科技部:第三代半导体器件制备及评价技术获突破

从科技部公布的信息了解到,近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。项目重点围绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺进行研究,开发出基于新型基板的第三代半导体器件封装技术,并实现智能家居演示系统的试制。 专家介绍,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料,具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。 据悉,项目为满足对应高性能封装和低成本消费级封装的需求,研制出高带宽氮化镓发光器件及基于发光器件的可见光通信技术,并实现智能家居演示系统的试制;开展第三代半导体封装和系统可靠性研究,形成相关标准或技术规范;制备出高性能碳化硅基氮化镓器件。 通过项目的实施,我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化镓材料、功率器件、高性能......阅读全文

纳米所与索尼联合研发半导体材料与器件

  6月23日下午,中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与索尼公司半导体材料与器件合作项目启动签约仪式在苏州纳米所举行。研究所所长杨辉代表苏州纳米所与索尼公司高级副总裁熊谷签订合作协议,同时,索尼公司将向苏州纳米所提供分子束外延(MBE)装置的免费使用权。中科院副院长施尔畏,苏州工业园

Agilent安捷伦-B1500A-半导体器件分析仪

Agilent B1500A 半导体器件分析仪是一款具有 10 插槽配置的模块化仪器,可支持 IV 和 CV 测量及快速高电压脉冲测量。它采用常见的 Microsoft ® Windows ® 用户界面,可支持 Agilent EasyEXPERT 软件。该软件为器件表征提供更直观的、面向任务的新方

高效有机光伏材料与器件成功制备

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/503613.shtm有机太阳能电池利用有机半导体光伏活性材料实现太阳光能向电能转化利用,是具有重要应用潜力的新型光伏技术,包含大量的基础科学与技术问题,也是国际竞争最为激烈的研究前沿之一。其中,给体、受体

2024深圳国际半导体产业展-华南碳化硅半导体材料与分立器件展会

深圳电子元器件展,电子仪器仪表展,深圳电子仪器仪表展,电子元器件展,深圳电子设备展,电子设备展,电子元器件展览会,电子仪器展,深圳电子仪器展,电仪器展览会,深圳继电器展,深圳电容器展,深圳连接器展,深圳集成电路展2024中国(深圳)国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)

中国半导体设备展|2024上海国际半导体器件设备展览会「点击咨询」

2024中国(上海)国际电子展览会展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18-19日 展会地点:上海新国际博览中心展会规模:50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众  展会介绍:       电子产业是电子信息产业的基础支撑,中国电子元器件的发展过程是从无

Agilent-B1500A-半导体器件参数分析仪/半导体表征系统主机

Agilent B1500A 半导体器件参数分析仪/半导体表征系统主机  15815566786=======================================深圳佳捷伦电子仪器有限公司联系人:陈娟/欧阳手机:15815566786/13510500080电话:0755-8951811

IC-CHINA-2024|半导体展会|芯片展会|元器件|ic-china

 2024年北京国际半导体测试与封装设备展览会(IC CHINA)时 间:2024 年 9 月 5 一 7 日地 点:中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询:021-5416 3212大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)北京国际半导体测试与封装设备展览会(IC CHINA)创

铁磁材料在新型半导体器件中的工作原理

铁磁特性。由于氧空位的存在,许多氧化物薄膜或者纳米颗粒会表现出室温铁磁特性,而第一性原理计算表明氧化物半导体磁性产生的原因是由于其阳离子空位的存在。

科学家开发新型异质外延半导体材料及器件

上海应用技术大学材料科学与工程学院教授房永征、刘玉峰团队与国科大杭州高等研究院及美国麻省理工学院等单位的科研人员合作,在二维半导体材料异质外延方面取得新进展。12月4日,相关研究发表于《先进材料》。随着我国高性能探测技术领域应用需求的持续增长,新型光探测材料的发展也有了更高要求。作为光电探测技术最核

真空互联技术可实现新型半导体材料和器件创新

   日前,由中科院苏州纳米所牵头承办的第608次香山科学会议在苏州举行,来自国内外的40多位专家学者参会。本次大会的主题为“化合物半导体器件的异质集成与界面调控”,中科院院士李树深、黄如、中科院苏州纳米所所长杨辉、香港大学教授谢茂海担任本次大会的执行主席。  半导体与集成电路在人类社会各领域的应用

keysight是德B1525A半导体器件分析仪

keysight是德B1525A半导体器件分析仪介绍安捷伦B1500A半导体器件分析仪与安捷伦EXPERT软件是一个完整的参数测试解决方案。它支持参数测试的所有方面,从基本的手动测量到结合半自动晶圆探头进行跨晶圆的自动化测试。因为B1500A使用了微软的®视窗®XP专业操作系统,所以它可以很容易地集

