碳纳米管晶体管极具抗辐射能力
美国海军研究实验室电子科技工程师18日表示，他们发现由单壁碳纳米管制作的晶体管(SWCNT)具有在苛刻太空环境中生存的能力。目前他们正在研究电离子辐射对晶体结构的影响，以及支持开发以SWCNT为基础的用于太空辐射环境的纳米电子设备。 实验室材料研究工程师科里·克瑞斯表示，环绕地球外围的电粒子带存在着辐射，太空电子设备面临的主要挑战之一是其长时间暴露在辐射环境中而不易受到影响，新的研究显示由碳纳米管制作的晶体管具有极强的抗电离辐射能力，在有电离辐射的情况下其工作性能几乎不变。 通常，电离辐射对晶体管的影响有两种形式，即暂态效应和积累效应。暂态效应是指太空中电离子直接冲击电子设备，导致电子设备中出现电流脉冲。如果该电流脉冲通过电路传递，那么它能让数据中断，这对那些依靠信号(如利用GPS导航)的人们而言是极其有害的。 传统电子设备的累积效应是设备氧化层中产生陷阱电荷的结果。氧化层包括栅氧化层以及用来隔离相邻设备的......阅读全文
碳纳米管晶体管极具抗辐射能力
美国海军研究实验室电子科技工程师18日表示，他们发现由单壁碳纳米管制作的晶体管(SWCNT)具有在苛刻太空环境中生存的能力。目前他们正在研究电离子辐射对晶体结构的影响，以及支持开发以SWCNT为基础的用于太空辐射环境的纳米电子设备。 实验室材料研究工程师科里·克瑞斯表示，环绕地球外围的电粒
航天元器件抗辐射能力选择
随着空间技术、航天战略武器及微电子技术的快速发展，越来越多的电子元器件被航天产品所采用。其中半导体器件（包括：半导体分立器件、集成电路等）大多数是辐射敏感器件，辐射环境对这些器件的性能会产生不同程度的影响，甚至使其失效。针对各种辐射效应，在器件的材料、电路设计、结构设计、工艺制造及封装等各个环节采取
超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究新进展
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强，是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一，并具有较强的空间应用前景。 中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作，研制出基于局域底栅的碳
首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世
据美国物理学家组织网2月2日(北京时间)报道，来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管，而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流，在极低的工作电压下，仍能保持出众的电流密度，甚至可超过同尺
基于新型碳纳米管的薄膜晶体管问世
据美国物理学家组织网2月17日（北京时间）报道，最近，科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管，并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管（TFT），未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。 日本名古屋大学的科学家孙东明（音译）和同事以及芬
碳纳米管晶体管向商用迈出重要一步
碳纳米管很早就被认为是制造下一代晶体管的理想材料。美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题，在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍、比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩。 这不是一次简单的改进，而是碳纳米管晶体管向正式商用迈
晶体管特性图示仪抗干扰能力强
晶体管特性图示仪是与GSX-J2458型教学示波器或GSX-J2459型学生示波器组合成一套专用测试晶体管特性的专用仪器，它能在示波器荧屏上直观地显示出小功率晶体三极管、二极管的特性曲线簇，通过荧屏的标尺刻度读出被测晶体管的各项参数，该仪器还可以与其它类型的专业示波器配套使用。 仪器采用晶
新型碳纳米管纱扭曲能力提高千倍
由美国得克萨斯大学、澳大利亚卧龙岗大学、加拿大不列颠哥伦比亚大学和韩国汉阳大学的研究人员组成的国际研究小组宣布，他们用碳纳米管制造出新型螺旋纱纤维，其扭曲能力比过去已知的材料高1000倍，可利用其制造出比头发丝还细小的微电机。该研究成果发表在近期出版的《科学》杂志上。 碳纳米
