集成电路人才短缺，院士呼吁：将微电子升级为一级学科
“要把微电子学上升为一级学科，使之与国家战略需求和市场发展相适应。”12日，新时期中国集成电路产业发展战略论坛暨《集成电路产业全书》首发式在北京人民大会堂召开。该全书的主编、中科院院士王阳元在讲话时特别提到了学科升级一事。此话一出，引来一片掌声。 12日是集成电路发明60周年纪念日，《集成电路产业全书》特意选在这天正式发布。其编写耗时3年，包括1052个词条，共240万字，是一部涵盖集成电路技术、经济、管理、人才、市场等全产业链的著作。王阳元希望，该全书能为加速发展的中国集成电路产业提供知识工具和智力支持。 我国的集成电路产业起步于上世纪60年代中期，头二十年因为政治原因错失机遇；在第二个二十年，国家设置了很多专项，但由于还是用计划经济的思想进行指导，收效并不好。党的十八大以来，我国集成电路产业进入高速发展阶段，近五年的平均增速是同期全球的2.7倍，但核心技术受制于人的问题尚未解决。 “对于集成电路这一关键核心技术，我......阅读全文
微电子所举办专业数据库Inspec相关培训
为了更广泛的推广使用Inspec数据库这一先进的信息查询工具，使之更有效的服务于科学研究工作，6月10日下午，中科院微电子研究所图书资料室举办了题为“利用专业数据库Inspec开展物理及工程领域科学研究”的培训。 本次培训采用网络在线培训的形式，主讲人为Thomson Sc
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用
大二创业！他攻克微电子组装一大难题
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/6/481611.shtm 文｜《中国科学报》见习记者 刘如楠 大二创业、年营业额约270万、手握10项ZL、“挑战杯”全国总决赛一等奖……串起这些关键词的，是武汉工程大学机电工程学院2018级本科生张
微电子所忆阻器基感知计算研究获进展
生物体中，感受神经系统是本体与外界环境交互的基本信息感知系统。生物体对生存环境的信息甄别与过滤，主要基于感受神经系统的习惯化功能。当前，人类社会正由信息化向智能化演进。智能化社会需要高效智能的信息感知系统对感知到的巨量信息进行有效甄别、处理和决策，并对重复无意义的信息进行有效过滤。因此，基于生物
北京工业大学微电子学院揭牌成立
12月12日，北京工业大学微电子学院揭牌仪式暨产学研合作论坛在该校举行。由此，北工大全面启动为北京地区及国家微电子与集成电路产业的高速发展培养优质人才计划。 在成立仪式上，北京工业大学校长柳贡慧表示，希望微电子学院作为国家集成电路人才培养基地以及全国26家示范性微电子学院筹建单位，要为首都微电
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自
微电子所在高性能选通管研究中获进展
近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI国际研讨会）在日本召开。中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM
微电子所在全血细胞计数即时诊断领域取得进展
全血细胞计数作为临床检验领域中最常用的血液检验项目之一，可实现对血液中白细胞、红细胞和血小板等细胞子类的识别与计数，在血细胞形态或浓度异常相关疾病的诊断及疗效评估中具有重要作用。基于全血细胞计数的现场诊断/即时诊断（POCT）有望超越医院和检验中心等传统医疗场所，进入家庭及采样现场，实现个体化健
微电子所“动力电池组监控芯片”研究取得进展
日前，中科院微电子研究所专用集成电路与系统研究室（二室）在“动力电池组监控芯片”研究项目中取得突破。 当前，随着传统能源紧缺和环境污染的日益严重，节能及环境友好型的新能源产业越来越被各国所重视。在新能源开发中，大功率电池组的应用需求日趋增加。为
售后经理学习篇微电子用全自动点胶机注意事项
如今LED简直无处不在，生活中常用的节能灯，夜晚街上的广告招牌，城市公园的霓虹灯，电视里的LED背光等，这些都是很常见的，在LED点胶中，不光LED能运用全自动点胶机封装点胶且其他微电子也可运用全自动点胶机，并且全自动点胶机再微电子行业中会有很好的效果。 电脑是生活中常见的物品，但是电脑
微电子所等研究团队在器件物理研究中获进展
传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键，可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动，因此，表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态，单层二维材料（如二硫化钼和石墨烯）在边界原子的终止和重建可以产生边界态，这使二维材料产生较多独特的现象，并得
微电子所成功研发国内首款智能数字助听器SoC芯片
近日，中国科学院微电子研究所智能感知中心成功研发国内首款智能数字助听器SoC芯片。 该SoC芯片采用单芯片全集成解决方案（架构如图1所示，助听器芯片、硬件系统及样机分别如图2、图3所示），芯片集成片上电源LDO、时钟振荡器RC、低噪声模拟前端AFE、低功耗数字信号处理器DSP和高精度音频输出D
微电子所极低功耗系统级芯片研发取得新成果
便携式医疗电子产品主要是指植入式、口服式、穿戴式的生理参数检测和仿生系统等电子产品，系统级SoC(System on Chip)芯片作为这类产品的核心元器件，通常由信号采集、模数转换、信号处理、射频模块和电源管理等关键电路构成。SoC芯片一般使用微小型电池供电，使得产品性能和连续
大二创业年营收270万！他攻克微电子组装难题
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/6/481677.shtm 大二创业、年营业额约270万、手握10项ZL、“挑战杯”全国总决赛一等奖……串起这些关键词的，是武汉工程大学机电工程学院2018级本科生张靖宇。 今年刚满23岁的他，已是一家
