器件生产中有着广泛的应用,主要是利用硅的电学特性;在MEMS微机械结构中,则是利用其机械特性,继而产生新一代的硅机电器件和装置。硅材料储量丰富,成本低。硅晶体生长容易,并存在超纯无杂的

光学薄膜的应用特点

光学薄膜的特点是:表面光滑,膜层之间的界面呈几何分割;膜层的折射率在界面上可以发生跃变,但在膜层内是连续的;可以是透明介质,也可以是吸收介质;可以是法向均匀的,也可以是法向不均匀的。实际应用的薄膜要比理想薄膜复杂得多。这是因为:制备时,薄膜的光学性质和物理性质偏离大块材料,其表面和界面是粗糙的,从而

光学薄膜缺陷的特点

光学薄膜缺陷的特点  薄膜缺陷的研究大约从1970开始,刚开始薄膜缺陷被表征为薄膜表面特征,认为是一种典型的粗糙度,在一些文献中薄膜缺陷被描述为节瘤。 Guenther首先对光学薄膜缺陷进行研究,他指出节瘤是在镀膜过程中对外部干扰颗粒形状相似复制而形成的;现在薄膜缺陷越来越引起人们的重视,很多文献建

高压碳化硅解决方案:改善4HSiC晶圆表面的缺陷问题1

  碳化硅(SiC)在大功率、高温、高频等极端条件应用领域具有很好的前景。但尽管商用4H-SiC单晶圆片的结晶完整性最近几年显着改进,这些晶圆的缺陷密度依然居高不下。经研究证实,晶圆衬底的表面处理时间越长,则表面缺陷率也会跟着增加。  碳化硅(SiC)兼有宽能带隙、高电击穿场强、高热导率、高

晶相高聚物和非晶相高聚物的相关介绍

  高聚物的性能不仅与高分子的相对分子质量和分子结构从结晶状态来看,线型结构的高聚物有晶相的和非晶相的。晶相高聚物由于其内部分子排列很有规律,分子间的作用力较大,故其耐热性和机械强度都比非晶相的高,熔限较窄。非晶相高聚物没有一定的熔点,耐热性能和机械强度都比晶相的低,由于高分子的分子链很长,要使分子

宁波材料所等改善非掺杂异质结型晶硅太阳电池界面性能

  随着低碳能源成为世界发展的大趋势,为减缓温室效应,未来15年预计将需要多达10TW的太阳能电力,为当前光伏装机量的约50倍。为了探索经济和环境可持续的方式满足上述巨量需求,光伏科学界与工业界近年来致力于低成本器件制造工艺、高转换效率太阳电池技术的研发。硅基杂化异质结太阳电池主要由单晶硅吸收层和载

非晶合金形成和形变机理与微观原子结构关系研究获进展

  非晶合金材料具有优异的力学、物理和化学性能,以及良好的应用前景。因此,非晶合金的形成、结构和性能的研究受到广泛的关注和重视。其中,非晶合金的形成机理和塑性变形机理是非晶态物理和材料领域的两个核心科学问题。非晶合金的形成机理对合金体系非晶形成能力的研究,对探索新型非晶合金材料,以及

Labthink-C610M-薄膜电子拉力试验机

专业适用于塑料薄膜、复合材料、软质包装材料、塑料软管、胶粘剂、胶粘带、不干胶、医用贴剂、医疗器械、离型纸、保护膜、组合盖、金属箔、隔膜、背板材料、无纺布、橡胶、纸张等产品的拉伸、剥离、变形、撕裂、热封、粘合、穿刺力、开启力、低速解卷力、拔开力等性能测试。产品特点:1、十大程序,满足多样化需求:仪器集

超平整石墨烯晶圆转移与集成光电器件

  石墨烯等二维材料的载流子迁移率高、光-物质相互作用强、物性调控能力优,在高带宽光电子器件领域具有重要的科学价值和广阔的应用前景。当前,发展与主流半导体硅工艺兼容的二维材料集成技术受到业内广泛关注,其中首要的挑战是将二维材料从其生长基底高效转移到目标晶圆衬底上。然而,传统的高分子辅助转移技术通常会

NIMS研发纳米多孔非晶硅薄膜阳极解决电池容量衰减问题

  据外媒报道,日本国立材料科学研究所(National Institute for Materials Science,NIMS)的研究人员宣称,纳米多孔非晶硅薄膜(nanoporous, amorphous silicon film)阳极展现了出色的循环稳定性,其锂离子存储容量极高:在充放电10

锂电池材料聚吡咯的简介

  纯吡咯单体常温下呈现无色油状液体,是一种C,N五元杂环分子,沸点是129.8℃,密度是0.97g/cm,微溶于水,无毒。  性质:研究和使用较多的一种杂环共轭型导电高分子,通常为无定型黑色固体,以吡咯为单体,经过电化学氧化聚合制成导电性薄膜,氧化剂通常为三氯化铁、过硫酸铵等。或者用化学聚合方法合

光学显微镜与非光学显微镜的定义区别?

