基于新型碳纳米管的薄膜晶体管问世
据美国物理学家组织网2月17日（北京时间）报道，最近，科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管，并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管（TFT），未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。 日本名古屋大学的科学家孙东明（音译）和同事以及芬兰阿尔托大学科学家在最新一期《自然·纳米技术》杂志上，介绍了用这种新碳纳米管制造薄膜晶体管和柔性集成电路的研究。 碳纳米管的电子属性可以分为金属性和半导体性两种，且这两种属性的碳纳米管相互“粘连”成绳索状或束状，这时金属性比半导体性还要强，而只有半导体性的纳米管才可用作晶体管，这就使碳纳米管的用途大打折扣。尽管金属性可增加晶体管载荷子的运动能力，但它也能降低晶体管的开关频率。 最新研究中，科学家研发出了一种制造碳纳米管的新方式，让纳米管的金属性和半导体性之间的平衡达到了最优化。新纳米管网络中包含有直的、相对较长（10微米）......阅读全文
基于新型碳纳米管的薄膜晶体管问世
据美国物理学家组织网2月17日（北京时间）报道，最近，科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管，并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管（TFT），未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。 日本名古屋大学的科学家孙东明（音译）和同事以及芬
美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜
据物理学家组织网8月21日(北京时间)报道，美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料，可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志网络版上。 半导体纳米晶体的大小决定了它们的电子和光学性质
半导体集成电路的厚膜电路和薄膜电路相关介绍
从整个集成电路范畴讲，除半导体集成电路外，还有厚膜电路与薄膜电路。 ①厚膜电路。以陶瓷为基片，用丝网印刷和烧结等工艺手段制备无源元件和互连导线，然后与晶体管、二极管和集成电路芯片以及分立电容等元件混合组装而成。 ②薄膜电路。有全膜和混合之分。所谓全膜电路，就是指构成一个完整电路所需的全部有源
苏州纳米所印刷碳纳米管薄膜晶体管研究取得进展
印刷电子技术是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴技术与产业领域，印刷电子技术成为当今多学科交叉、综合的前沿研究热点。高性能新型印刷电子墨水的研制成为印刷电子技术最关键的技术之一。半导体碳纳米管与其他半导体材料相比不仅尺寸小、电学性能优异、物理和化学性质稳定性好，而且碳纳米管构建的晶体管等电子
苏州纳米所印刷碳纳米管晶体管与CMOS电路研究获进展
由于碳纳米管具有独特的电学性能、机械性能、优越的物理和化学稳定性以及容易墨水化，使得碳纳米管成为印刷薄膜晶体管，尤其是印刷柔性薄膜晶体管最理想的半导体材料之一。尽管半导体碳纳米纯化技术已日趋成熟，但高纯度半导体碳纳米管的可印刷墨水批量化制备、碳纳米管的准确定位和高性能n型印刷碳纳米管晶体管的构建
半导体集成电路概述
半导体集成电路（英文名：semiconductor integrated circuit），是指在一个半导体衬底上至少有一个电路块的半导体集成电路装置。 半导体集成电路是将晶体管，二极管等等有源元件和电阻器，电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路
纳米所在高纯度半导体型碳纳米管分离应用方面获进展
半导体型单壁碳纳米管（s-SWNTs）具有独特的电学、力学和光学特性，被认为是最有希望取代硅延续摩尔定律的半导体材料之一。但是，目前通过常规制备手段所制备的SWNTs均是不同导电属性的SWNTs混合物，极大地阻碍了其优异电子性能的发挥及在诸多高端科技领域里的潜在应用。因此，如何有效地获得高纯度、
苏州纳米所单手性碳纳米管高纯度分离技术研究获进展
单手性碳纳米管是一种颇具前途的电子和光电子材料，具有确定的能带结构和近红外吸收发射特性，在碳基集成电路、红外光探测器与量子光源等方面有广泛的应用前景，有望成为下一代碳基电子的核心材料。已有较多方法（如梯度密度离心法、凝胶色谱法、双水相法）可分离得到多种单手性碳管，但这些单手性碳管的直径基本在1.
