CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果发表于《自然—通讯》。 随着对数据驱动型应用，如新一代机器学习加速器和物联网等需求的持续增长，传统的冯诺依曼架构面临着严重的“存储墙”挑战，硅基晶体管工艺制程的缩小进一步加剧了这种情况。为了突破该瓶颈，集存储单元和计算单元为一体的单片三维集成或者存内计算，成为一种潜在的解决方案。但用于CMOS后端集成的硅基技术受到低热负载（小于400摄氏度）的限制，二维材料、氧化物半导体等这些超硅器件可以很好地兼容CMOS后端工艺。 氧化物半导体具有工艺温度低、透明度好、薄膜可大面积生长、电子迁移率高、能带隙宽等优点，这些优点使其适用于内存驱动电路以及基于高性能薄膜晶体管的逻辑电路。随着人们对实现具有新功能和超强计算能力的新型......阅读全文
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得突破
中新社成都4月11日电(记者 贺劭清)记者11日从电子科技大学获悉，中韩科研人员首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一在新型半导体材料和器件领域取得的重大突破，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。这一研究成果以《Se
《自然》最新成果突破领域二十年研究瓶颈
近日，电子科技大学研究团队首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈，进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成，在线发表于《自然》。相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低成本、
《自然》最新成果突破领域二十年研究瓶颈
近日，电子科技大学研究团队首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈，进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成，在线发表于《自然》。相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低成本、
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果发表于《自然—通讯》。 随着对数据驱动型应用，如新一代机器学习加速器和物联网等需
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510139.shtm9月28日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和
新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录
科技日报北京7月17日电 （记者刘霞）据美国趣味科学网站16日报道，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部（DEVCOM）陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。其
新型薄膜半导体电子迁移速度创纪录
据美国趣味科学网站16日报道，来自美国麻省理工学院、美国陆军作战能力发展司令部（DEVCOM）陆军研究实验室和加拿大渥太华大学等机构的科学家，利用名为三元石英的晶体材料，成功研制出一种新型超薄晶体薄膜半导体。薄膜厚度仅100纳米，约为人头发丝直径的千分之一。其中电子的迁移速度创下新纪录，约为传统半导
过渡金属氧化物能带上是金属还是半导体
过渡金属氧化物既能带上金属性质，也能带上半导体性质，这是由于它们的电子结构的特殊性决定的。过渡金属氧化物的电子结构是由一层金属核心电子层和一层外围电子层组成的，这两层电子层之间的电子转移能力很强，使得这些物质具有金属性质和半导体性质的双重性质。因此，您可以说过渡金属氧化物既能带上金属性质，也能带上半
CHMOS和HMOS的区别
1、性质不同：互补金属氧化物就是互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。HMOS描述了集成电路中MOS管的结构，即在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。2、用途不同：CMOS感光器件主要应用于少数名片扫描仪和文件扫描仪。在MOS三明治结构上，金属电极相对于P
CMOS传感器的特点简介
CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，最近几年在宽动态、低照度方面发展迅速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是利用硅和锗两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带正电的晶体管来实现基本的功能。这两个互补效应所产生的电流即可被
刘云圻院士团队Adv.－Mater.：可弯曲的高性能双极性晶体管
有机场效应晶体管（OFETs）具有质量轻、可弯曲和可大面积溶液加工等特点，在柔性电子学和可穿戴器件方面具有广阔的应用前景。高性能的有机半导体材料是OFET的核心组成部分以及OFET应用的基础。其中，双极性材料在制备低成本的互补金属氧化物半导体（CMOS）电路中有重要的应用价值。 目前报道的大部
我国科学家研发全球首颗二维硅基混合架构闪存芯片
大数据与人工智能时代对数据存取性能提出极致要求，而目前速度最快的存储器为易失性存储器，速度为1-30纳秒，断电后数据会丢失。传统闪存不会轻易丢失数据，但工作效率落后于芯片算力10万倍以上。记者从复旦大学获悉，该校集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森团队率先研发出全球首
采用金属氧化物半导体场效应管气敏传感器的电子鼻
金属氧化物半导体场效应管气敏传感器是基于敏感膜与气体相互作用时漏源电流发生变化的机理制成的,当电流发生变化时,传感器性能发生变化,通过分析器件性能的变化即可对不同的气体进行检测分析。此类传感器在制备时需要在栅极上涂敷一层敏感薄膜,覆盖不同的敏感薄膜,就构成不同选择性的金属氧化物半导体场效应管气敏传感
我国科学家在超低功耗集成电路晶体管领域取得突破
