郑小宏课题组在二维二氧化锡材料研究中取得进展
近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所计算物理与量子材料研究部研究员郑小宏课题组在二维二氧化锡（SnO2）材料研究中取得进展。研究人员基于第一性原理计算方法理论预测SnO2的二维单层δ相（P-4m2）可以稳定存在，并发现δ相的二维SnO2材料具有平面内负泊松比特性。此外，通过空穴载流子掺杂，可诱导体系从非磁态向铁磁序转变，并实现完全自旋极化的半金属性。相关研究成果以Computational Prediction of a Two-dimensional Semiconductor SnO2 with Negative Poisson's Ratio and Tunable Magnetism by Doping为题，发表在Physical Review B上。 SnO2块体是一种n型宽带隙的半导体材料，常见的结构为金红石结构。由于具有较好的化学稳定性、高透光率、低电阻率以及耐酸碱等特点，SnO2在电极材......阅读全文
中国科大二维磁性半导体材料研究获进展
中国科学技术大学国家同步辐射实验室副研究员闫文盛、孙治湖和刘庆华组成的研究小组在教授韦世强的带领下，利用同步辐射软X射线吸收谱学技术，在研究二维超薄MoS2半导体磁性材料的结构、形貌和性能调控中取得重要进展。该研究成果发表在《美国化学会志》上。 二维超薄半导体纳米片具有宏观上的超薄性、透明性
新型金属硫化物二维半导体材料性质探明
近日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下，取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展，探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。2月7日，相关成果发表在英国皇家化学会主办的《纳米尺度》上，并被选为热点论文。
二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入
智能所持久性有机污染物检测电学纳米器件研究获成果
近期，中科院合肥物质科学研究院智能所仿生功能材料与传感器件研究中心刘锦淮研究员、黄行九研究员领导的研究团队在持久性有机污染物检测电学纳米器件研究方面取得一系列新成果。 持久性有机污染物（POPs）指人类合成的能持久存在于环境中、通过生物食物链（网）累积、并对人类健康产生危害的
二氧化碳电催化转化制甲酸研究获进展
可再生能源驱动的二氧化碳（CO2）电化学还原技术是前景广阔的可持续未来技术。在安培级电流密度下，实现可储存液体燃料的高效生产是二氧化碳电还原技术的瓶颈。同时，在大电流密度下，催化剂表面无论发生CO2还原反应还是析氢反应，H+的快速消耗均使局部处于强碱环境，输入的大部分CO2未被还原，而是通过与OH-
科学家模拟合成新型石墨烯－可应用于纳米尺度电子器件
一般来说，石墨烯是一种六边形结构的碳材料。日前，北京大学应用物理与技术研究中心王前教授课题组与其他国际合作者模拟了一种称为五边形石墨烯的新型碳材料的合成。与由碳六元环所构成的石墨烯不同，这种碳的新同素异形体是以纯碳五元环为结构基元构成的二维结构，并具有可与石墨烯媲美的优异性质
“净负”系统将二氧化碳完全转为乙烯
美国伊利诺伊大学芝加哥分校（UIC）研究人员发现了一种方法，可将工业废气中捕获的二氧化碳100%转化为乙烯。乙烯是塑料产品的关键成分，当使用可再生能源运行时，该技术可使塑料生产实现净负排放。相关论文发表在最近的《细胞报告·物理科学》上。 十多年来，虽然研究人员一直在探索将二氧化碳转化为乙烯的可能
氧化物半导体的定义和应用
氧化物半导体（oxide semiconductor）具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造湿敏元件；SnO2膜用于制做透明电极等。
