研究发现压力诱导氮化二钙从金属转变为半导体
北京高压科学研究中心研究员缑慧阳团队和日本东京工业大学合作,在二维电子化合物——氮化二钙中发现了压力诱导金属向半导体转变的现象,从而为合成新的电子化合物提供了思路。相关结果日前发表于《先进科学》。 电子化合物是一类特殊的离子化合物,其中阴离子是过剩的价电子。松散结合的电子阴离子不依附任何原子和基团。此类化合物特殊的电子行为,使电子化合物在催化、电池和电子领域有着较大的潜在应用前景。 研究人员发现,高压下的氮化二钙会出现3种新的晶体结构,并且晶体结构的转变同时伴随着氮原子配位数的增加。测量表明,常压下金属态的氮化二钙随着压力增加,其电阻缓慢增加,并且在10~20 GPa(1GPa=109帕)之间急剧增加。在约20 GPa时,电阻上升到300欧姆。这意味着压力诱导氮化二钙实现了从金属到半导体的转变。 该团队还对不同结构的氮化二钙电子局域状态进行了理论计算。研究表明,随着压力增加,高压相结构中电子阴离子的分布由二维转变为一维......阅读全文
叠氮化钡的简介
叠氮化钡亦称“氮化钡”,在水中分解成氢氧化钡和氨气。叠氮化钡作为一种新型的,性能优越的灯用消气剂被越来越多的光源生产厂家采用而替代传统的消气剂。更为突出的是,近年来,由台湾、韩国引进的汽车泡生产线,11Chemicalbook0V起辉器生产线,以及部份节日泡、装饰泡生产线等都要使用叠氮化钡作为消气剂
氮化钛的生产方法
1.将金属钛放入加热炉中,在氮气气流中,加热至1000~1400℃反应直接得到氮化钛。或者将二氧化钛和碳以一定比例充分混合,放入加热炉中,在氮气气流中加热至1250℃还原氮化制得氮化钛。采用气相沉积法,由四氯化钛、氮气、氢气混合气体可以得到氮化钛涂层。2.往四氯化钛的蒸发器中通入H2和N2的混合气体
金属螯合亲和层析实验(二)
实验材料蛋白质试剂、试剂盒GuMCAC-EDTA缓冲液盐酸胍仪器、耗材转子离心机实验步骤1. 制备表达带组氨酸尾的融合蛋白的大肠杆菌菌体沉淀。2. 准备NTA介质层析柱,但柱子最后以GuMCAC-0缓冲液洗涤.3. 在冰浴中冻融菌体沉淀。加5 ml GuMCAC-0缓冲液,用吸管抽吸重悬,超声
金属微电极的特点及其应用(二)
TM31C20KTH 76mm1µ0.145 mm2..0 MΩ1µ用于记录小的非常紧密拥挤的细胞TM31C40 76mm1µ0.085 mm4.0 MΩ1µ用于记录小的非常紧密拥挤的细胞TM31C40KT 76mm1µ0.145 mm4.0 MΩ1µ用于记录小的非常紧密拥挤的细胞TM31C4
金属基板树脂塞孔技术探讨(二)
工艺方法及控制要点丝印机塞孔工艺方法及控制要点塞孔示意图印丝机塞孔示意图真空塞孔简介真空塞孔,是指用真空塞孔机在真空环境下将塞孔树脂塞到金属基板的孔内,然后烘烤固化。固化后削去溢胶,即得到塞孔板成品。因金属基塞孔板的孔径相对较大(直径1.5mm以上),塞孔或烘烤过程中树脂会流失,需要在背面贴一层高温
金属微电极的类型及原理(二)
热处理电极尖 热处理电极尖(见下图)在用于穿透坚硬的膜时非常有用(慢性移植型转移时不主张使用),该流程可以使用一个微锻造手段来完成,该过程中是定位靠近尖端进行加热以便融化在暴露金属末端之间的Parylene-C。这样可以提供一种平稳的过渡并可以使Parylene-C更好地粘附到金属上。
2025圳13届国际电子金属封装展「半导体展会」
官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间:2025年4月9日-11日论坛时间:2025年4月9日-11日举办地点深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模: 面积10万平米,展商1800余家,展位3600多个,观众近10万人次展会报名:136 (李先生)中间四位数:
中科院金属所成功研发新技术,实现半导体颗粒在液态金属中规模化成膜
太阳能光催化分解水绿氢制备技术属于前沿低碳技术。这一技术走向应用的关键是构建高效、稳定且低成本的太阳能驱动半导体光催化材料薄膜(即人工光合成膜,又称人工树叶)。该领域常用的薄膜制备技术因制备环境苛刻或成膜质量差,所得薄膜往往难以满足太阳能光催化分解水制氢的实际应用需求。自然界的植物光合作用可实现太阳
