中科院微电子所研制高性能的负电容FinFET器件
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET器件。 现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec，阻碍了工作电压的继续降低。当集成电路技术进入5纳米及以下节点，随着集成度的持续增加，在维持器件性能的同时面临功耗急剧增加的严重挑战。先导中心研究员殷华湘团队在主流后HKMG FinFET集成工艺的基础上，通过材料工艺优化和多栅器件电容匹配设计，结合高质量低界面态的3纳米铪锆金属氧化物薄膜，研制成功性能优异的NC-FinFET器件，实现了SS和阈值电压回滞分别为34.5mV/dec和9mV的500纳米栅长NC-FinFET器件，以及SS和阈值电压回滞分别为53mV/dec和40mV的20纳米栅长NC-FinFET器件。其中，500纳米......阅读全文
中科院微电子所研制高性能的负电容FinFET器件
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET器件。 现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec
芯片毁于噪声：FinFET使噪声效应叠加
FinFET技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺成为CMOS工艺的标准架构，” ANSYS应用工程高级总监Arvind Shanmugavel说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10纳米或7纳米的FinF
后FinFET时代的技术演进（一）
FinFET晶体管架构是当今半导体行业的主力军。但是，随着器件的持续微缩，短沟道效应迫使业界引入新的晶体管架构。在本文中，IMEC的3D混合微缩项目总监Julien Ryckaert勾勒出了向2nm及以下技术节点发展的演进之路。在这条令人振奋的道路上，他介绍了Nanosheet晶体管，For
后FinFET时代的技术演进（三）
Forksheet：性能和面积的改进IMEC的研究人员最近使用TCAD仿真来量化Forksheet架构的预期PPA潜力。所研究的器件针对IMEC的2nm技术节点，采用42nm的接触栅节距和16nm的金属间距的5T标准单元库。拟议的设计包括一些微缩助推器，例如埋入式电源轨和环绕接触。与Nano
后FinFET时代的技术演进（二）
需要微缩助推器在6T和5T的低单元高度下，向Nanosheet器件的迁移变得最佳，因为在这种情况下，fin的减少会降低传统基于FinFET的单元中的驱动电流。但是，如果不引入结构化微缩助推器（如埋入式电源轨和环绕式接触），就无法将单元高度从6T减小到5T。电源轨为芯片的不同组件提供电源，并且一般由B
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
微电子所发明ZL荣获“中国ZL优秀奖”
近日，国家知识产权局印发《关于第十七届中国ZL奖授奖的决定》（国知发管字〔2015〕67号），中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑的中国发明ZL“半导体器件及其制造方法”（ZL号：ZL 200910235339.9）荣获“中国ZL优秀奖”。 “半导体器件及其制造方法”提
MOS器件的发展与面临的挑战（二）
1.8HKMG技术当MOS器件的特征尺寸不断缩小45nm及以下时，为了改善短沟道效应，沟道的掺杂浓度不断提高，为了调节阈值电压Vt，栅氧化层的厚度也不断减小到1nm。1nm厚度的SiON栅介质层已不再是理想的绝缘体，栅极与衬底之间将会出现明显的量子隧穿效应，衬底的电子以量子的形式穿过栅介质层进入栅，
超高功率超级电容器电极材料：多孔三维寡层类石墨烯
