郑小宏课题组在二维二氧化锡材料研究中取得进展
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所计算物理与量子材料研究部研究员郑小宏课题组在二维二氧化锡（SnO2）材料研究中取得进展。研究人员基于第一性原理计算方法理论预测SnO2的二维单层δ相（P-4m2）可以稳定存在，并发现δ相的二维SnO2材料具有平面内负泊松比特性。此外，通过空穴载流子掺杂，可诱导体系从非磁态向铁磁序转变，并实现完全自旋极化的半金属性。相关研究成果以Computational Prediction of a Two-dimensional Semiconductor SnO2 with Negative Poisson's Ratio and Tunable Magnetism by Doping为题，发表在Physical Review B上。 SnO2块体是一种n型宽带隙的半导体材料，常见的结构为金红石结构。由于具有较好的化学稳定性、高透光率、低电阻率以及耐酸碱等特点，SnO2在电极材......阅读全文
郑小宏课题组在二维二氧化锡材料研究中取得进展
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所计算物理与量子材料研究部研究员郑小宏课题组在二维二氧化锡（SnO2）材料研究中取得进展。研究人员基于第一性原理计算方法理论预测SnO2的二维单层δ相（P-4m2）可以稳定存在，并发现δ相的二维SnO2材料具有平面内负泊松比特性。此外，通过空穴载流子
实验室反应釜使用的光催化剂介绍
实验室用光化学反应仪进行光化学反应的时候往往会借助各种各样的光催化剂来辅助加速光化学反应进行实验，那么实验室常用的光催化剂有哪些？能作为光催化剂的材料有很多，使用频率高，应用广泛得就是包括二氧化钛(TiO2),。其他纳米光催化剂还有如：氧化锌(ZnO),氧化锡(SnO2),二氧化锆(ZrO2)，硫化
二维锡烯拓扑材料研究取得进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心教授王兵和副教授赵爱迪研究团队与清华大学助理教授徐勇、教授段文晖以及美国斯坦福大学教授张首晟合作，成功制备出具有纯平蜂窝结构的单层锡烯，并结合第一性原理计算证实了其存在拓扑能带反转及拓扑边界态。相关研究成果11月5日在线发表在《自然-材料》（Nat
二维锡烯拓扑材料研究取得进展
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心教授王兵和副教授赵爱迪研究团队与清华大学助理教授徐勇、教授段文晖以及美国斯坦福大学教授张首晟合作，成功制备出具有纯平蜂窝结构的单层锡烯，并结合第一性原理计算证实了其存在拓扑能带反转及拓扑边界态。相关研究成果11月5日在线发表在《自然-材料》（N
碘化铯锡半导体热电性能独特
美国研究人员发现，一种名为碘化铯锡（CsSnI3）的晶体半导体材料具有独特的热电性能，能在保持高电导率的同时，隔绝大部分热量传递。他们在日前出版的美国《国家科学院学报》上发表文章指出，这种材料的热电性质独特，应用前景十分广阔。 碘化铯锡是一种半导体材料，几十年前就被发现，但直到最近几年才受到一
半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
高分散超细铂/二氧化锡/还原石墨烯复合催化材料获进展
近期，固体所梁长浩研究员课题组在高分散超细铂/二氧化锡/还原石墨烯复合材料（Pt/SnO2/rGO）研究方面取得新的进展，相关工作已在Nano Energy上发表（Nano Energy, 2016, 26, 699-707）。 燃料电池作为一种高效、安全、清洁的化学能源而受到众多研究者的广泛
X荧光光谱法测定锡酸铅TDI还原型催化剂中锡和铅含量
报道了一种准确度高、分析步骤简单的锡酸铅TDI还原型催化剂中锡和铅含量的X射线荧光光谱方法(XRF).设计制备了标准样品,研究了仪器测试条件下元素峰位的选择和背景扣除方法.结果表明:X荧光光谱法在不破坏样品的前提下完成对二氧化锡和铅含量的同时测定,重复实验10次,Pb实验相对标准偏差为0.37%;S