韩开发出石墨烯合成新方法－可与微电子兼容
最近，韩国研究人员开发出一种与微电子兼容的方法来生长石墨烯，在硅基底上成功合成了晶片级（直径4英寸）的高质量多层石墨烯。该方法基于一种离子注入技术，简单而且可升级。这一成果使石墨烯离商业应用更近一步。相关论文发表在本周的《应用物理快报》上。 晶片级的石墨烯可能是微电子线路中一个必不可少的组成部
卡博特微电子16亿美元收购KMG化学品公司
8月15日，卡博特微电子公司同意以16亿美元的价格收购KMG化学品公司，以加强其在半导体电子化学品供应商的地位，预计这项交易将于今年年底结束。 根据协议条款，KMG股东将有权获得每股55.65美元现金和0.2卡博特微电子普通股，该报价意味着KMG每股价值为79.50美元。合并后的公司预计年收
微电子所在SOT型磁性存储器研究领域获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
微电子所太赫兹晶体管研究取得新进展
InP基太赫兹晶体管的(a)直流与(b)高频特性 太赫兹波（T-ray，0.1–10 THz）在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景，高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日，中国科学院微电子研究所
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方
微电子所新型三氧化二铝表面钝化研究获进展
日前，中科院微电子研究所在新型Al2O3表面钝化研究上取得突出进展。 良好的表面钝化对于提升晶体硅太阳能电池的开路电压十分重要，传统晶体硅电池常用等离子体增强化学气相沉积法沉积SiNx:H薄膜，除了能够降低反射率以外，还对Si电池的表面进行了较好的钝化。然而传统SiNx:H薄膜
清华大学仪器共享平台中科院微电子－NICP刻蚀机
仪器名称：NICP刻蚀机仪器编号：02011812产地：中国生产厂家：中科院微电子中心自制型号：NICP-I型出厂日期：200107购置日期：200210所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>刻蚀工艺放置地点：微电子所新所一层微纳平台固定电话：固定手机：固定email：联系人：李希有（010-627
LEICA－DMFTP膜厚仪迎接微电子业新高潮
最近，德国LEICA推出了新一代薄膜测厚仪DM-FTP以应对微电子，半导体产业的新高潮。该膜厚仪的先进性在于： 最小光斑可达1微米 既使用显微光谱反射法又能使用白光干涉法进行测量半导体薄膜厚度 德国LEICA顶尖的光学显微镜系统 自动建模和海量光谱数据 德国LEICA DM
微电子所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破
近日，中国科学院微电子研究所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破。微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）研究员金智带领的团队在国家和中科院科研项目的支持下，对石墨烯的材料生长、转移和石墨烯射频器件的制备进行了深入、系统的研究，制备出了具有极高振荡频率的石墨烯射频器件，取得了一系列重要成果。
微电子所青促会举办学术交流会
10月20日，“长江学者”、“国家杰出青年科学基金”获得者、东南大学教授黄庆安应邀做客中国科学院微电子研究所“青促会创新论坛”，作了题为《互补金属氧化物半导体晶体管（CMOS）、微机电系统（MEMS）技术与产业发展》的学术报告。微电子所副所长陈大鹏研究员主持交流会，青年科研骨干、研究生共50余人
山东中心组织微电子所专家到济南对接RFID项目
12月4日至6日，在中国科学院山东综合技术转化中心和济南市科技局的组织下，中科院微电子所产业化处副处长王琴率领包含“千人计划”王慰研究员在内的4位专家，到济南对接RFID项目。 今年山东中心和济南市科技局共同组织了针对济南RFID产业的调研，在充分调研企业需求的基础上，山东中心联系各相关研
第S15次香山科学会议研讨“微电子前沿技术”
近日，以“微电子前沿技术的应用与发展”为主题的第S15次香山科学会议在北京举行。鉴于我国在微电子产业起步较晚，与会专家表示，通过消化吸收国际微电子领域的先进技术，有望加速国内相关技术和产业的多方面发展。 目前，微电子技术已是一个集成性综合技术，包括电子、材料、生物、化学、物理、信息等多个学
WDY500A(300A)型微电子面积测量仪使用方法
一、使用方法 1光源选择，标准框选择 打开仪器箱盖，选择合适的均匀光源，(如室内外天空散射光或均匀光线)，要求亮面点所受照度相同(本仪器最小照度应满足能调零，最大照度是消除仪器显示屏上闪 烁的LOBAT1999，当调零旋钮不能使闪烁的1999消除时，须减弱光照强度)。 根据被测面积的大小，选
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFE
中科院微电子所研制高性能的负电容FinFET器件
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET器件。 现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec
高压实验变压器预控微电子处理技术的功能设计？
高压试验变压器设计的功能有：1、状态提醒功能，全中文引导式操作，即使在无说明书的情况下亦可熟练操控；2、试验结果显示功能，可自动判断试验结果（试验通过或试验失败），并能可靠记录试品过电流、闪洛或击穿时的电压；3、试验结果声音报警功能，试验通过或试验失败时，设备会发出不同的报警声音，试验人员可直接由报