光学显微镜与非光学显微镜的定义区别是光学显微镜一般由载物台、聚光照明系统、物镜,目镜和调焦机构组成。载物台用于承放被观察的物体。利用调焦旋钮可以驱动调焦机构,使载物台作粗调和微调的升降运动,使被观察物体调焦清晰成象。它的上层可以在水平面内沿作精密移动和转动,一般都把被观察的部位调放到视场中心。电子显

电子干扰对电子台秤称重的的影响

电子台秤是使用量较大,使用场合较多的电子秤,一般如今的工业电子秤产品质量以及准度已经非常不错了,对于电子台秤,工作流程就是将所需称重产品放置秤体上,通过称重传感器将称重电磁信号传递到显示器上,最终由称重显示器将数据显示。 很多时候我们在称重时,会发生一些跳数或者数据不稳定的现象,尤其是在一些布满众多

遗传与非遗传因素对维生素D人群干预的影响

  10月21日,《临床内分泌与代谢杂志》(The Journal of Clinical Endocrinology & Metabolism)在线发表了中国科学院上海生命科学研究院营养科学研究所林旭研究组在遗传与非遗传因素对维生素D人群干预影响方面的研究进展。  维生素D缺乏(25-hydrox

物理所FeSe超导薄膜研究获新成果

  孪晶界作为一种晶体缺陷,对超导材料的性质以及技术应用如超导转变宽度和临界电流等有着重要的影响。在很多传统超导体中,孪晶界附近的超导转变温度会略有提高。由于较短的相干长度和较强的各向异性使得缺陷对高温超导体的超导性质的影响很大,如YBCO的孪晶界能够钉扎磁通,由此使临界电流提高。对铁基超导材料而言

晶圆制备——如何从沙子到wafer?(一)

  我们所讲的半导体制造,它的载体一定是晶圆(Wafer),这个东西是怎么来的?我们今天就来好好讲讲。  前面讲N-Si和P-Si掺杂的时候讲过了,我们的Si一定都是单晶晶格的,而掺杂的原子必须跑到它的晶格上与Si形成共用电子对的共价键后多出电子或空穴而参与导电,如果我们用了多晶或者非晶,这

研究揭示衬底台阶/截止层对薄膜物性的影响

  复杂氧化物异质结构因丰富的物理现象而受到关注。然而,在氧化物异质结的设计中存在一个局限:当厚度减小到一定程度时,薄膜会表现出与其对应块体性质截然不同的“死层”现象。作为典型的例子,4d过渡金属氧化物SrRuO3(SRO)的块体具备铁磁金属基态,居里转变温度约160K。但在SrTiO3(STO)等

光学薄膜概论

光学薄膜概论光学工业除了镜片的研磨,系统之设计以外,有一项科技是发展高级光学仪器所不可缺的,就是光学薄膜的蒸镀技术。何谓光学薄膜,就是在镜片上镶上一层或多层非常薄的特殊材料,使镜片能达到某种特定的光学效果。我们所常见的太阳眼镜,抗反射镜片就是一个光学薄膜在日常生活上zui简单的应用 。其他如各种反射

机械接触式与非接触式薄膜测厚仪的区别

  机械接触式薄膜测厚仪,顾名思义,其测量方式为机械接触式测量方法,市场上有面接触式和点接触式两种测厚仪器。一般适用于测量材料的整体厚度。机械接触式测厚仪的测试原理为:将预先处理好的薄型试样的一面置于下测量面上,与下测量面平行且中心对齐的上测量面,以一定的压力,落到薄型试样的另一面上,同测量头一体的

《自然》最新成果突破领域二十年研究瓶颈

近日,电子科技大学研究团队首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件,突破该领域二十余年的研究瓶颈,进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成,在线发表于《自然》。相比于多晶半导体,非晶体系具有诸多优势,如低成本、

《自然》最新成果突破领域二十年研究瓶颈

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大麻对大脑结构的长期影响

  一项研究提出,长期使用大麻对大脑结构的影响可能取决于首次使用的年龄以及使用的时间跨度。Francesca M. Filbey及其同事研究了大脑结构与连通性的改变,考虑到了诸如性别、年龄、民族、首次使用大麻的年龄,以及使用的时间跨度等可能的偏差。这组作者研究了48名成年大麻使用者与62名性别和年龄

非晶半导体的产品分类

非晶半导体可按H.Fritzsche将非晶半导体分为三大类:1、共价非晶固体(1)四配位非晶薄膜Si,Ge,SiC,InSb,GaAs,GaSb…(2)四配位玻璃CdGen,As2,CdSixP2,ZnSixP2,CdSnxAs2…(3)孤对半导体a、元素和化合物:Se,S,Te,As2Se3,As

非晶半导体的产品特点

广义而言,凡不具有长程序的物质统称为非晶体,有时也称为无定形(Amorphous)。至今国际上对非晶态物质尚无统一的定义和提法,一般认为与其说“非晶态物质是什么什么”,不如说“非晶态物质不是什么什么”。因为非晶态中的无序不是单纯的混乱,而是残缺不全的秩序,即非晶态物质中还存在着某种程序的有序性,这就

宁波材料所近红外热活化延迟荧光材料与器件研究获进展

  近红外有机发光二极管(NIR-OLEDs)在生物成像、防伪、传感器、远程医疗、显微摄影、夜视显示等方面颇具实际应用价值,已成为有机电致发光器件的重要发展方向之一,而热活化延迟荧光(TADF)材料可以实现100%激子利用率,其量子效率可媲美基于贵重金属的磷光材料,具有应用潜力。受能隙定律的影响,近