双电层超级电容器（EDLC）具有功率密度高、循环寿命长、安全性好等优点，在消费电子产品、电动汽车、国防科技和航空等领域具有广泛的应用，相关研究成为当前的前沿热点。理想的EDLC电极材料应同时具备：1）高比表面积以确保足够的电荷存储空间；2）均衡分布的孔结构以利于电解液离子的快速输运，提升比电容和
美研制出迄今最小三维晶体管－效率更高－尺寸仅2.5纳米
美国研究人员研制出一种新的三维晶体管，尺寸不到当今最小商业晶体管的一半。他们为此开发了一种新颖的微加工技术，可以逐个原子地修改半导体材料。 为了跟上“摩尔定律”的步伐，研究人员一直在寻找将尽可能多的晶体管塞入微芯片的方法。最新的趋势是垂直竖立的鳍式三维晶体管，其尺寸约为7纳米，比人类头发还要薄
我国学者利用三维网络碳材料研制双碳钠离子混合电容器
混合电容器技术将二次电池和超级电容器进行“内部交叉”，兼具高能量密度、高功率密度及长寿命等特性。目前，锂离子混合电容器已实现商业化应用。但锂资源不足和分布不均会限制锂基储能器件大规模应用及可持续发展。钠钾资源丰富、分布广泛、价格低廉，与锂的物理化学特性相似，使得钠钾离子储能器件有望成为锂基储能体
电容法
涂层测厚仪的无损检测方法与原理：涂层测厚仪在现实测量中是一门理论上综合性较强，又非常重视实践环节的很有发展前途的学科。它涉及到材料的物理性质，产品设计，制造工艺，断裂力学以及有限元计算等诸多方面。 在化工，电子，电力，金属等行业中，为了实现对各类材料的保护或装饰作用，通常采用喷涂有色金属覆盖以及磷
从电容的名称认识电容的作用
电容器在电子电路中几乎是不可缺少的储能元件，它具有隔断直流、连通交流、阻止低频的特性。广泛应用在耦合、隔直、旁路、滤波、调谐、能量转换和自动控制等电路中。熟悉电容器在不同电路中的名称意义，有助于我们读懂电子电路图。1．滤波电容：它接在直流电源的正、负极之间，以滤除直流电源中不需要的交流成分，
面向平面化微型电池和微型超级电容器：从二维到三维
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅和中科院院士包信和在微型储能器件方面的研究工作受到国际同行的广泛关注，应邀在《先进材料》（Advanced Materials）上发表题为《面向平面化微型电池和微型超级电容器的道路：从二维到三维的器件构型》（The Road Towards Plan
科学家设计出具有三维结构叉指纳米电极的电介质电容器
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所孟国文研究小组与中国科学技术大学教授宋礼及美国达拉华大学教授魏秉庆合作，设计出一种具有三维结构叉指纳米电极的电介质电容器，相关研究结果以Dielectric capacitors with three-dimensional nanoscale i
电容电感检测仪测量电容器
1、测试电压电缆一端接到“电压输出”25V端子上，另一端的电缆夹分别夹在被测电容器组两极的连接母线上 2、测试电流信号电缆插在“电流输入”输入插头上，另一端连于钳形表上,注意钳形表钳口方向，电压线红夹子与钳形电流表前面板（有显示屏）为同极性，如果接反，测量电压和电流的相角的正负符号错误，也不能
去耦电容
去耦电容可减少串扰的不良影响，它们应位于设备的电源引脚和接地引脚之间，这样可以确保交流阻抗较低，减少噪声和串扰。为了在宽频率范围内实现低阻抗，应使用多个去耦电容。放置去耦电容的一个重要原则是，电容值最小的电容器要尽可能靠近设备，以减少对走线产生电感影响。这一特定的电容器尽可能靠近设备的电源引脚或电源
电容怎么选择
需要电容器求购的人该如何的正确的选择电容器？( 1 )应根据电路要求选择电容器的类型。对于要求不高的低频电路和直流电路，一般可选用纸介电容器，也可选用低频监介电容器。在高频电路中，当电气性能要求较高时，可选用云母电容器、高频瓷介电容器或穿心瓷介电容器。在要求较高的中频及低频电路中，可选用塑料薄膜电容
