硅上的多通道三栅极III氮化物高电子迁移率晶体管
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）和中国的Enkris半导体公司所制造的材料结构由5个平行层组成，包括10nm氮化铝镓（AlGaN）阻挡层，1nm AlN间隔层和10nm GaN沟道（图1）。其中阻挡层是以5x1018／cm3的部分水平掺杂硅以增强导电性。图1：（a）多沟道三栅AlGaN ／ GaN MOSHEMT的示意图。（b）三栅区的横截面示意图。插图：多通道异质结构。（c）等效电路。（d）三栅区域的横截面扫描电子显微镜图像，倾斜52°。在五个平行的薄二维电子气（2DEG）通道上的霍尔测量给出了薄层电阻为230Ω／平方，具有1．5x1013／cm2的载流子密度和1820cm2／V－s迁移率（μ）。有效电阻率（ρeff）为2．4mΩ－cm，但总厚度（ttot）较小。该团队称：“小......阅读全文
化学所高质量石墨烯和氮化硼的制备及性能研究获进展
高质量二维原子晶体的可控制备是基础研究和应用开发的前提，目前是迫切需要优先研究的重大基础科学问题之一。可控制备的最终目的是获得大面积、单层和单晶结构的二维原子晶体。 在中国科学院、科技部和国家自然科学基金委的大力支持下，中国科学院化学研究所有机固体重点实验室的相关科研人员最近在石
探索射频前端技术
引言：2017 年，Qorvo 出版了第 1 版《5G 射频技术 For Dummies》。该书以通俗易懂的语言，帮助业界许多人士掌握了一些围绕 5G 技术的复杂概念。在之前，我们也做了《科普丨重新认识 5G》、《科普丨了解 5G 核心实现技术》、《科普丨发现 5G 的不同之处》、《科普丨介绍
微波功率晶体管相关介绍
微波功率晶体管可在微波频率下可靠地输出几百毫瓦至几十瓦的射频功率。这就要求晶体管在微波频率下具有良好的功率增益和效率。高频率和大功率是矛盾的，故微波功率晶体管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率性能的主要途径有:①提高发射极的“周长/面积比”，以提高单位
印度知名研究机构订购牛津多台设备
牛津仪器等离子技术部是刻蚀、沉积和生长设备的领导者，近期获得位于印度班加罗尔的印度科学院（IISc）纳米电子研究中心（CEN）采购三台等离子刻蚀与沉积设备的订单。这三台System100等离子刻蚀与沉积设备将安装在该纳米电子研究中心（CEN）先进的纳米电子设备无尘室内，其中两台是PlasmaPr
科学家解开石墨烯取代硅基材料的“死穴”
英国利物浦大学的科学家开发出一种与石墨烯相关的新材料，其具有改善电子设备中使用的晶体管的潜力。这种名为“三嗪基石墨相氮化碳”的新材料早在1996年就获得了理论预测，但这是它第一次被研制出来。 目前的晶体管由昂贵的硅制成，在电子设备中应用时会产生热量。科学家们一直在寻找一种可以取代硅的碳基材料，
科学家解开石墨烯取代硅基材料的“死穴”
英国利物浦大学的科学家开发出一种与石墨烯相关的新材料，其具有改善电子设备中使用的晶体管的潜力。这种名为“三嗪基石墨相氮化碳”的新材料早在1996年就获得了理论预测，但这是它第一次被研制出来。 目前的晶体管由昂贵的硅制成，在电子设备中应用时会产生热量。科学家们一直在寻找一种可以取代硅的
英科学家解开石墨烯取代硅基材料的“死穴”
英国利物浦大学的科学家开发出一种与石墨烯相关的新材料，其具有改善电子设备中使用的晶体管的潜力。这种名为“三嗪基石墨相氮化碳”的新材料早在1996年就获得了理论预测，但这是它第一次被研制出来。 目前的晶体管由昂贵的硅制成，在电子设备中应用时会产生热量。科学家们一直在寻找一种可以取代硅的碳基材料
第三代半导体产研院成立
本报南京10月19日电 （记者王伟健）如何让半导体器件更小、耐受更高电压、具备更低导通电阻和更快的开关速度？以氮化镓（GaN）为主的第三代半导体将成为发展方向。日前，江苏华功第三代半导体产业技术研究院成立，致力于第三代半导体技术的产业化。 硅半导体材料和器件在材料质量、器件设计、工艺优化等
氮化镓植于石墨烯可制成随意折叠变形的LED材料
目前，许多由有机材料制造的电子和光电子材料都具备良好的柔韧度，易于改变形状。与此同时，不易形变的无机化合物在制造光学、电气和机械元件方面展现出了强大的性能。但由于技术原因，二者却很难优势互补，功能优异的无机化合物半导体也因不易塑形的特点而遇到了发展障碍。 幸好，氮化镓与石墨烯的结合，部分实现了
世界最小！美国麻省理工学院团队研制出全新纳米级3D晶体管
美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管，其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管，将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于5日出版的《自然·电子学》杂志。 新型晶体管的“艺术照”。图片来源：美国麻省理工学院官网
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果发表于《自然—通讯》。 随着对数据驱动型应用，如新一代机器学习加速器和物联网等需
射频功率放大器（RF－PA）概述（三）
半导体材料的变迁：Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs工艺。另外，GaAs HBT，
微电子所太赫兹晶体管研究取得新进展
InP基太赫兹晶体管的(a)直流与(b)高频特性 太赫兹波（T-ray，0.1–10 THz）在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景，高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日，中国科学院微电子研究所
备受看好的氧化镓材料是什么来头？－（二）