二维半导体材料家族又有“小鲜肉”
据美国犹他大学官网消息，该校工程师最新发现一种新型二维半导体材料一氧化锡（SnO），这种单层材料的厚度仅为一个原子大小，可用于制备电子设备内不可或缺的晶体管。研究人员表示，最新研究有助于科学家们研制出运行速度更快且能耗更低的计算机和包括智能手机在内的移动设备。 一氧化锡这个“小鲜肉”由犹他大学
美国发现新型二维半导体材料
近日，美国犹他大学发现一种新型二维半导体材料一氧化锡。据了解，该材料可用于制备计算机处理器和图形处理器等电子设备内的晶体管，有助于研制出运行速度更快、更加节约能源的智能手机和计算机等电子设备。 当前，电子设备内晶体管的玻璃基板由许多层三维材料构成，如硅材料。其弊端在于当电子通过时，会在所有层内
地质地球所等揭示负泊松比锚杆抗动力剪切的支护优越性及机理
随着川藏铁路等国家重大工程建设的开展，高地应力、活动断层及挤压大变形等动力问题对隧道安全建设带来挑战。作为地下工程普遍采用的支护形式，传统锚杆在动力荷载下不具备抵抗大变形的能力。2009年和2014年，中国科学院院士何满潮研发了宏观负泊松比（NPR，Negative Poisson’s effe
关于半导体气敏传感器的基本介绍
半导体气敏传感器是利用待测气体与半导体(主要是金属氧化物)表面接触时，产生的电导率等物性变化来检测气体。按照半导体与气体相互作用时产生的变化只限于半导体表面或深入到半导体内部，可分为表面控制型和体控制型。第一类，半导体表面吸附的气体与半导体间发生电子授受，结果使半导体的电导率等物性发生变化，但内
新方法助力二维半导体材料开发
中国科学院院士、北京科技大学教授张跃及北京科技大学教授张铮团队等提出了一种名为“二维Czochralski（2DCZ）”的方法，该方法能够在常压下快速生长出厘米级尺寸、无晶界的单晶二硫化钼晶畴，这些二硫化钼单晶展现出卓越的均匀性和高质量，具有极低的缺陷密度。1月10日，相关研究成果发表在《自然—材料
锂电材料锡基负极材料锡氧化物的介绍
锡的氧化物包括氧化亚锡、氧化锡和其混合物，都具有一定的可逆偖锂能力，偖锂能力比石墨材料高，可达500mAh/g以上，但首次不可逆容量也较大。SnO/SnO2用作负极具有比容量高、放电电位比较低(在0.4~0.6V vs Li/Li+附近)的优点。但其首次不可逆容量损失大、容量衰减较快，放电电位曲
《今日材料》再次发表智能所纳米器件重要研究成果
最近，中科院合肥物质科学研究院智能所仿生功能材料与传感器件研究中心刘锦淮研究员、“百人计划”黄行九研究员负责的研究组在纳米器件研究领域取得了重要进展，研究成果论文《基于“T”型二氧化锡纳米线的分流器件》（T-shaped SnO2 nanowire current splitter
重量法测定铜合金中的锡
一、方法要点在酸性溶液中锡生成不溶性的偏锡酸，加入硝酸铵，使锡的沉淀呈晶体聚合。过滤后，经灼烧后成二氧化锡，称重计算锡的百分含量。3Sn+4NO3-+4H+ +H2O——→3H2SnO3↓+4NO↑H2SnO3——→H2O+SnO2二、试剂(1)硝酸溶液(1+1)。(2)硝酸铵溶液(15％)。(3)
大连化物所制备出二维锗锡混合钙钛矿新材料
本报讯（记者刘万生 通讯员程鹏飞）近日，中科院大连化物所韩克利研究员团队在二维非铅钙钛矿动力学机理研究方面取得新进展，相关工作发表在《物理化学快报》杂志上。
半导体所发现一种新的二维半导体材料——ReS2
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室由中美联合培养的博士后Sefaattin Tongay等人在吴军桥教授、李京波研究员、李树深院士的团队中，在二维ReS2 材料基础研究中取得新进展，发现ReS2 是一种新的二维半导体材料。相关成果发表在2014年2月6日的《自然-通讯》上，
国科大等：二维半导体新成果登上Nature
