研究发现压力诱导氮化二钙从金属转变为半导体
北京高压科学研究中心研究员缑慧阳团队和日本东京工业大学合作，在二维电子化合物——氮化二钙中发现了压力诱导金属向半导体转变的现象，从而为合成新的电子化合物提供了思路。相关结果日前发表于《先进科学》。 电子化合物是一类特殊的离子化合物，其中阴离子是过剩的价电子。松散结合的电子阴离子不依附任何原子和基团。此类化合物特殊的电子行为，使电子化合物在催化、电池和电子领域有着较大的潜在应用前景。 研究人员发现，高压下的氮化二钙会出现3种新的晶体结构，并且晶体结构的转变同时伴随着氮原子配位数的增加。测量表明，常压下金属态的氮化二钙随着压力增加，其电阻缓慢增加，并且在10~20 GPa（1GPa=109帕）之间急剧增加。在约20 GPa时，电阻上升到300欧姆。这意味着压力诱导氮化二钙实现了从金属到半导体的转变。 该团队还对不同结构的氮化二钙电子局域状态进行了理论计算。研究表明，随着压力增加，高压相结构中电子阴离子的分布由二维转变为一维......阅读全文
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
半导体所发现一种新的二维半导体材料——ReS2
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室由中美联合培养的博士后Sefaattin Tongay等人在吴军桥教授、李京波研究员、李树深院士的团队中，在二维ReS2 材料基础研究中取得新进展，发现ReS2 是一种新的二维半导体材料。相关成果发表在2014年2月6日的《自然-通讯》上，
2024半导体展会|2024中国（上海）氮化(GaN)和碳化硅(SiC)博览会「官网」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
氮化硼牵手石墨稀－超硬材料“风再起”
新华社图片 石墨烯+六方氮化硼=新晶体管 如果说概念炒作等同于资金短炒的话，那么“老牌明星”石墨烯的反复活跃，则多少超出了单纯的概念炒作意味。据相关媒体报道，麻省理工学院的研究人员引入一种单原子六方氮化硼，即厚度、属性和石墨烯类似的材料，并将一层石墨烯置于其上，最终得到的混合材料，既有石
金属螯合亲和层析实验（二）
实验材料蛋白质试剂、试剂盒GuMCAC-EDTA缓冲液盐酸胍仪器、耗材转子离心机实验步骤1. 制备表达带组氨酸尾的融合蛋白的大肠杆菌菌体沉淀。2. 准备NTA介质层析柱，但柱子最后以GuMCAC-0缓冲液洗涤.3. 在冰浴中冻融菌体沉淀。加5 ml GuMCAC-0缓冲液，用吸管抽吸重悬，超声
金属微电极的类型及原理（二）
热处理电极尖 热处理电极尖（见下图）在用于穿透坚硬的膜时非常有用（慢性移植型转移时不主张使用），该流程可以使用一个微锻造手段来完成，该过程中是定位靠近尖端进行加热以便融化在暴露金属末端之间的Parylene-C。这样可以提供一种平稳的过渡并可以使Parylene-C更好地粘附到金属上。
金属微电极的特点及其应用（二）
TM31C20KTH 76mm1µ0.145 mm2..0 MΩ1µ用于记录小的非常紧密拥挤的细胞TM31C40 76mm1µ0.085 mm4.0 MΩ1µ用于记录小的非常紧密拥挤的细胞TM31C40KT 76mm1µ0.145 mm4.0 MΩ1µ用于记录小的非常紧密拥挤的细胞TM31C4
金属基板树脂塞孔技术探讨（二）
工艺方法及控制要点丝印机塞孔工艺方法及控制要点塞孔示意图印丝机塞孔示意图真空塞孔简介真空塞孔，是指用真空塞孔机在真空环境下将塞孔树脂塞到金属基板的孔内，然后烘烤固化。固化后削去溢胶，即得到塞孔板成品。因金属基塞孔板的孔径相对较大（直径1．5mm以上），塞孔或烘烤过程中树脂会流失，需要在背面贴一层高温
氮化铟的结构特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟纳米结构是研制相关量子器件的基础。然而，一直以来，InN纳米材料的生长往往要利用铟的氧化物或氯化物，这会在氮化铟纳米材料中引入许多杂质，致使材料的光学、电学
氮化铝的应用历史
氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为70-210W‧m−1‧K−1，而单晶体更可高达275W‧m−1‧K−1)，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