行业的领先厂商 既然这个材料拥有这么领先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，据半导体行业观察了解，京都大学投资的Flosfia、NICT和田村制作所投资的Novel Crystal是最领先的Ga2O3供应商。 相关资料显示，Flosfia成立于20
“重利用”开启砷化镓新时代
斯坦福大学的研究人员发明了一种可以大大降低生产砷化镓电子设备成本的制造工艺，开辟了砷化镓的新用途。 在电脑芯片、太阳能电池以及其它的电子设备中，半导体一直都是传统的硅材料；硅制成的特殊材料拥有独特的电性能-----可以控制（打开或关闭）电流，就像水龙头控制水流一样。当然，还
超越硅基极限的二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/515818.shtm 稀土元素钇诱导相变欧姆接触理论和原子级可控精准掺杂技术（北京大学供图）芯片是信息世界的基础核心，传统晶体管因接近物理极限而制约了芯片的进一步发展。原子级厚度的二维半导体理论上
物理所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所
胡文平研究员：为未来“明星材料”奠定科学基础
有机电视、电子纸、有机照明、有机太阳能电池……对普通人而言，“有机电子学”的概念可能是陌生的，但其应用已经走进了人们的视野。据国际知名有机电子咨询机构IDTechEx计算，有机电子器件在未来的20年里，有可能占据3000亿美元的市场份额，成为一个庞大的商业领域。 在有机电子学中，有机场效应晶体
解析先进半导体制程未来可能面临的挑战及解决办法1
7奈米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律（Moore’s Law）的下一重要关卡。半导体进入7奈米节点后，前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战，半导体厂已加紧研发新的元件设计构架，以及金属导线等材料，期兼顾尺寸、功耗及运算性能表现。 台积电预告2017年第二季10奈米芯片将会量产，7奈米制程的量产
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510139.shtm9月28日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和
2024深圳国际新能源汽车功率半导体展览会
2024深圳国际新能源汽车功率半导体展览会Shenzhen New Energy Vehicle Power Semiconductor Technology Exhibition基本信息时间：2024年12月4-6日地点：深圳国际会展中心展会简介 “2024深圳国际新能源汽车功率半导体技术
我科学家成功制备二维黑磷场效应晶体管
记者从中国科学技术大学获悉，该校微尺度物质科学国家实验室陈仙辉教授课题组与复旦大学张远波教授、封东来教授和吴骅教授课题组合作，在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得重要进展，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。研究成果日前在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。 单层原子厚度的石墨
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展［Fumimasa Horikiri et al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 该团队希望该技术能够在高场中能够
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（三）
SiC的高压肖特基二极管应该是在几年内在轨道交通中得到引用。而开关管的应用需要更长的系统评估。中车和国网在这方面的持续投入研发为SiC功率器件研究打下了深厚的基础，是国家第三代半导体器件发展的中坚力量。 现在大家讲第三代半导体产业往往关注于电力电子器件和射频器件的市场，其实第三代半导体
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（四）
想要电动机启动，可不是合上闸这么简单。想要实现远程控制和多点控制，需要做的还有很多。本文列举几个最基本的电动机控制回路，除了在生产中的机械控制需要用到外，在设计PLC电路时，这些也是必备单元。 本文将由易到难逐一讲解。 电动机控制回路常用元件 按钮▼ 按钮分为启动按钮、停止按
新型数字开关由石墨烯和氮化硼纳米管制成
氮化硼纳米管和石墨烯的化学结构是制备新型数字开关的关键。 科学家将石墨烯和氮化硼纳米管结合，制成全新的混合数字开关，可作为电子产品中控制电流的基本元件。未来有望借此制成不含硅半导体的晶体管，让计算机、手机、医学设备和其他电子产品的速度更快、体积更小。 石墨烯可“变身”为各种独特的材料，氮化硼
半导体功率器件可靠性水基清洗分析
导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—
中国科大合作制备出二维黑磷场效应晶体管
近日，中国科学技术大学教授陈仙辉课题组在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得进展。研究组与复旦大学教授张远波、封东来和吴骅课题组通力合作，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。该研究成果于3月2日在线发表在《自然·纳米科技》杂志上。 单层原子厚度的石墨烯的发现标志着二维晶体作为一
便携式生物传感器“嗅出”心脏病和癌症等疾病信号
一项发表在《ECS Journal of Solid State Science and Technology》期刊上的研究显示，来自台湾国立清华大学（National Tsing Hua University）和成功大学（National Cheng Kung University）研究人员组