IBM新型碳纳米管芯片：单芯片上制造上万晶体管
美国IBM公司使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确放置在了一颗芯片内，并且通过了测试。多年来，我们的芯片都根据摩尔定律发展：从以前的微米单位到现在的纳米单位，从以往的90纳
彭练矛院士：没有芯片，就没有中国未来的现代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm当前，云、大数据、人工智能、个性化医疗和健康监控领域，未来数字化和智慧化的发展，都离不开芯片。毫不夸张地说，芯片就是现代技术的驱动力，中国未来如果没有芯片，就没有中国未来的现代化。集
半导体集成电路的分类概述
集成电路如果以构成它的电路基础的晶体管来区分，有双极型集成电路和MOS集成电路两类。前者以双极结型平面晶体管为主要器件（如图2），后者以MOS场效应晶体管为基础。图3表示了典型的硅栅N沟道MOS集成电路的制造工艺过程。一般说来，双极型集成电路优点是速度比较快，缺点是集成度较低,功耗较大；而MOS
半导体集成电路的设计保障
1) 常规可靠性设计技术。包括冗余设计、降额设计、灵敏度分析、中心值优化设计等。 2) 针对主要失效模式的器件设计技术。包括针对热载流子效应、闩锁效应等主要失效模式，合理设计器件结构、几何尺寸参数和物理参数。 3) 针对主要失效模式的工艺设计保障。包括采用新的工艺技术，调整工艺参数，以提高半
半导体集成电路的工艺保障
1)原材料控制。包括对掩膜版、化学试剂、光刻胶、特别对硅材料等原材料的控制。控制不光采用传统的单一检验方式，还可对关键原材料采用统计过程控制(statisticalprocesscontrol，SPC)技术，确保原材料的质量水平高，质量一致性好。 2)加工设备的控制。除采用先进的设备进行工艺加
半导体集成电路的制造工艺
集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的
我国科学家在超低功耗集成电路晶体管领域取得突破
集成电路的发展目标已经由提升性能和集成度转变为降低功耗，其最有效的方法即降低工作电压。目前，互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（14/10纳米技术节点）工作电压已经降低到了0.7V，而金属氧化物半导体场效应晶体管中亚阈值摆幅（60毫伏/量级）的热激发限制导致其工作电压不能低于0.64V。因
半导体集成电路的发展趋势
就lC产业技术发展的实际情况来看，lC集成度增长速度的降低，并不会导致微电子行业的停滞不前，IC产业可以在产品的多样性方面以及产品性能方面实现现代化发展。随着IC产业的不断发展，IC产品能够更加满足市场的实际需求，IC产业设计人员可以结合行业客户的实际需求来对IC产品进行设计和制造，进而推出多样
北京碳纳米管集成电路研制取得重大进展
碳纳米管器件和集成电路因速度、功耗等方面优势，被认为是未来最有可能替代现有硅基集成电路，延续摩尔定理的信息器件技术之一。经过近20年的研究，碳纳米管电子学在器件物理、器件制备和优化、简单集成电路和系统演示方面取得长足进展。 然而，受限于材料和加工工艺问题，碳纳米管晶体管的制备规模、成品率和均匀
日本开发成功全碳素集成电路
日本名古屋大学与芬兰阿尔托大学共同研究、开发成功全碳素集成电路。属世界首次。 研究小组采用碳纳米管(CNT)制作电极和配电材料、用丙烯树脂制作绝缘材料，合成透明的全碳素集成电路。经测试，其电子移动速度达1000平方米/秒伏特，是一般在树脂基板上嵌入薄膜晶体管而成的集成电路的20倍以上。制品
薄膜晶体管的原理简介
薄膜晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管.它的工作状态可以利用 Weimer 表征的单晶硅 MOSFET 工作原理来描 述.以 n 沟 MOSFET 为例,物理结构如图 2. 当栅极施以正电压时,栅压在栅绝缘层中产生电场,电力线由栅电极指向半导体表面,并在表面处产生感应电 荷.随着栅电压增加,半导体表
薄膜晶体管的概念概述