集成电路的发展目标已经由提升性能和集成度转变为降低功耗，其最有效的方法即降低工作电压。目前，互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（14/10纳米技术节点）工作电压已经降低到了0.7V，而金属氧化物半导体场效应晶体管中亚阈值摆幅（60毫伏/量级）的热激发限制导致其工作电压不能低于0.64V。因
世界首台非硅二维材料计算机问世
硅在支撑智能手机、电脑、电动汽车等产品的半导体技术中一直占据着王者地位，但美国宾夕法尼亚州立大学领导的一个研究团队发现，“硅王”的统治地位可能正在受到挑战。该团队在最新一期《自然》杂志上发表了一项突破性成果：他们首次利用二维材料制造出一台能够执行简单操作的计算机。这项研究标志着向造出更薄、更快、更节
微电子所青促会举办学术交流会
10月20日，“长江学者”、“国家杰出青年科学基金”获得者、东南大学教授黄庆安应邀做客中国科学院微电子研究所“青促会创新论坛”，作了题为《互补金属氧化物半导体晶体管（CMOS）、微机电系统（MEMS）技术与产业发展》的学术报告。微电子所副所长陈大鹏研究员主持交流会，青年科研骨干、研究生共50余人
利用钨氧化物中的氧空位控制电子空穴迁移路径
Angew. Chem. Int. Ed.：利用钨氧化物中的氧空位控制电子空穴迁移路径，以提高其光催化析氧性能 全解水效率主要受到缓慢的析氧动力学的限制。因此，开发活性析氧催化剂是十分必要的。为此，作者设计合成了一种含氧空位的氧化钨光催化析氧催化剂，其析氧速率为683 µmol h-1g-1
硅纳米晶体管展现出强量子限制效应
据美国物理学家组织网3月21日报道，美国得克萨斯大学的一个研究小组用非常细的纳米线制造出一种晶体管，表现出明显的量子限制效应，纳米线的直径越小，电流越强。该技术有望在生物感测、集成电路缩微制造方面发挥重要作用。相关研究发表在最近出版的《纳米快报》上。 实验中，他们用平版
我国率先制备出5纳米栅长碳纳米管
美国《科学》杂志21日刊登了北京大学信息科学技术学院彭练矛和张志勇课题组在碳纳米管电子学领域取得的世界级突破：首次制备出5纳米栅长的高性能碳纳米晶体管，并证明其性能超越同等尺寸的硅基CMOS（互补金属—氧化物—半导体）场效应晶体管，将晶体管性能推至理论极限。 因主流硅基CMOS技术面临尺寸缩减
智能微型机器人用电子“大脑”自主行走
据发表在21日的《科学·机器人》杂志的论文，美国康奈尔大学的研究人员在100到250微米大小的太阳能机器人上安装了比蚂蚁头还小的电子“大脑”，这样它们就可以在不受外部控制的情况下自主行走。 这项创新为新一代微型设备奠定了基础，这些设备可以跟踪细菌、嗅出化学物质、摧毁污染物、进行显微手术并清除动脉
CCLM：定量检测尿中白细胞酯酶和血红蛋白过氧化物酶
最近，尿液纸质条读取器已经可用于自动化测试条分析。研究人员探讨了基于互补金属氧化物半导体（CMOS）传感器技术的Sysmex UC-3500自动尿液化学分析仪在白细胞酯酶和血红蛋白过氧化物酶进行准确性测定的可能性，并研究了可能的混杂因素对这些测量的影响。研究人员使用Sysmex UC-350
CMOS传感器及未来发展应用介绍
CMOS（Complementary Metal－Oxide－Semiconductor），中文学名为互补金属氧化物半导体，它本是计算机系统内一种重要的芯片，保存了系统引导最基本的资料。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共
我国学者在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展
在国家自然科学基金创新研究群体项目（项目编号：61621061）等资助下，北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授团队与彭练矛教授团队合作，在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展。研究成果以“Dirac-source Field-effect Transistors
解析CMOS图像传感器技术及未来发展
在过去的十年里，CMOS图像传感器（CIS）技术取得了令人瞩目的进展，图像传感器的性能也得到了极大的改善。自从在手机中引入相机以来，CIS技术取得了巨大的商业成功。包括科学家和市场营销专家在内的许多人，早在15年前就预言，CMOS图像传感器将完全取代CCD成像设备，就像20世纪80年代中期C
IIIV族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性
IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线，具有一般标准材料所没有的光学特性，从而为开发出基于半导体纳米线的“新一代晶体管”电路研究而铺路。 该研究实验室与挪威科技大学(Norwegian University of Science
全柱成像毛细管等电聚焦电泳仪
全柱成像毛细管等电聚焦电泳仪是一种用于农学领域的分析仪器，于2016年4月12日启用。 技术指标 检测分离技术: 不同于传统的单点检测等电聚焦技术，无需蛋白的移动，保持蛋白高分离度和高重复性，采用CMOS成像技术，全柱成像检测，可以动态监测聚焦过程和变化，快速得到等电聚焦实验结果（10分钟之
硅光子平台开发获重要成果
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员闫江团队在硅光子平台开发方面取得新进展，完成硅基波导集成的锗探测器和硅基调制器的流片并取得优良结果。 硅光子技术是集成电路后摩尔时代的发展方向之一，旨在利用基于互补金属氧化物半导体（CMOS)工艺的大规模集成电路技术在硅基衬底上进行光子
电子—光子—量子一体化芯片系统诞生
据最新一期《自然·电子学》杂志报道，美国波士顿大学、加州大学伯克利分校和西北大学团队联合，开发出全球首个电子—光子—量子一体化芯片系统。这是首次在一块芯片上集成了量子光源与稳定控制电子电路，并采用标准的45纳米半导体制造工艺。其为批量化生产“量子光工厂”芯片、构建大规模量子系统奠定了基础。队表示，在
先进的半导体工艺：FinFET简介
FinFET简介 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是加州大学伯克利分校的胡正明教授。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状
碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有广阔的应用前景。作为最重要的SiC器件,SiC场效应器件(主要指SiC金属—半导体场效应晶体管,MESFET和金属—氧化物—半导体场效应晶体管,MOSFET)以及基于MOS技术