偶氮化合物的什么是偶氮化合物AZO
偶氮化合物具有顺、反几何异构体(见几何异构)。反式比顺式稳定。两种异构体在光照或加热条件下可相互转换: 偶氮化合物主要通过重氮盐的偶联反应制得,例如: 氢化偶氮化合物和芳香胺在氧化剂[如NaOBr、CuCl2、MnO2和Pb(OAc)4等】存在下,可被氧化为相应的偶氮化合物;氧化偶氮化合物和硝基化合
金属铋纳米带二维金属表面态研究获进展
近期,中国科学院强磁场科学中心田明亮研究员课题组在金属铋纳米带研究中取得了新进展。研究人员在超薄的单晶铋纳米带中观察到具有典型二维特征的Shubnikov-de Haas(SdH)量子振荡行为,同时低磁场各向异性磁电阻结果确认了薄样品中的量子输运行为来源于二维表面态。实验结果首次清晰地给出了Bi
日本研制出电能损耗减半的下一代半导体
据《日本经济新闻》2015年5月18日报道,日本松下电器研发出利用氮化镓制作的半导体,电能损耗较现有同类制品降低50%。计划于2016年实现量产。 目前,氮化镓做为半导体材料多被用于蓝光二级管(LED)。控制电压的半导体多用碳化硅制作。由于其优异的节电性能,氮化镓被称为替代碳化硅的“终极半
美国科学家利用新技术大幅提高LED发光率及稳定性
据物理学家组织网3月20日报道,美国北卡罗来纳州立大学的科学家日前开发出一种新技术,能够在不增加用电量的情况下大幅提升发光二极管(LED)的亮度。与此同时,借助一种特殊的涂层材料,这种新型LED与普通LED产品相比更为稳定,适应性更强。相关论文在线发表在国际著名化学期刊《朗缪尔(Langmuir
火焰原子吸收法测定燃料油中金属钙铁镁含量
1 前言 回炼用燃料油中含有大量的钙、铁、镁等金属元素,燃料油在使用过程中金属元素对设备有一定的腐蚀,并且易形成大量盐类物质沉积在设备上,影响设备的使用效率和使用寿命,严重时将导致事故的发生。燃料油的采购途径比较广,各个厂家提供的燃料油中的金属含量各不相同,为了严格控制进入回炼装置的燃料油中
新方法助力二维半导体材料开发
中国科学院院士、北京科技大学教授张跃及北京科技大学教授张铮团队等提出了一种名为“二维Czochralski(2DCZ)”的方法,该方法能够在常压下快速生长出厘米级尺寸、无晶界的单晶二硫化钼晶畴,这些二硫化钼单晶展现出卓越的均匀性和高质量,具有极低的缺陷密度。1月10日,相关研究成果发表在《自然—材料
浅析新三板半导体的芯片设计(二)
1. 功能设计阶段:确定产品的应用场合,设定诸如功能、操作速度、接口规格消耗功率等规格制定,作为电路设计的依据。可同时规划软件模块及硬件模块的划分。2. 设计描述和行为级验证:依据功能将SOC(System-on-a-Chip,系统级芯片),划分为若干功能模块,并决定实现这些功能将要使用的I
半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展
最近,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕,在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中,在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》(Nanoscale)上,并被选为“热点论文”(Hot
研究实现人工光合作用高效稳定制氢
近日,中国科学技术大学教授孙海定、熊宇杰团队联合武汉大学刘胜院士团队,通过创新设计一种晶圆级可制造的新型硅基氮化镓纳米线光电极结构,实现了高达10.36%的半电池太阳能制氢效率,并在高电流密度下稳定产氢超过800小时,首次将光电极使用寿命从小于100小时的“小时级”推进至“月级”,成功突破传统光电制
孔隙率测量仪的应用领域简介
吸附剂(如活性碳,硅胶,活性氧化铝,分子筛,活性炭,硅酸钙,海泡石,沸石等); 陶瓷原材料(如氧化铝,氧化铟,氧化锆,硅酸盐,氮化铝,二氧化硅,氧化钇,氮化硅,石英,碳化硅等); 橡塑材料补强剂(如炭黑,白碳黑,纳米碳酸钙,碳黑,白炭黑等); 电池材料(如钴酸锂,锰酸锂,石墨,镍钴酸锂,氧
比表面积及孔径分布测量仪应用领域