决定电容器电容大小有哪些因素
影响电容大小的因素主要用三个方面第一是电容两个平行面面积的大小第二就是两个金属面之间的距离第三就是两个金属面之间的介质
利用CV曲线计算超级电容器比电容
超级电容器目前是比较热门的能源器件，但其中许多概念和评价手段多是从电池中借鉴过来的，不得不说单是比电容和能量密度计算这块就比较混乱，有的多算了几倍，有的少算了几倍，在这里我们试着将其进行顺理来帮助大家学习。 一、比电容的计算 对于超级电容器的电容可以通过CV曲线计算，也可以通过GCD（恒
负调控的定义
负调控，通过阻遏蛋白进行的调控。定义：转录、翻译或信号转导的调控过程被一些因子（如阻遏蛋白）所阻遏的调节方式。可使基因表达水平下降以及基因产物（RNA或蛋白质）的数量减少。
负峰的“烦恼”
我在一家食品厂工作，我们的产品主要用来出口，所以对质量的要求非常严格。我们是用液相色谱仪（示差检测器）做麦芽糖的含量检测，用注射用水检查系统的时候每次都会出现负峰，这也就是我们最头痛的时候，原来用的是某个品牌（这里就不指名道姓了）的色谱工作站。这个工作站我翻来覆去的找（怕有些功能我还熟悉），最后还是
负氧离子简介
空气是混合物，由多种分子构成，由于自然界的宇宙射线、紫外线、土壤和空气放射线的影响，空气中的有些分子就释放出电子，阴离子。空气分子在高压或强射线的作用下被电离所产生的自由电子大部分被氧气所获得，因而，常常把空气负离子统称为“负氧离子”，负氧离子带负电，它无色无味。
负选择的概念
负选择是自然选择的一种形式，又称纯化选择。突变的等位基因是有害的，在选择中处于劣势，因而在群体中被淘汰。
FinFET凭什么应用于新一代ASIC矿机芯片？
中本聪打造比特币的时候，设计的是使用电脑（包括家用电脑）来挖矿，主要依靠CPU去计算。但是随着比特币等数字货币的价值越来越高，挖矿成为了一个产业，竞争越来越激烈，挖矿难度也不断提升，于是逐渐转移到硬件比拼上来。如2018年7月31日，Innosilicon突然宣布其比特币矿机Terminator系列
先进CMOS工艺一览（一）
2020年6月15日至18日（美国时间，第二天为日本时间）举行了“ 2020年技术与电路专题讨论会（VLSI 2020年专题讨论会）”，但实际上所有的讲座录了视频，并可付费观看至2020年8月底。如果像过去那样在酒店场所召开会议，则您只能参加众多平行会议中的一个会议。但是以视频点播形式，您可
HAKK600系列电容式物位计电容感应原理
HAKK-600系列电容式物位计依据电容感应原理，当被测介质浸汲测量电极的高度变化时，引起其电容变化。它可将各种物位、液位介质高度的变化转换成标准电流信号，远传至操作控制室供二次仪表或计算机装置进行集中显示、报警或自动控制。其良好的结构及安装方式可适用于高温、高压、强腐蚀，易结晶，防堵塞，防冷冻
超级电容和普通电容的具体区别和特点
（1）充电速度快，充电10秒～10分钟可达到其额定容量的95％以上；（2）循环使用寿命长，深度充放电循环使用次数可达1~50万次，没有“记忆效应”；（3）大电流放电能力超强，能量转换效率高，过程损失小，大电流能量循环效率≥90%；（4）功率密度高，可达300W/KG~5000W/KG，相当于电池的5
2019－IEDM：IBM和Leti（一）
IBM和Leti在今年IEDM上分别发表了若干篇论文，其中包括一篇合作的Nanosheet论文。我有机会采访到与IBM高级逻辑与内存技术总监卜惠明和IBM高级工程师Veeraraghavan Basker，之后又分别采访了Leti advanced CMOS实验室负责人Francois Andr
怎样辨别电容好坏
判断电容器质量的方法:1.电容器外壳膨胀或泄漏。2.外壳破裂，闪络产生火花。3.电容器内部有异常声音。4.外壳温度升至55℃，温度指示器熄灭。如发现上述情况，电容器损坏，应立即切断电源。电容，通常指的是其保持电荷的能力，是电容，用字母c表示。