半导体器件界面态及其稳定性问题分析

在半导体器件中,界面态是影响器件性能和稳定性的重要因素。界面态是指在半导体与金属或半导体与绝缘体之间的接触面上形成的能级。这些界面态在半导体器件中的存在对电子传输、电荷注入和空间电荷区域的形成有着重要影响,从而对器件的性能和稳定性产生显著影响。界面态的稳定性问题在半导体器件研究中被广泛关注。首先,界

Keysight-B1500A-半导体器件参数分析仪

Keysight B1500A 半导体器件参数分析仪该仪器是一款具有 10 插槽配置的模块化仪器,可支持 IV 和 CV 测量及快速高电压脉冲测量。它采用常见的 Microsoft ® Windows ® 用户界面,可支持 Agilent EasyEXPERT 软件。该软件为器件表征提供更直观的、面

异质结在半导体光电子器件中有哪些作用

半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构异质结图册,I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的

中国电子元器件展|2024上海国际半导体分立器件展览会「点击咨询」

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中国科大实现微纳米仿生器件可控制备

  5月20日,中国科学技术大学工程科学学院微纳加工研究团队及其合作者,利用飞秒激光微纳米打印结合可控的毛细力驱动技术,实现了多种类型的微纳米尺度组装体的可控制备,并将其成功应用于微小物体的选择性捕获和释放。国际著名学术期刊《美国科学院院刊》5月18日在线发表了这一成果。  壁虎能够爬墙,是因为脚掌

国内首个80纳米STTMRAM器件制备成功

  近日,北京航空航天大学与中国科学院微电子研究所联合成功制备国内首个80纳米自旋转移矩——磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件。  STT-MRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继

化合物半导体材料的制备方法

通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶,用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。

化合物半导体材料的制备方法

通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶,用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。

等离子体液相制备原来还可以制备这种半导体材料

  近日,中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋和正高级工程师黄逸凡合作在高质量黑磷烯制备领域取得新突破,相关研究成果"Rapid and scalable production of high-quality phosphorene by plasma-liquid technology"以通讯

美国开发出不依赖半导体的微电子器件

   美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件,在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。   传统的半导体器件受到材料本身的限制,在频率、功耗等方面存在极限,而利用

官网2024全球半导体光电器件(深圳)博览会

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2024上海国际半导体器件展「时间/地点/展览馆」

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半导体所在自旋器件翻转机制研究中获进展

自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而,科学家无法定量甚至定性地剖析面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。为了探讨面内电流翻转垂直磁矩的深层次物理机制,中国科学院半导体研究所朱礼军团队围绕直接参与磁矩翻转的自旋轨道矩效应和手性交换相互

美国开发出不依赖半导体的微电子器件

  美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件,在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。   传统的半导体器件受到材料本身的限制,在频率、功耗等方面存在极限,而利用自

2024深圳半导体材料、设备展暨半导体微电子器件、传感器展览会

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“墨水”3D打印制备热电器件

  随着化石能源的逐渐消耗殆尽,对新兴能源的开发与现有能源的高效利用成为当务之急。热电器件只需要有一个温度差即可产生电能,可以将工业废热,汽车尾气余热,光热等各种热能转换为电能。  近期来自韩国蔚山国家科学技术研究院(Ulsan National Institute of Science and T

2025中国(深圳)国际半导体光电器件展览会

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半导体所在微机电射频谐振器件研究方面取得系列进展

  在科技部和中国科学院的大力支持下,半导体研究所集成技术工程研究中心相关课题组多年来致力于射频谐振器件以及相关的测试表征系统的研制工作,在谐振器构型、微纳加工工艺、器件测试方法研究和测试系统组建等方面取得了系列科研进展。   微机电系统(MEMS)是指利用微纳加工技术制作的、同时具有机

半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究获重要进展

硅基集成光学导向逻辑器件实现或/或非、与/与非、同或/异或操作的波形图   在中国科学院“百人计划”项目的支持下,半导体研究所光电系统实验室在国际上率先实现光学导向逻辑器件的原理验证。   自2007年美国科学家Hardy和以色列科学家Shamir共同提出光学导向逻辑的概念以来,光学导向逻辑