宁波材料所等改善非掺杂异质结型晶硅太阳电池界面性能
随着低碳能源成为世界发展的大趋势，为减缓温室效应，未来15年预计将需要多达10TW的太阳能电力，为当前光伏装机量的约50倍。为了探索经济和环境可持续的方式满足上述巨量需求，光伏科学界与工业界近年来致力于低成本器件制造工艺、高转换效率太阳电池技术的研发。硅基杂化异质结太阳电池主要由单晶硅吸收层和载流子选择性功能层（如氧化钼、PEDOT:PSS、碳纳米管薄膜、石墨烯等）组成，通过异质界面能带设计来实现光生载流子的分离。不同于传统高温扩散pn结型晶硅太阳电池，杂化异质结电池不但可以有效降低掺杂引起的相关光/电损失，从而获得高开路电压以及高转换效率，也可以实现无掺杂、非真空以及低温可溶液加工，具有大幅降低制造成本的潜力，被认为是具有较大研究价值的下一代光伏技术之一。 在杂化异质结太阳电池研究发展中，效率和稳定性一直是其向商业化应用发展的限制因素。异质界面的物化接触性能在较大程度上影响着器件的光电转换效率。光照、高温、湿度等因素是影......阅读全文
利用光注入提升硅异质结太阳电池光电转换效率物理机制
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结（SHJ）太阳电池的掺杂非晶硅（a-Si:H）薄膜中发现反常Staebler-Wronski效应，并证明该反常效应是利用光注入提升SHJ太阳电池光电转换效率的物理本质。5月13日，相关研究成果
南开团队研获高效“低铟无银”硅异质结太阳电池
近日，南开大学研究团队在太阳能光伏发电领域取得最新研究成果，成功实现“低铟无银”，在节约制造成本的基础上，让硅异质结（SHJ）太阳电池转换效率接近26%，这是目前已发表的“低铟”SHJ太阳电池研究中的最高效率。相关成果已发表在《自然—能源》。 据了解，晶硅太阳电池在光伏市场中占据了95%以上的
宁波材料所等改善非掺杂异质结型晶硅太阳电池界面性能
随着低碳能源成为世界发展的大趋势，为减缓温室效应，未来15年预计将需要多达10TW的太阳能电力，为当前光伏装机量的约50倍。为了探索经济和环境可持续的方式满足上述巨量需求，光伏科学界与工业界近年来致力于低成本器件制造工艺、高转换效率太阳电池技术的研发。硅基杂化异质结太阳电池主要由单晶硅吸收层和载
异质结太阳电池生产线开建
日前，国内首条高效异质结太阳电池生产线在湖北恩施自治州建始县开工建设。该项目是国家科技部、工信部重点支持的产业化项目，其产品将是国内转换效率最高的太阳电池，这一项目的实施也打破了日本在这一领域的技术垄断。 据介绍，由湖北永恒太阳能科技股份公司和上海中智光纤通讯有限公司投资建设的高效异质结太阳
高效率钙钛矿/硅异质结叠层太阳电池研究方面取得进展
太阳能光伏发电是清洁可再生能源技术。近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室研究员刘正新团队联合电子科大教授刘明侦团队，开发了转换效率接近29%的钙钛矿/硅异质结SHJ叠层太阳电池，成为迄今为止基于产业化全绒面SHJ太阳电池的最高效率。相关研究成果以Fully Textured
异型异质结单异质结激光器的结构特点
特点：P-N结区较大，且电子或空穴向结区外扩散严重，使形成粒子数反转较难，要求泵浦电流较大，且只能以脉冲方式工作。是早期的半导体激光器，目前已不采用此类结构。
什么是同质结与异质结
1、同质结就是同一种半导体形成的结，包括pn结、pp结、nn结。2、异质结是一种特殊的PN结，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座上形成，这些材料具有不同的能带隙，它们可以是砷化镓之类的化合物，也可以是硅-锗之类的半导体合金。半导体异质结构的二极管特性非常接近理想二极管。另外，通过调节半
什么是半导体异质结
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
什么是半导体异质结
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
同型异质结的结构特点
特点：（1）同质PN结两边具有相同的带隙结构和相同的光学性能。（2）PN结区完全由载流子的扩散形成。
中科院实现硅基异质集成的片上量子点发光
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅光课题组研究员武爱民团队/龚谦团队与浙江大学副教授金毅课题组合作，在硅基衬底上研制出超小尺寸的包含InAs量子点的纳米共振结构，基于准BIC原理实现了O波段的片上发光。7月28日，相关研究成果以Heterogeneously integrated quan
光伏驶入“异质结”新赛道
提升电池转化效率、降低发电成本一直是光伏企业的必修课题。不久前，爱康科技长兴基地第一片异质结电池试样生产正式下线，电池片转换效率达到了24.59%，高于目前光伏主流技术产品PERC（发射极和背面钝化电池）的近2%。 异质结电池全称为晶体硅异质结太阳电池，由于其在晶体硅上沉积了非晶硅薄膜，因此具备
新型高功函数异质结X射线硅漂移探测器研究获进展
近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员贾锐团队，在中国工程院院士欧阳晓平指导下，创新性地将高功函数钝化接触异质结技术应用到硅漂移探测器（SDD）中，成功研制出新型SDD核心元器件。目前，该团队在硅异质结漂移探测器的器件设计、工作机理和工艺制备等方面形成了核心竞争力，并具有完全自主知识产权
金属氧化物/晶体硅异质结太阳能电池研究获进展
太阳能光伏发电是推动“碳达峰，碳中和”的重要力量。以非晶硅和晶体硅（a-Si:H/c-Si）构建的异质结（SHJ）太阳能电池近年来不断取得进展。然而，SHJ电池中的a-Si:H薄膜会带来较严重的寄生光吸收，并且设备和工艺成本较高。采用宽带隙过渡金属氧化物（TMO）替代a-Si:H在减少寄生光吸收