我国新型二维锗锡混合钙钛矿材料可提高光伏材料性能
近日，大连化物所复杂分子体系反应动力学研究组（1101组）韩克利研究员团队在二维非铅钙钛矿动力学机理研究方面取得新进展，相关工作发表在《物理化学快报杂志》（The Journal of Physical Chemistry Letters）上。 二维有机-无机钙钛矿材料具有较高的稳定性和独特的
具有千个晶体管的二维半导体问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512252.shtm
全球最大规模二维半导体微处理器发布
“雕塑同样的物品，用豆腐雕刻比用玉石雕刻更难，因为材料的脆弱大大提升了雕刻难度。”复旦大学研究员包文中向记者形象地描述了使用二维半导体与传统硅基半导体制造微处理器的难度区别。记者2日从该校获悉，全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极”登上《自然》杂志。“无极”由复旦大学周鹏
福建物构所纳米晶快速生长机制研究与应用取得新进展
目前，经典的Ostwald Ripening（OR）熟化机制和取向接合Oriented Attachment（OA）机制等晶体生长机制均无法解释在材料合成过程中时常出现的尺寸不连续转变现象（忽然快速生长成大尺寸）。 在科技部973计划、国家杰出青年科学基金、中科院知识
常用铁磁半导体介绍
以下是几种铁磁半导体：掺锰的砷化铟和砷化镓（GaMnAs），居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟，不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体：1.掺锰的氧化铟，常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛：掺钴的二氧化钛，常温下
半导体激光器：向“换道超车”的目标进发
郑婉华（左三）团队在人民大会堂合影。 半导体激光器是当今最重要的激光光源，它输出功率大，电光转换效率高。但是，普通半导体激光器光束发散角大、汇聚能力低、光束质量差，使用中需要配合特定的整形光路，这使得系统变得复杂，制约其广泛应用。 中国科学院半导体研究所郑婉华研究员及其研究团队长
能否用旋转流变仪测试材料的泊松比
泊松比是指材料在单向受拉或受压时，横向正应变与轴向正应变的绝对值的比值，也叫横向变形系数，它是反映材料横向变形的弹性常数，一般它可以由材料的杨氏模量和剪切模量换算而成，如下式所示，u=E/2G-1Anton Paar的MCR702e流变与DMA一体机，可以对一个样品进行剪切，扭摆模式测试其剪切模量，
锂电材料锡基负极材料锡复合氧化物简介
用于锂离子电池负极的锡基复合氧化物的制备方法是：将SnO,B2O3,P2O5按一定化学计量比混合，于1000℃下通氧烧结，快速冷凝形成非晶态化合物，其化合物的组成可表示为SnBxPyOz(x=0.4~0.6,y=0.6~0.4,z=(2+3x-5y)/2), 其中锡是Sn2+。与锡的氧化物(Sn
我科学家研制出新型二维材料锑烯
日前，南京理工大学曾海波教授团队成功制备出一种新型第五主族二维材料——锑烯。该研究为二维材料家族引入了新成员，丰富了人们对二维材料的认知。相关研究成果发布于《自然通讯》。 自石墨烯被发现以来，二维材料因独特的维度特性在基础与应用方面均成为前沿研究热点。近年来，该领域的研究从石墨烯开始，向二硫化
上海技物所在二维半导体光电探测研究中取得进展
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达、王建禄等研究人员在利用铁电聚合物极化对二维半导体带隙调控及其高性能光电探测方面取得新进展。相关成果发表在Advanced Materials（Advanced Materials 27, 6575–6581 (2015)，DOI: 10.