苏州纳米所印刷碳纳米管薄膜晶体管研究取得进展
印刷电子技术是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴技术与产业领域，印刷电子技术成为当今多学科交叉、综合的前沿研究热点。高性能新型印刷电子墨水的研制成为印刷电子技术最关键的技术之一。半导体碳纳米管与其他半导体材料相比不仅尺寸小、电学性能优异、物理和化学性质稳定性好，而且碳纳米管构建的晶体管等电子
IBM新型碳纳米管芯片：单芯片上制造上万晶体管
美国IBM公司使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确放置在了一颗芯片内，并且通过了测试。多年来，我们的芯片都根据摩尔定律发展：从以前的微米单位到现在的纳米单位，从以往的90纳
苏州纳米所印刷碳纳米管晶体管与CMOS电路研究获进展
由于碳纳米管具有独特的电学性能、机械性能、优越的物理和化学稳定性以及容易墨水化，使得碳纳米管成为印刷薄膜晶体管，尤其是印刷柔性薄膜晶体管最理想的半导体材料之一。尽管半导体碳纳米纯化技术已日趋成熟，但高纯度半导体碳纳米管的可印刷墨水批量化制备、碳纳米管的准确定位和高性能n型印刷碳纳米管晶体管的构建
阿魏酸的抗辐射作用
辐射导致的器官衰竭很大程度上是由慢性过氧化损伤引起。辐射对机体造成的损伤分直接损伤和间接损伤两种，直接损伤即辐射直接引起细胞内一些敏感分子的断裂；间接损伤则是引起水的辐解导致细胞内活性氧升高进而引起亚细胞结构的改变，因此抗氧化剂被广泛用于辐射损伤的治疗。保护细胞免受活性氧损伤必须保持细胞内稳态的内源
全球首个单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作，首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管，相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。 过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。为了避
北京碳纳米管集成电路研制取得重大进展
碳纳米管器件和集成电路因速度、功耗等方面优势，被认为是未来最有可能替代现有硅基集成电路，延续摩尔定理的信息器件技术之一。经过近20年的研究，碳纳米管电子学在器件物理、器件制备和优化、简单集成电路和系统演示方面取得长足进展。 然而，受限于材料和加工工艺问题，碳纳米管晶体管的制备规模、成品率和均匀
PH复合电极具体维护措施
pH复合电极具体维护如下： a) 电极在测量前必须用已知pH 值的标准缓冲溶液进行定位校准，其pH值愈接近被测pH值愈好。b) 在每次校准、测量后进行下一次操作前，应该用蒸馏水或去离子水充分清洗电极，再用被测液清洗一次电极。c) 取下电极护套后，应避免电极的敏感玻璃泡与硬物接触，因为任何破损或擦毛都
以碳纳米管为基础的全晶片数字电路首次研制成功
据物理学家组织网6月15日(北京时间)报道，最近，美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法，首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路，即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下，整个线路仍能工作。 碳纳米管(CNTs)超越了传统的硅技术，在能效方面有望比硅基线路提高
阿魏酸的抗辐射作用介绍
辐射导致的器官衰竭很大程度上是由慢性过氧化损伤引起。辐射对机体造成的损伤分直接损伤和间接损伤两种,直接损伤即辐射直接引起细胞内一些敏感分子的断裂；间接损伤则是引起水的辐解导致细胞内活性氧升高进而引起亚细胞结构的改变,因此抗氧化剂被广泛用于辐射损伤的治疗。保护细胞免受活性氧损伤必须保持细胞内稳态的
阿魏酸的抗辐射作用介绍
辐射导致的器官衰竭很大程度上是由慢性过氧化损伤引起。辐射对机体造成的损伤分直接损伤和间接损伤两种，直接损伤即辐射直接引起细胞内一些敏感分子的断裂；间接损伤则是引起水的辐解导致细胞内活性氧升高进而引起亚细胞结构的改变，因此抗氧化剂被广泛用于辐射损伤的治疗。保护细胞免受活性氧损伤必须保持细胞内稳态的内源
简述阿魏酸的抗辐射作用
辐射导致的器官衰竭很大程度上是由慢性过氧化损伤引起。辐射对机体造成的损伤分直接损伤和间接损伤两种，直接损伤即辐射直接引起细胞内一些敏感分子的断裂；间接损伤则是引起水的辐解导致细胞内活性氧升高进而引起亚细胞结构的改变，因此抗氧化剂被广泛用于辐射损伤的治疗。保护细胞免受活性氧损伤必须保持细胞内稳态的