经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，难以实现在一层离子注入的
国科大等：二维半导体新成果登上Nature
创新方法打破硅基逻辑电路的底层“封印”经过数十年发展，半导体工艺制程已逐渐逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路以实现三维集成技术的突破，已成为国际半导体领域积极探寻的新方向。由于硅基晶体管的现代工艺采用单晶硅表面离
科学家攻克二维半导体欧姆接触难题
1月11日，南京大学教授王欣然、施毅带领国际合作团队在《自然》上以《二维半导体接触接近量子极限》为题发表研究成果。该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维半导
热扫描探针光刻技术消除二维半导体材料
二维半导体材料，比如二硫化钼（MoS2），表现出了诸多新奇的特性，从而使其具有应用于新型电子器件领域的潜力。目前，研究人员常用电子束光刻的方法，在此类仅若干原子层厚的材料表面定域制备图形化电极，从而研究其电学特性。然而，采用此类方法常遇到的问题之一是二维半导体材料与金属电极之间为非欧姆接触，且
美证实二维半导体存在普适吸光规律
以往的研究表明，二维碳薄片石墨烯拥有一个通用的光吸收系数。而据物理学家组织网近日报道，现在，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室的科学家首次证实，所有的二维半导体也同样普遍适用于一个类似的简单吸光规律。他们利用超薄半导体砷化铟薄膜进行的实验发现，所有的二维半导体，包括受太阳能薄膜和光电器件行业青睐的
福建物构所硼酸锡酸盐半导体白光发射研究获进展
白光发光二极管（WLED）一直是新一代照明光源的热门话题，因为它们有寿命长、能耗低、效率高、体积小等这些突出的优点。多色和/或多组分WLED有着各种不可避免的缺点，例如由于自吸收而导致的效率降低，和由于不同荧光粉的不同降解速率导致的发光颜色不稳定。相比之下，单组分荧光粉WLED不仅可以消除以上缺
理化所关于强负面压缩性材料的研究获进展
在等静压力下沿着特定方向尺寸发生膨胀的现象称为负压缩。负压缩这一反常的应力——应变响应特性是压力调控结构获得新奇物性（如超导、压致荧光等）以及突破常规材料性能极限（如泊松比、压电系数）的重要手段。从维度上分类，负压缩可分为线（一维）、面（二维）和体（三维）。面负压缩是负压缩性的极限，具有最高的结
中国科学家国际首次制备出锡烯二维晶体薄膜材料
二维类石墨烯晶体锡烯具有极其优越的物理特性，是一类大能隙二维拓扑绝缘体，有可能在室温下实现无损耗的电子输运，因此在未来更高集成度的电子学器件应用方面具有极其重要的潜在价值。但是由于巨大的材料制备和物理认知上的困难，如何在实验上制备出锡烯材料，成为当前国际凝聚态物理和材料学领域科研人员努力的焦点。
半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中，在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》(Nanoscale)上，并被选为“热点论文”(Hot
福建物构所半导体纳米异质结光催化材料研究取得进展
不同反应阶段SnO2/α-Fe2O3半导体异质结的SEM图(a)反应30分钟；(b)反应100分钟；(c)反应120分钟；(d)反应180分钟 异质结通常由两种不同的半导体单晶材料通过异质外延生长复合而成，具有不同于单一半导体的理化特性。由于纳米效应，纳米尺度的半
陶瓷气凝胶或成航空航天新材料
陶瓷气凝胶因其超轻、耐火、耐腐蚀、耐高温等特性，非常适合解决航空航天领域的隔热问题，但其脆性、高温析晶、热震坍缩等问题严重制约了相关研究和应用。近日，哈尔滨工业大学、兰州大学、美国加州大学洛杉矶分校、加州大学伯克利分校等高校研究人员，共同研究合成了米层状结构的双曲线结构陶瓷气凝胶，通过结构设计实
二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入