美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自由电子替代半导体材料通常需要高电压、大功率激光或高温激发。该团队在硅片上用金加工出一种类似蘑菇形状的纳米结构（称为“超材料”结构），在10伏以下的直流电压和低功率红外激光激发下，即可释放自由电子，从而极大地提高器件的电导率。 这一器件不可能完全替代半导体器件，但可能在特殊需求下得到最佳应用，如超高频器件或大功率器件。未来不同的超材料表面结构可能适用于不同类型的微电子器件，应用于光化学、光催化、光伏转化等领域。......阅读全文
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自
2024深圳半导体材料、设备展暨半导体微电子器件、传感器展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
超导微电子器件基础研究取得重要进展
超导器件是未来微电子学和信息科学的重要分支,是当前超导电性学和电子学的前沿课题。它有可能使电子系统在速度、功耗、频宽、噪声等性能上达到综合兼优。上海交通大学蒋建飞教授等在国家自然科学基金(批准号:68871013,69371016)资助下,结合有效的国际合作,从1989年起,在三端超导器件机制、
功率半导体器件有哪些国标
功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁，是国民经济的重要基础，在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。随着中国
微电子所垂直纳米环栅器件研究获进展
与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。其中，垂直纳米环栅器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加栅极和源漏的设计空间，减少器件所占面积，更易实现多层器件间的垂直堆叠并通过全新的布线方
微电子所采用ALD技术显著提升发光器件效率
日前，中国科学院微电子研究所将先进的原子层沉积技术应用于高光效半导体发光器件的研究取得显著进展。 上世纪80年代，原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)最初由芬兰科学家提出并应用于平板显示器件中Al2O3绝缘膜的沉积。2007年英特尔公司将原子层沉积技术引
元器件展会|2024上海国际半导体分立器件展览会「上海元器件展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）国际电子展览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 展会介绍： 电子产业是电子信息产业的基础支撑，中国电子元器
微电子所等研究团队在器件物理研究中获进展
传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键，可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动，因此，表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态，单层二维材料（如二硫化钼和石墨烯）在边界原子的终止和重建可以产生边界态，这使二维材料产生较多独特的现象，并得
微电子所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破
近日，中国科学院微电子研究所在石墨烯材料及器件研制领域取得整体突破。微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）研究员金智带领的团队在国家和中科院科研项目的支持下，对石墨烯的材料生长、转移和石墨烯射频器件的制备进行了深入、系统的研究，制备出了具有极高振荡频率的石墨烯射频器件，取得了一系列重要成果。
微电子所在石墨烯电子器件研制上获得整体突破
石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点，被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料。日前，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）石墨烯研究小组成员(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究员和刘新宇研究员的带领下，分别在采用微机械剥离方
常见的功率半导体器件有哪些？（一）
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。按照分类来看，功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。近年来，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能
常见的功率半导体器件有哪些？（二）
5、PEBB（PowerElectricBuildingBlock）电力电子积木PEBB（PowerElectricBuildingBlock）是在IPEM的基础上发展起来的可处理电能集成的器件或模块。PEBB并不是一种特定的半导体器件，它是依照最优的电路结构和系统结构设计的不同器件和技术的
“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFE
中科院微电子所研制高性能的负电容FinFET器件
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET器件。 现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAA
微电子所在高迁移率沟道MOS器件研究方面取得进展
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心研究员刘洪刚、副研究员王盛凯带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题和国家自然科学基金等项目的支持下，对high-k/III-V、high-k/Ge界面的缺陷行为及控制方法开展了系统研究，经过近5年的持续攻关，取得了重要的
微电子所在纳米森林的微器件应用研究中获进展
原文地址：http://www.cas.cn/syky/202103/t20210316_4781092.shtml 近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在纳米森林的微机电系统（MEMS）传感器应用研究上取得重要进展。 湿度的监测与控制在气象、农业、汽车、医药等行业具有重
半导体展会|2024上海微波射频器件展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
美国新技术可用于新型节能微电子设备开发
美国阿贡国家实验室科研人员开发出一项名为氧化还原门控的新技术，可以控制电子在半导体材料中的运动。 科研人员设计了一种装置，可以通过在充当电子门的材料上施加电压来调节电子从一端到另一端的流动。当电压达到某个阈值时，材料将开始通过栅极从源氧化还原材料注入电子到沟道材料中。该技术可实现在低电压下大幅
美国新技术可用于新型节能微电子设备开发
美国阿贡国家实验室科研人员开发出一项名为氧化还原门控的新技术，可以控制电子在半导体材料中的运动。 科研人员设计了一种装置，可以通过在充当电子门的材料上施加电压来调节电子从一端到另一端的流动。当电压达到某个阈值时，材料将开始通过栅极从源氧化还原材料注入电子到沟道材料中。该技术可实现在低电压下大幅
新超导材料可使电导率增加10倍
据最新一期《自然·通信》杂志报道，美国工程师制作出首个无需半导体的光控微电子器件。该微型器件使用了一种新的超导材料，在施加低电压和低功率激光激活时，电导率可增加10倍。这项发现为研制速度更快、功率更强的无半导体微电子设备及更高效的太阳能板铺平了道路。 现有晶体管等微电子器件性能会受限于材料组成
半导体所新型感算器件研究获进展
随着人工智能、物联网及智慧医疗等新型信息交互领域的发展，基于传统冯诺依曼架构的计算机系统以及工艺迭代带来的算力提升越来越难以满足数据处理及复杂神经网络模型运算的需求。神经形态器件作为一种模拟人脑的高效低功耗的信息处理模型，在信息处理方面具有天然优势。目前，以忆阻器为代表的人工突触器件广泛应用于神
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
12日，记者从中国科学技术大学获悉，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）被大会接收。 IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是
半导体功率器件可靠性水基清洗分析
导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—
氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/491041.shtm 科技日报合肥12月12日电 （记者吴长锋）12日，记者从中国科学技术大学获悉，日前在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会（IEEE IEDM）上，中国科大国家示范性微电子学