我国学者在二维半导体晶圆制造方面取得进展
图 利用“固-液-固”生长策略制备晶圆级InSe高质量晶膜 在国家自然科学基金项目（批准号：52025023、52322205、52250398）等资助下，北京大学刘开辉教授与合作者在二维硒化铟半导体晶圆制造方面取得进展。相关成果以“用于集成电子学的二维硒化铟晶圆（Two-dimensional
新型碳基二维半导体材料基本物性研究获进展
以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体性质严重限制了其在微电子器件领域的应用。针对该情况，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员等自2013年开展新型碳基二维半导体材料的制备研究，2014年1月成功制备了由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构
新型碳基二维半导体材料基本物性研究获进展
以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体性质严重限制了其在微电子器件领域的应用。针对该情况，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究人员等自2013年开展新型碳基二维半导体材料的制备研究，2014年1月成功制备了由碳和氮原子构成的类石墨烯蜂窝状无孔有序结构
石墨烯“表亲”锡烯新鲜出炉－这种材料或能100％导电
二维晶体材料家族迎来“小鲜肉” 石墨烯“表亲”锡烯新鲜出炉 近日，中美科学家携手成功研制出由单层锡原子构成的厚度小于0.4纳米的二维晶体——锡烯（Stanene）薄膜。理论预测称，这种材料或能100%导电。研究人员希望下一步能尽快证实其优异的电学属性。 科学家们迄今研制出了多种二维材料，包括硅
锂电材料锡基负极材料锡合金简介
某些金属如Sn、Si、Al等金属嵌入锂时，将会形成含锂量很高的锂-金属合金。如Sn的理论容量为990mAh/cm3，接近石墨的理论体积比容量的10倍。为了降低电极的不可逆容量，又能保持负极结构的稳定，可以采用锡合金作锂离子电极负极，其组成为：25%Sn2Fe+75%SnFe3C。Sn2Fe为活性
碘量法测定锡合金中的锡
一、方法要点试样溶解于硫酸中成四价锡，将四价锡用金属铝或铅、铁、镍等还原成二价锡，再用碘酸钾标准溶液滴定，从消耗的体积可以计算出锡含量。Sn+4H2SO4一→Sn(SO4)2+2SO2+4H2O6H+ +3Sn4+ +4Al一→3Sn2++4Al3++3H2↑KIO3+KI+2SnCl2+6HCl一
邻苯二甲酸氢钾钝化埋底界面实现高效稳定钙钛矿太阳能电池
氧化锡（SnO2）是钙钛矿太阳能电池中具有潜力的电子传输层材料，但其溶液法制备的薄膜通常存在易导致非辐射复合的固有缺陷，限制器件性能并阻碍商业化应用。引入添加剂是降低电子传输层材料缺陷、提升载流子传输性能的有效策略。因此，深入理解其在埋底界面处的具体作用机制，对材料理性设计具有关键作用。近日，中
电吸收光谱学揭示高层数准二维卤化锡钙钛矿结构特点
金属卤化物钙钛矿由于其优异的光电特性，有望被应用于新一代的太阳能电池。相较于铅钙钛矿，锡钙钛矿除了其低毒性的特点外，还具有较理想的光学带隙和较高的载流子迁移率等光电特性，因此，其光伏器件近年来被广泛的研究。然而，由于锡钙钛具有较差的环境稳定性，一般的锡钙钛矿结构中包含较多的缺陷，这导致锡钙钛太阳能电
碳硫分析仪常用添加剂及其作用
碳硫分析仪 常用添加剂及其作用一、常用的添加剂燃烧法测定碳和硫，常用的添加剂有锡、铜、铁、CuO、V2O5、Cr2O3、SiO2、SnO2、硅、钨、钼、MoO3、WO3、B2O3等。不同的燃烧系统，所用添加剂也有差别。例如高频炉常用钨粒，电弧炉常用铁粉、硅钼粉、锡粒，而管式炉多用锡粒、V2O5[2]
科技突破！具有千个晶体管的二维半导体问世
据最新一期《自然-电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信行业节约大量的能源。 新处理器将1024个元件组合到一个一平方厘米的芯
半导体所发表二维材料层数相关光学性质的综述论文
二维材料的平面内化学键非常强，而两层以上二维材料的层间相互作用则非常弱，一般为范德瓦尔斯相互作用。这使得二维材料可以通过机械剥离方法从其相应体材料制备而成。多层二维材料可能有多种层间堆垛方式，例如石墨烯存在AB，ABC甚至转角的堆垛方式。二维材料按照晶格结果或堆垛方式又可以划分为各向同性（以石墨
电子级二维半导体与柔性电子器件研究新进展
在半导体器件不断小型化和柔性化的趋势下，以二硫化钼（MoS2）等过渡金属硫属化合物（TMDC）为代表的二维半导体材料显示出独特优势，具有超薄厚度（单原子层或少原子层）和优异的电学、光学、机械性能及多自由度可调控性，使其在未来更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件中具有优势。然而，现阶段以器件应用为