科技部：第三代半导体器件制备及评价技术获突破
从科技部公布的信息了解到，近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究，开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术，并实现智能家居演示系统的试制。 专家介绍，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。 据悉，项目为满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求，研制出高带宽氮化镓发光器件及基于发光器件的可见光通信技术，并实现智能家居演示系统的试制；开展第三代半导体封装和系统可靠性研究，形成相关标准或技术规范；制备出高性能碳化硅基氮化镓器件。 通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化镓材料、功率器件、高性能......阅读全文
中科院电工所制备铁电半导体耦合光伏器件
记者日前从中科院电工所获悉，该所化合物薄膜太阳能电池研究组在普通钠钙玻璃上制备的铁电-半导体耦合光伏器件，经中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心认证，其转化效率达11.3%。 铁电-半导体耦合光伏器件，又叫纳米偶极子太阳能电池，属第三代太阳能电池。与传统PN结不同的是，该光伏器件是
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
“弹出式”三维成型技术－可制备微纳米半导体器件
见过一打开便有小房子或城堡立起来的那种立体书吧。受这种儿童玩具书的启发，中国、美国、韩国研究人员开发出一种特别简单的“弹出式”三维成型技术，可制备现有3D打印技术无法实现的微纳米半导体器件。 这项成果发表在新一期美国《科学》杂志上。研究负责人之一、美国西北大学研究助理教授张一慧对新华社记者说，
功率半导体器件有哪些国标
功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁，是国民经济的重要基础，在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。随着中国
科技部：第三代半导体器件制备及评价技术获突破
从科技部公布的信息了解到，近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究，开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术，并实现智能家居演示系统的试制。 专家介绍
元器件展会|2024上海国际半导体分立器件展览会「上海元器件展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）国际电子展览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍： 电子产业是电子信息产业的基础支撑，中国电子元器
常见的功率半导体器件有哪些？（一）
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。按照分类来看，功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能
“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
常见的功率半导体器件有哪些？（二）
5、PEBB（PowerElectricBuildingBlock）电力电子积木PEBB（PowerElectricBuildingBlock）是在IPEM的基础上发展起来的可处理电能集成的器件或模块。PEBB并不是一种特定的半导体器件，它是依照最优的电路结构和系统结构设计的不同器件和技术的
半导体材料的制备方法
不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上 ，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一
半导体展会|2024上海微波射频器件展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
使用半导体ATE设备测试的常用射频器件
具有高速数字或射频器件和组件的半导体晶片 无线通信芯片，例如用于蜂窝、WiFi和其他物联网应用的芯片 大容量微波单片集成电路(MMIC) 标准封装的射频设备/组件 必须满足质量控制和合格性能的中型或大型军事或工业部件 任何可根据EMC标准进行自动测试的设备，如FCC、CRISPR、CE
半导体所新型感算器件研究获进展
随着人工智能、物联网及智慧医疗等新型信息交互领域的发展，基于传统冯诺依曼架构的计算机系统以及工艺迭代带来的算力提升越来越难以满足数据处理及复杂神经网络模型运算的需求。神经形态器件作为一种模拟人脑的高效低功耗的信息处理模型，在信息处理方面具有天然优势。目前，以忆阻器为代表的人工突触器件广泛应用于神
氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
12日，记者从中国科学技术大学获悉，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）被大会接收。 IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日报合肥12月12日电 （记者吴长锋）12日，记者从中国科学技术大学获悉，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，中国科大国家示范性微电子学
半导体功率器件可靠性水基清洗分析
导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—
氮化镓半导体材料光电器件应用介绍
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批
高可靠性人工突触半导体器件问世
韩国科学技术研究院（KIST）神经形态工程中心研究团队宣布开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件，解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。 模仿人脑的神经拟态计算系统技术应运而生，克服了现有冯诺依
超小型半导体器件助芯片稳压滤噪
低压差线性稳压器（LDO）是芯片内部的“稳压心脏”，可为不同功能模块提供干净、稳定的电源。韩国蔚山科学技术院的研究团队研发出一种超小型混合LDO，有望显著提升先进半导体器件的电源管理效率。它不仅能更稳定地输出电压，还能滤除噪声，同时占用更少的空间，为人工智能、6G通信等领域的高性能片上系统提供了
单晶半导体材料的制备方法
为了消除多晶材料中各小晶体之间的晶粒间界对半导体材料特性参量的巨大影响，半导体器件的基体材料一般采用单晶体。单晶制备一般可分大体积单晶(即体单晶)制备和薄膜单晶的制备。体单晶的产量高，利用率高，比较经济。但很多的器件结构要求厚度为微米量级的薄层单晶。由于制备薄层单晶所需的温度较低，往往可以得到质量较
稀磁性半导体的制备方法
分子束外延法分子束外延（MBE）技术由于其在原子尺度上精 确控制外延膜厚、掺杂和界面平整度的特点，明显优 于液相外延法和气相外延生长法，更有利于生长高质 量DMS薄膜。采用低温分子束外延（LT-MBE）技术， 能够有效的抑制新相的析出，同时辅助以高能电子衍 射仪（RHEED），监控生长过程中的表面再
单晶半导体材料的制备方法
具体的制备方法有：①从熔体中拉制单晶：用与熔体相同材料的小单晶体作为籽晶，当籽晶与熔体接触并向上提拉时，熔体依靠表面张力也被拉出液面，同时结晶出与籽晶具有相同晶体取向的单晶体。②区域熔炼法制备单晶：用一籽晶与半导体锭条在头部熔接，随着熔区的移动则结晶部分即成单晶。③从溶液中再结晶。④从汽相中生长单晶
半导体器件展丨2024上海半导体器件展览会「电子展」「官网11月1820日」
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
元器件展会|2024上海国际功率半导体展览会「上海元器件展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）国际电子展览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍： 电子产业是电子信息产业的基础支撑，中国电子元器
半导体器件在高温环境下的可靠性
半导体元器件在高温环境下的可靠性是制造商和用户十分关注的问题。高温试验是一种常用的测试方法，通过模拟实际使用中的高温环境，可以评估元器件在高温下的性能和可靠性。高温试验需要仔细设计实验方案，包括选择合适的测试设备、制定测试流程和确定测试参数等。在实验过程中，需要确保测试设备和环境的稳定性和可靠性
主办EXPO－2024上海半导体分立器件展官网」
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
Agilent安捷伦－B1500A－半导体器件分析仪
Agilent B1500A 半导体器件分析仪是一款具有 10 插槽配置的模块化仪器，可支持 IV 和 CV 测量及快速高电压脉冲测量。它采用常见的 Microsoft ® Windows ® 用户界面，可支持 Agilent EasyEXPERT 软件。该软件为器件表征提供更直观的、面向任务的新方
纳米所与索尼联合研发半导体材料与器件
6月23日下午，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与索尼公司半导体材料与器件合作项目启动签约仪式在苏州纳米所举行。研究所所长杨辉代表苏州纳米所与索尼公司高级副总裁熊谷签订合作协议，同时，索尼公司将向苏州纳米所提供分子束外延（MBE）装置的免费使用权。中科院副院长施尔畏，苏州工业园