受辐射材料形变检测能力达到纳米级
据美国物理学家组织网6月26日报道，加利福尼亚大学劳伦斯·伯克利国家实验室和洛杉矶阿拉姆斯国家实验室开发出一种辐射检测技术，能在纳米水平检测核辐射对材料机械性能造成的改变。该技术有助于设计反应堆装置，开发建造核设施的新型工程材料，并在日常维护检测中，减少所需的材料用量。该研究发表在近日出版的《自
新技术使蚊子获得抗疟疾能力
一项12月10日发表于《自然》的研究发现了用于对抗疟疾的新方法。科学家利用基因驱动的遗传技术，对坦桑尼亚特有的传播疟疾的冈比亚按蚊进行测试，结果显示如果该技术在该国释放，应该能够有效阻止疟疾的传播。英国帝国理工学院的George Christophides表示：“这肯定是一项改变游戏规则的技术。”通
日本核辐射再受关注－抗辐射中药或成行业新亮点
近期，随着日本地震和核电站事故的发生，抗辐射药物再次受到市场关注。有研究表明，相对于化学药而言，部分中药具有较好的抗辐射作用，而且药源广、毒性低。鉴于在亚太地区中药的认同度相对较高，未来抗辐射中药或将拉高医药行业的景气程度，行业增速或进一步提高。 中药具治疗优势
碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，
美国科学家在碳纳米管晶体管制造技术上获得一项突破
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得了一项突破。由其开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题，在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍，比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩。碳纳米管晶体管向正式商用迈出了关键一步。相关论文发表在《
下一代纳米设备将大量应用新材料
据了解，根据摩尔定律，半导体芯片上集成的晶体管数量每两年就会翻一倍，其能耗也迅速增加。而且传统的电子设备在极端环境如高温或辐射条件下，也无法保证运行。为了支持设备升级并降低能耗，研究人员一直在寻找替代技术或混合型技术，其中纳米电机(NEM)交换技术正逐渐显出光明的前景。过去10年来，科学家对开发
中关村指数发布：创新环境和辐射能力显著提升
日前，由中关村创新发展研究院编写的“中关村指数2020”发布。数据显示，中关村指数稳步提升，近五年来年均提高17.2。中关村示范区科技创新环境、辐射带动能力均显著提升。 据悉，为了客观、全面评价中关村示范区的发展，中关村创新发展研究院连续13年开展中关村指数研究，通过指数形式反映中关村示范区
IBM碳纳米管商用技术取得重大突破
IBM的研究人员近期宣布，已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战，这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。 过去几十年，半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管，从而不断加强芯片的性能。不过，这一发展很快就将遭遇物理极限。目前，IBM的研究人员表示，凭借“重要的工程突破”，碳纳米
美国IBM公司碳纳米管商用技术取得重大突破
美国IBM公司的研究人员近期宣布，已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战，这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。 过去几十年，半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管，从而不断加强芯片的性能。不过，这一发展很快就将遭遇物理极限。目前，IBM的研究人员表示，凭借重要的工程突破，
新研究提高钛合金抗氧脆能力
西安交通大学金属材料强度国家重点实验室孙军院士和张金钰教授团队提出了一种违反直觉的设计策略，利用间隙原子-位错交互作用显著扭曲热机械加工预先引入刃位错的平面应力场，使其转变为非平面应力场，这促使多个马氏体变体沿富O的刃位错线同时形核，从而构筑出间隙O强化的纳米孪晶α'马氏体新型微观结构，进而
《自然》：人体天生抗HIV能力机制得以阐明
APOBEC-3G酶能从一开始就阻止HIV的复制 人类具有内置的抗HIV的武器——名为APOBEC-3G的酶，但迄今无人知道该如何开启它的潜能。美国科学家近日研究揭示了这种酶的原子结构，为药物开发指明了新方向。相关论文10月12日在线发表于《自然》(Nature)杂志上。 APOBEC-3G存在