一种运行更快、功耗更少的晶体管
集成电路是由被称作晶体管的半导体装置组成的，这些晶体管已经小到了详尽的电力运作所允许的最小程度，但是现在，聚焦于继续改进这些极小装置——加速它们的运行并降低其功耗——的研究已经找到了一种无需使其缩小就能达到这一效果的新方式。晶体管(这是控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分，帮助电脑进行范围广泛的计算密集型作业。有2种类型，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或称MOSFETs及其变种——浮置栅(FG)的MOSFET ——的使用特别广泛。 MOSFET的作用相当于电信号的一个开启/关闭切换器。在这样一种装置中，当施加电荷时，某个电极——其作用相当于一个栅极——会开放另外2个电极(这两个电极被称作源极和漏极)之间的连接，——且电信号会在这2者之间传导。在没有电荷时，源极和漏极之间的导电性会停止。一个浮动栅 MOSFET类似于一......阅读全文
SiC－MOSFET在汽车和电源应用中优势显著（一）
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电
SiC－MOSFET在汽车和电源应用中优势显著（二）
我们用混动汽车和电动汽车的80kW牵引电机逆变器电源模块做了一个SIC MOSFET与硅IGBT的对比测试，结果显示，在许多关键参数方面，650V SIC MOSFET远胜硅IGBT。这个三相逆变器模块采用双极性PWM控制拓扑，具有同步整流模式。两种器件都是按照结温小于绝对最大额定结温80％
一篇文章读懂超级结MOSFET的优势
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷，这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（一）
摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量，工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此，半导体製造商必须花费大量心神，来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体（ST）最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体（SiC MOSFET）技术，为电力切换领域立下全新的效能标准。本文将强调出无论就能源效率、
一种运行更快、功耗更少的晶体管
集成电路是由被称作晶体管的半导体装置组成的，这些晶体管已经小到了详尽的电力运作所允许的最小程度，但是现在，聚焦于继续改进这些极小装置——加速它们的运行并降低其功耗——的研究已经找到了一种无需使其缩小就能达到这一效果的新方式。晶体管(这是控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分，帮助电脑进
场效应管的类型介绍
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致
模电中的场管和运放
凡是学电的，总是避不开模电。 上学时老师教的知识，毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计，《模电》拿起又放下了 n 次，躲不开啊。毕业多年后，回头望，聊聊模电的学习，但愿对学弟学妹有点帮助。 通观整本书，不外是，晶体管放大电路、场管放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、波形及
浅析MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响
LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通（ZVS），MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS，需要满足以下三个基本条件：1）上下开关管50%占空比，1800对称的驱动电压波形；2）感性谐振腔并有足够的感性电流；3）要有足
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（三）
图8：100％扭力电流下每个开关的功率耗损图8则是在100％扭力电流下以同样方式进行比较。功率耗损分为开关（传导和切换）和反平行二极体，以找出主要差别。和硅基IGBT相比，碳化硅MOSFET解决方案很明显可大幅降低整体功率损耗。有这样的结果是因为无论静态和动态状况下，不分开关或二极体，功率耗损都会减
使用碳化硅－MOSFET－提升工业驱动器的能源效（二）
3．静态与动态效能以下将比较两种技术的静态和动态特质，设定条件为一般运作，接面温度TJ ＝ 110 °C。图5为两种元件的输出静态电流电压特性曲线（V－I curves）。两相比较可看出无论何种状况下碳化硅MOSFET的优势都大幅领先，因为它的电压呈现线性向前下降。即使碳化硅MOSFET必须要有VG
深度解读：到底什么是IGBT？（一）
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。 然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。 一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器
节能核心技术获国家扶持－功率半导体产业进黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。 功率半导体是节能减排的关键技术和基础技
节能核心技术获国家扶持－功率半导体产业进黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半导体将迎来重要战略机遇期和黄金发展期。 功率半导体是节能减排的关键技术和基础技术，
我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517724.shtm随着集成电路制造工艺下探亚5纳米技术节点，传统的晶体管尺寸微缩路线无法像过去一样使“器件-芯片”性能提升并控制成本。“在此背景下，学术界与工业界近年来提出多种创新器件技术，以期克服常规
微电子所发明ZL荣获“中国ZL优秀奖”
近日，国家知识产权局印发《关于第十七届中国ZL奖授奖的决定》（国知发管字〔2015〕67号），中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑的中国发明ZL“半导体器件及其制造方法”（ZL号：ZL 200910235339.9）荣获“中国ZL优秀奖”。 “半导体器件及其制造方法”提
薄膜晶体管的原理简介
薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管.它的工作状态可以利用 Weimer 表征的单晶硅 MOSFET 工作原理来描 述.以 n 沟 MOSFET 为例,物理结构如图 2. 当栅极施以正电压时,栅压在栅绝缘层中产生电场,电力线由栅电极指向半导体表面,并在表面处产生感应电 荷.随着栅电压增加,半导体表
华人科学家首获国际功率半导体先驱奖
日前，在第27届国际功率半导体器件与集成电路年会上，电子科技大学教授、中国科学院院士陈星弼因在高压功率MOSFET理论与设计的卓越贡献，获“国际功率半导体先驱奖”，成为首位获得该奖项的华人科学家。 国际功率半导体器件与集成电路年会是功率半导体领域顶级学术年会，自1992年开始举办，每年一届。至
半导体功率器件可靠性水基清洗分析
导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—
对比6种电流测量方法的优缺点（二）
晶体管 RDS（ON） -漏极到源极的导通电阻 由于晶体管对电路设计来说是标准的控制器件，不需要电阻或消耗能量的器件来提供控制信号，因此晶体管被认为是没有能量损失的过流探测方法。晶体管数据表给出了漏极到源极的导通电阻（RDS（ON）），功率MOSFET的典型电阻一般在毫欧范围内。这个电阻由几
半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
半导体展会2024上海半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
热阻测试仪的应用范围及功能
1.应用范围: ①各种三极管、二极管等半导体分立器件，包括：常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率 IGBT、MOSFET、LED 等器件； ②各种复杂的 IC以及 MCM、SIP、SoC 等新型结构 ； ③各种复杂的散热模组的热特性测试，如热管、风扇等 。 2.功能： ①半导体
IGBT的概念和应用特点
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器
Tektronix－泰克－370B－晶体管图示仪
Tektronix 泰克 370B 晶体管图示仪泰克370B是一款很具有代表性的晶体管图示仪，泰克370B是专业的测试仪器，泰克370B有专业的晶体管图示仪详细技术指标：交互式程控 所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面扳或 GPIB来完成泰克370B曲线图示仪提供了高达20A/2000V供电功能
2025深圳半导体展会|半导体材料展会|半导体设备展会|
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
三极管开关原理与场效应管的开关原理（二）
结型场效应管（N沟道JFET）工作原理：可将N沟道JFET看作带“人工智能开关”的水龙头。这就有三部分：进水、人工智能开关、出水，可以分别看成是JFET的 d极 、g 极、s极。“人工”体现了开关的“控制”作用即vGS。JFET工作时，在栅极与源极之间需加一负电压（vGS＜0），使栅极、沟道间的PN
全国官宣/半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
MOS场效应管电源开关电路简介
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效
中国科学家晶体管开发取得突破
中国研究人员8月8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更容易、迅速，整个过程都可在低电压条件下完成，为实现芯片低功耗运行创造了条件。 研究负责人、复旦大学教授王鹏飞对新华社记者说：“我国集成