我国科学家发明新的单晶体管逻辑结构
复旦大学科研团队近日在集成电路基础研究领域取得一项突破。他们发明了让单晶体管“一个人干两个人的活”的新逻辑结构，使晶体管面积缩小50%，存储计算的同步性也进一步提升。如果成功产业化，将推动集成电路向更轻、更快、更小、功耗更低方向发展。相关研究成果已在线发表于《自然·纳米技术》。 “这项研究工作的核心内容是利用原子晶体硫化钼做出了新结构晶体管。在此基础上，团队发明了新的单晶体管逻辑结构，在单晶体管上实现了逻辑运算的‘与’和‘或’。”复旦大学微电子学院教授周鹏说。 “与”和“或”是构成计算系统的最基本逻辑单元。该研究工作使晶体管面积缩小50%，有效降低了成本，而原先需要两个独立晶体管才能实现逻辑功能，现在只要一个晶体管即可。 据介绍，这一新的逻辑架构可以通过器件级存算一体路径破解数据传输阻塞瓶颈问题，突破了现有逻辑系统中冯·诺依曼架构的限制。对此，周鹏打了个比方：“原先我们计算和存储数据需要两个房间跑，而现在所有数据的计算......阅读全文
金属所等发明热发射极晶体管
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有晶体
迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管
据美国趣味科学网站14日报道，美国芯片初创企业Cerebras Systems推出了全新的5纳米级“晶圆级引擎3”（WSE-3）芯片。该公司官网称，这是目前世界上运行速度最快的人工智能（AI）芯片，将此前纪录提高了1倍。WSE-3拥有4万亿个晶体管，也使其成为迄今最大的计算机芯片，专门用于训练大型A
全碳运算元件有望取代硅晶体管
据物理学家组织网近日报道，美国科学家提出一种完全用碳制成运算元件的设计方案。他们表示，这一元件未来能被制造得比硅晶体管更小，且性能更好，有望替代硅晶体管，大大提升计算机的运算速度。研究发表在最新一期的《自然·通讯》杂志上。 现有电子设备离不开晶体管，这种微小的硅结构器件类似开关，能打开和关闭电
晶体管特性图示仪抗干扰能力强
晶体管特性图示仪是与GSX-J2458型教学示波器或GSX-J2459型学生示波器组合成一套专用测试晶体管特性的专用仪器，它能在示波器荧屏上直观地显示出小功率晶体三极管、二极管的特性曲线簇，通过荧屏的标尺刻度读出被测晶体管的各项参数，该仪器还可以与其它类型的专业示波器配套使用。 仪器采用晶
泰克Tektronix－370A晶体管测试仪
泰克Tektronix 370A晶体管测试仪附加的功能：半导体器件的高精度测量高达 2000 伏或 10 安的电源高达 220 瓦1 纳安测量分辨率低至 2 毫伏的测量分辨率波形比较信封显示波形平均点光标开尔文感应测量完全可编程3.5 英寸 MS DOS 兼容磁盘存储，用于保存和调用设置泰克 370
新型纳米晶体管可直接探测细胞内部
据美国物理学家组织网、英国《自然》杂志网站8月12日报道，美国哈佛大学化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管，外膜覆有一层磷脂双分子层，能非常容易地进入细胞内部进行检测，而不会对细胞造成任何可见伤害。 这种新设备称为纳米级场效应传感器或纳米FETs，在本周出版的《
Tektronix370B泰克晶体管图示仪
泰克370B是一种高性能的，GPIB可编程的数字存储曲线示踪器，提供静态和动态的半导体器件测量。该仪器刺激、测量和显示各种二、三、四端器件的半导体特性；包括双极晶体管、场效应晶体管、硅控制整流器、二极管、晶闸管、光隔离器、晶片和集成电路。可以使用接地发射器或接地底座配置进行各种测量。集电器电源产生交
简介功率场效应晶体管的特性
功率场效应晶体管及其特性 一、 功率场效应晶体管是 电压控制器件，在功率场效应晶体管中较多采用的是 V沟槽工艺，这种工艺生产地管称为 VMOS场效应晶体管，它的栅极做成V型，有沟道短、耐压能力强、跨导线性好、开关速度快等优点，故在 功率应用领域有着广泛的应用，出现一种更好的叫 TMOS管，它是
一种运行更快、功耗更少的晶体管
