一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（一）
垂直分层闸流体（Vertical Layered Thyristor；VLT），是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存（DRAM）的成本和复杂性。这是一种静态的内存单元，无需刷新操作；兼容于现有晶圆厂的制造设备，也无需任何新的材料或工艺。相较于一般的DRAM，VLT内存数组能节约高达45％的成本；这是因为它具有更小的VLT内存单元，以及驱动更长行与列的能力，使其得以大幅提升内存数组效率。然而，想要发挥VLT的优势，就必须在依据产业标准发展的成熟DRAM市场展开设计与制造，才能确保兼容于不同供应商的内存产品。目前，基于VLT技术的内存已经具备与现有“第四代低功耗双倍数据速率”（LPDDR4）规格完全兼容的能力。VLT内存组（bank）可以模拟传统DRAM的bank，并兼容于其频率；在设计VLT电路时，设计者可以选择连接标准DDR控制器，或是成本较低的简化版控制器。如果使用标准控制器，由于不需要刷新......阅读全文
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（一）
垂直分层闸流体（Vertical Layered Thyristor；VLT），是Kilopass研发出的新型内存单元，能够显著降低动态随机存取内存（DRAM）的成本和复杂性。这是一种静态的内存单元，无需刷新操作；兼容于现有晶圆厂的制造设备，也无需任何新的材料或工艺。相较于一般的DRAM，VLT
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（五）
免除刷新VLT内存单元最明显的优点之一就是不需要刷新。不过，刷新已经成为DRAM作业的一部份了；无论内存处于闲置状态或是被接通，都必须进行刷新操作，以避免数据丢失。完整的DDR控制器状态机说明了刷新对于运作的影响，如图9所示，所有红色的状态都与刷新或者基于刷新的分支相关；而使用了VLT技术，这些状态
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（四）
VLT内存单元Kilopasss的全新内存单元基于一种垂直分布的闸流体（也被称为半导体控制整流器，或SCR）。这种采取pnpn结构的堆栈建构于一个p－阱上，可带走来自底部n型层的任何空洞。图6：VLT内存单元：带有写入辅助的PMOS晶体管的闸流体在浅沟槽隔离（STI）结构中植入一个埋入式字符
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（二）
1、半导体产业，设计和制造哪个难度大？制造难度更大些。● 现在兼顾设计和制造的公司比较少；● 只做设计公司很多，一般成为fabless，拥有电脑、软件和设计工程师就可以完成设计，输出设计后交由光罩厂、晶圆流片代工厂、封测厂生产器件。● 只做制造的成为fab厂，门坎较高，一条8英寸晶圆流片生产
一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元（三）
LPDDR的运作LPDDR4功能本质上包含四项基本操作：启动、读取、写入和预充电。这些操作的其他变异形式，如突发读取／写入和自动预充电等，可能构成一个更长的指令列表，但并不至于带来新的技术挑战。此外，它还添加了刷新、训练和模式缓存器作业等维护性指令，以因应复杂的操作命令。这些基本的操作简要介
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