适用于吸附剂(如活性碳,硅胶,活性氧化铝,分子筛,活性炭,硅酸钙,海泡石,沸石等);陶瓷原材料(如氧化铝,氧化锆,硅酸盐,氮化铝,二氧化硅,氧化钇,氮化硅,石英,碳化硅等);橡塑材料补强剂(如炭黑,白碳黑,纳米碳酸钙,碳黑,白炭黑等);电池材料(如钴酸锂,锰酸锂,石墨,镍钴酸锂,氧化钴,磷酸铁锂,钛
半导体所反型结构钙钛矿太阳能电池研究获进展
钙钛矿太阳能电池被认为是未来最具潜力的光伏技术之一。过去十多年,高光电转换效率的钙钛矿电池大多采用n-i-p正型器件结构,但处于电池顶层的常用p型有机小分子Spiro-OMeTAD存在易吸水与热稳定性较差等问题,制约了钙钛矿太阳能电池稳定性的发展。反型结构(p-i-n)钙钛矿太阳能电池采用稳定的
国家标准氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法
1国家标准《氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法》编制说明(预审稿)一、工作简况1.立项的目的和意义GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与SiC、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP
影响α酮戊二酸钙的定价因素有哪些
α-酮戊二酸钙(CaAKG),作为一种在医疗、食品、化妆品和保健品等领域具有广泛应用前景的物质,其定价受到多种因素的影响。以下是对这些因素的科普解读: 首先,生产成本是影响α-酮戊二酸钙定价的主要因素之一。生产α-酮戊二酸钙的原料、设备、能源以及人工成本等都会直接反映到产品的最终价格上。例如,
台湾研究团队在尖端晶体材料开发上取得突破
由台湾积体电路制造股份有限公司(台积电)与新竹交通大学合作组成的研究团队17日在台北宣布,在共同进行单原子层氮化硼的合成技术上取得重大突破,成功开发出大面积晶圆尺寸的单晶氮化硼成长技术。该成果将于今年3月在国际知名学术期刊《自然》发表。 研究团队负责人之一、新竹交通大学教授张文豪介绍,为了提升
美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道,美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点,实现量子隧穿效应,制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来,电子设备变得越来越小,科学家们现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研究的领导者、密歇根理工大学的物理学家
新型添加剂使钙钛矿LED更稳定高效
在16日出版的《自然·光子学》杂志上,美国普林斯顿大学研究人员发表论文称,他们开发出一种新技术,通过添加有机卤化铵,制造出了成本更低、效率更高且性能更稳定的钙钛矿发光二极管(LED)。 过去10年来,LED的应用越来越广,其节能、环保、寿命长、体积小,但制造成本也相对较高,降低LED制造成本是
金属氧化物半导体材料的制备、微分析及应用研究
本论文以氧化锌稀磁半导体和纳米二氧化钛光催化剂材料为研究对象,针对目前这一领域需要解决的一些问题,将表面微分析技术应用于它们的研究。一方面,探求了制备条件与材料组成、微结构、形貌以及性能的关系;另一方面,研究了载体、外加磁场等对纳米二氧化钛光催化性质的影响,并成功制备了具有实际应用前景的新型阳离子聚
首支硅衬底氮化镓基激光器问世可大幅降低器件制造成本
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器,这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展,科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
由“神奇材料”钙钛矿制成的LED
由“神奇材料”钙钛矿制成的LED 钙钛矿的一种混合形式——它的同类型材料最近已经被发现,可以用来制备高效率的太阳能电池,未来有望取代硅,目前已经被用来制造低成本,易制造的发光二极管,为未来广泛的商业应用开辟了道路,比如灵活的色彩显示方面的应用。 在牛津大学Henry Snai