集成电路是由被称作晶体管的半导体装置组成的，这些晶体管已经小到了详尽的电力运作所允许的最小程度，但是现在，聚焦于继续改进这些极小装置——加速它们的运行并降低其功耗——的研究已经找到了一种无需使其缩小就能达到这一效果的新方式。晶体管(这是控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分，帮助电脑进
金属所等发明热发射极晶体管
集成电路是现代信息技术的基石，而晶体管则是集成电路的基本单元。随着晶体管尺寸的不断缩小，其进一步发展的挑战日益增多。因此，探索具有新工作原理的晶体管，已成为提升集成电路性能的关键。传统晶体管主要依赖稳态载流子的传输，而热载流子晶体管则通过将载流子调制到高能态来提升器件的速度和功能，展现出突破现有
n型单组分光晶体管研究获进展
有机半导体材料的发展推动其在可穿戴电子、人工视觉与神经形态计算等前沿技术中的应用。随着新兴技术对光电器件提出更高要求，以异质结构为核心的光晶体管逐渐暴露出结构复杂、可重复性差、激子解离效率低、n型材料库有限等问题，难以适应高集成度与多功能化的发展趋势。相比之下，基于单组分活性层的光晶体管有望简化器件
新方法“刻”出最快柔性硅晶体管
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科研团队，在20日出版的《科学报告》杂志上撰文称，他们使用一种独特方法，研制出了处理速度最快的柔性硅基晶体管，能无线传输数据和能量，有望用在包括可穿戴电子设备和传感器等在内的诸多领域。 目前这一柔性硅晶体管的截止频率为创纪录的38吉赫兹（GHz），而模拟表明，其最
新方法“刻”出最快柔性硅晶体管
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科研团队，在4月20日出版的《科学报告》杂志上撰文称，他们使用一种独特方法，研制出了处理速度最快的柔性硅基晶体管，能无线传输数据和能量，有望用在包括可穿戴电子设备和传感器等在内的诸多领域。 目前这一柔性硅晶体管的截止频率为创纪录的38吉赫兹（GHz），而模拟表明，其
Tektronix－泰克－370B－晶体管图示仪
Tektronix 泰克 370B 晶体管图示仪泰克370B是一款很具有代表性的晶体管图示仪，泰克370B是专业的测试仪器，泰克370B有专业的晶体管图示仪详细技术指标：交互式程控 所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面扳或 GPIB来完成泰克370B曲线图示仪提供了高达20A/2000V供电功能
单波长单光束、单波长双光束、双波长双光束的异同
相同点：都是通过光束通过样品溶液，通过测定溶液的吸光度，来测定溶液的浓度。不同点：1、单波长单光束分光光度计是经单色器分光后的一束平行光,轮流通过参比溶液和样品溶液,以进行吸光度的测定。2、单波长双光束分光光度计是经单色器分光后经反射镜分解为强度相等的两束光，一束通过参比池，一束通过样品池。光度计能
科学家发明新型“热发射极”晶体管
近期，中国科学院金属研究所科研团队与合作者通过可控调制热载流子来提高电流密度，发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管，并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果8月14日发表于《自然》。载流子的受激发射效果图 金属所供图该项研究工作由中国科学院金属研究所研究员
科学家发明新型“热发射极”晶体管
近期，中国科学院金属研究所科研团队与合作者通过可控调制热载流子来提高电流密度，发明了一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管，并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果8月14日发表于《自然》。 该项研究工作由中国科学院金属研究所研究员刘驰、孙东明和中国科学院院
塑料基底晶体管在美研制成功
晶体管中的电介质栅被换成一种双层分子材料 晶体管制造一般是用玻璃作基底材料，这有利于在多变的环境下保持稳定，从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏
碳纳米管晶体管极具抗辐射能力
