集成电路一甲子：方寸之间上演时代更迭
60年前的9月12日，在晶体管诞生11年后，美国德州仪器青年工程师基尔比（Jack Kilby）将几个锗晶体管芯片粘在一个锗片上,并用细金丝将这些晶体管连接起来——看，这是世界上第一块集成电路。 如果拥有上帝视角，你会为那块粗糙简陋的集成电路欢呼雀跃。因为，你能在手机上阅读这篇文章，也得益于它。 不过在当时，集成电路改变世界的潜力，还有待验证。 42年后，基尔比获得了诺贝尔物理学奖。此时，围绕集成电路发展出的产业产值已经超过了2000亿美元。 德州仪器公司董事会主席这样评价基尔比：如果说有一项发明不仅革新了我们的工业，并且改变了我们生活的世界，那就是他发明的集成电路。 每项发明都开辟新的领域 集成电路与由分立元器件组成的电路相比较，具有体积小、重量轻、功耗低、速度快、可靠性高、成本低等优点。围绕它，逐渐形成了新兴工业技术——微电子技术。 在上世纪60—70年代的世界“冷战”时代,集成电路首先被应用于航天和军事。......阅读全文
QIP集成电路的封装特点
QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
SIL集成电路的封装特点
SIL(single in-line)SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
SMD集成电路的封装特点
SMD(surface mount devices)表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
模拟集成电路的简介
模拟集成电路主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的集成电路。有许多的模拟集成电路，如运算放大器、模拟乘法器、锁相环、电源管理芯片等。模拟集成电路的主要构成电路有：放大器、滤波器、反馈电路、基准源电路、开关电容电路等。模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手
MSP集成电路的封装特点
MSP(mini square package)QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
SIMM集成电路的封装特点
SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的
SOIC集成电路的封装特点
SOIC(small out-line integrated circuit)SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
MCM集成电路的封装特点
MCM(multi-chip module)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以
DSO集成电路的封装特点
DSO(dual small out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
COB集成电路的封装特点
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
PFPF集成电路的封装特点
PFPF(plastic flat package)塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
DFP集成电路的封装特点
DFP(dual flat package)双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。
JLCC集成电路的封装特点
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。
CDIP集成电路的封装特点
C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
Cerdip集成电路的封装特点
Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。
MQUAD集成电路的封装特点
MQUAD(metal quad)美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
LOC集成电路的封装特点
LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
SDIP集成电路的封装特点
SDIP(shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
SIP集成电路的封装特点
SIP(single in-line package)单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
DIC集成电路的封装特点
DIC(dual in-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
Cerquad集成电路的封装特点
Cerquad集成电路，表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm
QTP集成电路的封装特点
QTP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
LCC集成电路的封装特点
LCC(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
QFH集成电路的封装特点
QFH(quad flat high package)四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
集成电路按导电类型分类
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型
OPMAC集成电路的封装特点
OPMAC(over molded pad array carrier)模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
MFP集成电路的封装特点
MFP(mini flat package)小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
FQFP集成电路的封装特点
FQFP(fine pitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
QUIP集成电路的封装特点
QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机
PLCC集成电路的封装特点
PLCC(plastic leaded chip carrier)带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 ，是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，90年代已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件电路。引脚中