TFT是在基板 (如是应用在液晶显示器，则基板大多使用玻璃) 上沉积一层薄膜当做通道区。 大部份的TFT是使用氢化非晶硅 (a-Si:H) 当主要材料，因为它的能阶小于单晶硅 (Eg =1.12eV)，也因为使用a-Si:H当主要材料，所以TFT大多不是透明的。另外，TFT常在介电、电极及内部
使用石英晶体微天平研究薄膜生长
引言Gamry公司的eQCM 10M电化学石英晶体微天平的一个用途就是研究薄膜的生长。下面举一个关于薄膜生长影响电极电化学性能的例子。固体接触（SC）离子选择性电极（ISEs）是常用作测量医学及环境应用中离子浓度的一种传感器。SC ISEs的电化学特性取决于在电子传导基底（例如，金，铂）和离子传导膜
美国科学家在碳纳米管晶体管制造技术上获得一项突破
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得了一项突破。由其开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题，在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍，比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩。碳纳米管晶体管向正式商用迈出了关键一步。相关论文发表在《
盘点十大最具潜力新材料：石墨烯颠覆世界
《新材料产业“十二五”规划》为许多的材料在中国未来的发展指明了方向，理财周报本期将沉淀前段时间一直以来材料科学的调查研究精华，为跨越三个阶段的新材料研究列出期终榜单。 本期梳理的十大未来最具潜力的材料，包括：石墨烯、碳纤维、轻型合金、碳纳米管、超导材料、半导体材料、功能薄膜、智能材料、生物材料
2024半导体展会2024北京国际半导体及集成电路产业展
2024中国（北京）国际半导体展览会时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）地点：北京 · 北人亦创国际会展中心2024中国（北京）国际半导体博览会”将于2024
Science：IBM科学家造出世界上最小的晶体管
巨头英特尔（Intel）创始人之一Gordon Moore在1965年提出了业界著名的“摩尔定律（Moore's Law）”，大意为：集成电路上的元器件（例如晶体管）数目，每隔18个月至两年便会增加一倍，性能也将提升一倍。摩尔定律在一定程度上反映了现代电子工业的飞速发展，但时至今日，随着
首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世
据美国物理学家组织网2月2日(北京时间)报道，来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管，而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流，在极低的工作电压下，仍能保持出众的电流密度，甚至可超过同尺
以碳纳米管为基础的全晶片数字电路首次研制成功
据物理学家组织网6月15日(北京时间)报道，最近，美国斯坦福和南加州大学工程师开发出一种设计碳纳米管线路的新方法，首次能生产出一种以碳纳米管为基础的全晶片数字电路，即使在许多纳米管发生扭曲偏向的情况下，整个线路仍能工作。 碳纳米管(CNTs)超越了传统的硅技术，在能效方面有望比硅基线路提高
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
半导体晶体中发现新型准粒子
英国《自然》旗下《通讯·物理》杂志日前发表了一项物理学新成果：德国科学家描述了一种在高质量半导体晶体中发现的新型准粒子——“Collexon”，其可以印证准粒子存在的材料所表现出的独特光学特征，以及不同寻常的物理特性，而这些特点对基础科学和应用科学都非常重要。 在由许多不同粒子组成的微观系统
碳纳米管晶体管极具抗辐射能力
美国海军研究实验室电子科技工程师18日表示，他们发现由单壁碳纳米管制作的晶体管(SWCNT)具有在苛刻太空环境中生存的能力。目前他们正在研究电离子辐射对晶体结构的影响，以及支持开发以SWCNT为基础的用于太空辐射环境的纳米电子设备。 实验室材料研究工程师科里·克瑞斯表示，环绕地球外围的电粒