美国海军研究实验室电子科技工程师18日表示，他们发现由单壁碳纳米管制作的晶体管(SWCNT)具有在苛刻太空环境中生存的能力。目前他们正在研究电离子辐射对晶体结构的影响，以及支持开发以SWCNT为基础的用于太空辐射环境的纳米电子设备。 实验室材料研究工程师科里·克瑞斯表示，环绕地球外围的电粒
超越硅基极限的二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/515818.shtm 稀土元素钇诱导相变欧姆接触理论和原子级可控精准掺杂技术（北京大学供图）芯片是信息世界的基础核心，传统晶体管因接近物理极限而制约了芯片的进一步发展。原子级厚度的二维半导体理论上
单层二维材料可批量制造超薄晶体管
一种叫做二硫化钼的二维新材料可以在硅衬底上长出单层薄膜，为柔性电子器件的生产开辟了条新路。 用仅有几个原子那么厚的薄膜做出微型、柔性的电路，一直是研究人员的梦想。然而，把这类二维薄膜生长到需要的规模，并生产出成批可靠的电子设备一直是个难题。 现在，材料科学家们已经找出一种方法，可以在直径10
首个竖放晶体管计算机芯片问世
据《科学》消息，美国万国商业机器公司（IBM）和三星的研究人员已经制造出首个将晶体管竖立在两端的计算机芯片原型，即垂直传输场效应晶体管。这一变化将使电路的封装更加紧密，并使更快或更节能的设备成为可能。一种新的具有垂直传输场效应的晶体管 业界知名硬件拆解与分析机构TechInsights半导体行
硅纳米晶体管展现出强量子限制效应
据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 实验中，他们用平版
石墨烯量子晶体管可用作DNA感测器
在基因组测序技术领域，科学家在不断追求速度更快、成本更低的方法和设备。据物理学家组织网10月30日报道，最近，美国伊利诺斯大学厄本那—香槟分校最近开发出了一种新奇的方法：把石墨烯纳米带(GNR)夹在两层有纳米孔(内径约1纳米)的固体膜中间，再让DNA分子穿过这种“三明治”设备，以此来感知辨认所通
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497096.shtm 本报北京3月26日电（记者晋浩天）北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳
延续摩尔定律，二维晶体管潜力如何？
自20世纪60年代以来，电子电路上可容纳的元器件数量每两年便增加一倍，这种趋势就是著名的摩尔定律。随着晶体管越来越小，硅芯片上可容纳的元器件数量在不断增加。但目前看来，硅晶体管正接近它的物理极限。只有开发出全新类型的材料和设备，才能释放下一代计算机的潜力。单分子厚晶体管芯片或许能用来驱动下一代计
新型分子添加剂显著提高有机晶体管性能
莫斯科国立大学的化学家近日发现了一种新型分子添加剂，可显著提高有机晶体管的性能，该材料未来有望成为有机电子学发展的重要基础。相关研究成果发表在《先进材料》杂志上。 这种新分子材料类似放射状胶质细胞，可以作为聚合物基质添加剂使用。莫斯科国立大学研究人员德米特里·伊万诺夫介绍，现有的聚合物添加剂大
场效应管与双极性晶体管的比较
1、场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。 2、场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适
首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世
据美国物理学家组织网2月2日(北京时间)报道，来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管，而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流，在极低的工作电压下，仍能保持出众的电流密度，甚至可超过同尺
首个速度达拍赫兹光电晶体管问世
在一项具有开创性意义的国际合作研究中，美国亚利桑那大学研究团队展示了一种利用持续时间不到万亿分之一秒的超快光脉冲来操纵石墨烯中电子的方法。通过量子隧穿效应，他们记录到了电子几乎瞬间绕过物理屏障的现象，在引入市售晶体管后，成功制造出首个速度达到拍赫兹的光电晶体管。这一成果将重新定义计算机处理能力的极限