李静海调研物理所高效硅基太阳电池研究工作
3月14日上午，中国科学院副院长李静海在物理所调研高效硅基太阳电池研发工作。 物理所杜小龙研究员汇报了高效黑硅太阳能电池的研发进展，详细介绍了催化刻蚀法制备纳米结构获得低反射单晶硅片和多晶硅片的工艺特点以及后续有关电池制作的一系列创新工艺，分析了相关技术进行产业开发的前景
砷化镓生产方式介绍
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种
有机/无机异质结太阳能电池方面研究取得系列进展
当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面的高质量钝化，以极低的界面电学损失获得超高的开路电压（740 mV）。借鉴HIT结构，新近发展起来的单晶硅/有机
砷化镓太阳能电池性能详解
砷化镓太阳能电池 GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。 砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需
碳纳米管复合薄膜/硅异质结太阳能电池研究获进展
目前，传统硅基太阳能电池依然占据主流光伏市场，然而，限制硅基光伏产业发展的主要因素是其生产成本偏高、制备过程繁琐。所以发展高效率、低成本、大面积和适合大规模生产的太阳能电池已迫在眉睫。宏观碳纳米管薄膜具有良好的力学、电学、光学等性质，而且是柔性的。通过调节生长参数，可以获得高透光率（可达95%）
金属氧化物/晶体硅异质结太阳能电池的研究获进展
太阳能光伏发电是推动“碳达峰，碳中和”的重要力量。以非晶硅和晶体硅（a-Si:H/c-Si）构建的异质结（SHJ）太阳能电池近年来不断取得进展。然而，SHJ电池中的a-Si:H薄膜会带来较严重的寄生光吸收，并且设备和工艺成本较高。采用宽带隙过渡金属氧化物（TMO）替代a-Si:H在减少寄生光吸收
薄膜太阳能电池的分类与发展历史
薄膜太阳能电池种类 为了寻找单晶硅电池的替代品，人们除开发了多晶硅，非晶硅薄膜太阳能电池外，又不断研制其它材料的太阳能电池。其中主要包括砷化镓III-V族化合物，硫化镉，碲化镉及铜锢硒薄膜电池等。 上述电池中，尽管硫化镉薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低，并且也易于大
有机/无机异质结太阳能电池方面取得系列进展
当前硅基太阳能电池实验室效率的世界纪录（25.6%）是由日本松下公司创造的，其器件结构是基于晶体硅/非晶硅薄膜的异质结形式（HIT电池）。HIT电池中充分利用了非晶硅薄膜对单晶硅表面的高质量钝化，以极低的界面电学损失获得超高的开路电压（740 mV）。借鉴HIT结构，新近发展起来的单晶硅/有机
HIT异质结电池是什么电池？
HIT异质结电池是指采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到25%以上，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT异
HIT异质结电池的技术优点
HIT异质结电池的优点1．应用范围广泛：大量利用在太阳能板、城市公共交通、通讯设备、电力安装工程、国防科技或是在远洋航行、国内航空不同经济领域，HIT异质结电池都具有了不能缺失的重要作用。2．效率提升潜力高：HIT异质结电池采用的N型硅片具有较高的少子寿命，非晶硅钝化处理的对应结构同样也可以取得较低
合肥研究院登基于并联平板异质结策略构筑高效Sb2S3太阳电池
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员王命泰团队联合合肥工业大学副教授陈俊伟，在新型太阳电池研究方面取得重要进展。该团队提出了并联平板异质结（PPHJ）太阳电池策略，并创造了Sb2S3太阳电池光电转换效率纪录（8.32%）。 当前，太阳电池大规模应用的瓶颈在于缺乏低成本、高效且
比A4纸还薄！晶硅异质结太阳能电池成果上《自然》
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517819.shtm近日，隆基绿能与江苏科技大学、澳大利亚科廷大学三方合作，在国际上首次制备出高柔韧性、高功率重量比的晶硅异质结太阳能电池。相关研究成果发表在《自然》。 ?晶硅太阳能电池是目前
HIT电池优势和特点
HIT电池优势和特点HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势，具体特点如下：（1）低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单
HIT电池优势和特点
HIT电池优势和特点HIT电池具有发电量高、度电成本低的优势，具体特点如下：（1）低温工艺HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温（900℃）扩散工艺来获得p-n结。这种技术不仅节约了能源，而且低温环境使得a_Si：H基薄膜掺杂、禁带宽度和厚度等可以较精确控制，工艺上也易于优化器件特性；低温沉积过程中，单
异质结激光器的功能介绍
中文名称异质结激光器英文名称heterostructure laser定 义有源区为窄直接带隙半导体材料，限制层为宽带隙半导体材料所形成的三层结构二极管激光器。应用学科材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），半导体微结构材料及器件（三级学科）
异质结激光器的结构功能
中文名称异质结激光器英文名称heterostructure laser定 义有源区为窄直接带隙半导体材料，限制层为宽带隙半导体材料所形成的三层结构二极管激光器。应用学科材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），半导体微结构材料及器件（三级学科）