量子工程非平衡掺杂实现高效p型超宽禁带氮化物材料
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员黎大兵团队和中科院半导体研究所研究员邓惠雄合作，报道了一种通过量子工程非平衡掺杂实现高效率p型超宽禁带氮化物材料的方法。该研究发现，将GaN量子点引入高Al组分AlGaN材料体系中，可以提升材料局部价带顶能级，使得Mg受主激活能大幅度降低，从而获得低电阻、高空穴浓度的AlGaN材料，进而制备高性能深紫外LED。 AlGaN材料具有直接可调宽带隙，是制备UVC光源的理想材料。然而，高Al组分AlGaN材料p型掺杂效率极低，成为实现高性能深紫外光源的主要障碍之一。其中，激活能高主要源于受主强局域化导致其成为深能级。这一问题在宽禁带半导体中普遍存在，是物理限制问题。发展新型掺杂方法，克服掺杂的物理限制，降低受主激活能，是提升高Al组分AlGaN材料p型掺杂效率的根本，也是推动深紫外光源效率提升的关键。 该团队提出了一种量子工程非平衡掺杂方法，通过在AlGaN材料体系中引入GaN......阅读全文
量子工程非平衡掺杂实现高效p型超宽禁带氮化物材料
近日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员黎大兵团队和中科院半导体研究所研究员邓惠雄合作，报道了一种通过量子工程非平衡掺杂实现高效率p型超宽禁带氮化物材料的方法。该研究发现，将GaN量子点引入高Al组分AlGaN材料体系中，可以提升材料局部价带顶能级，使得Mg受主激活能大幅度降低，从而获
Nature－Communications：智能应力调控功率器件
【引言】 智能功率器件在基础电源控制到先进电源拓扑网络中均有广泛应用。传统的响应外部机械信号的电力系统通常由集成一系列应力传感器、A/D或D/A转换器、强电/弱电隔离器、功率器件等元件，在CPU控制下实现反馈的长链式控制系统。直接响应外部机械信号的智能功率器件有利于简化系统复杂度、提升可靠性及
GaN基半导体异质结构中的应力相关效应
GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用,目前,影响其未来发展的有几大关键性难题,本质上都与应力场有关,深受大家关注且亟待解决。本论文通过实验研究和计算模拟,全面深入地考察了GaN基半导体异质结构中应力场的相关效应,分析其复杂性质、阐明其物理机制,进
苏州纳米所GaN/Si功率开关器件研究获得重要突破
随着能效标准不断提高，基于硅（Si）材料的功率器件改进空间越来越小；人们将目光投向新材料领域，以期实现根本改进，从而引发新一代功率器件技术的革命性突破。众多新材料中，基于氮化镓（GaN）的复合材料最引人关注。GaN基功率器件具有击穿电压高、电流密度大、开关速度快、工作温度高等优点
氢化物气相外延（HVPE）
牛总部设在美国马里兰州银泉的TDI是世界领先的发展生产新型化合物半导体，如GaN，AlN，AlGaN ，InN和InGaN的氢化物气相外延( HVPE )工艺和技术的公司。 这些材料被用于各种应用，最主要的是固态照明，短波长光电子和射频功率电子。 TDI生产的氮化物模板
氮化镓半导体材料光电器件应用介绍
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批
多模态神经影像学在癫痫网络中的研究进展
癫痫（epilepsy）是大脑神经元反复异常放电导致的病理性脑功能障碍性疾病，全球大约有6500万癫痫患者，其中有20%~40%为药物难治性癫痫。运用多模态的研究方法发现，癫痫的发生和传播是由于致痫皮质的癫痫网络异常而不是单纯的致痫灶的病变所引起，同时抑制或破坏致痫皮质的癫痫网络将为手术治疗癫痫
上海硅酸盐所等在新型光伏材料研究方面取得进展
太阳能电池因具有替代现有化石能源而解决能源环境问题的前景越来越得到全世界的一致认可和推动。然而，目前太阳能电池的光电转换效率依然不高。影响光电转换效率的因素主要有三个：一是光的吸收;二是光生电子空穴对的分离与传输;三是电荷的收集。光伏材料是太阳能电池的关键部分，因此，提升太阳能电池的光电转换效率
氮化镓半导体材料新型电子器件应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效
苏州纳米所高灵敏度太赫兹探测器研究获进展
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院纳米器件与应用重点实验室秦华团队公布了能够在液氮温度下灵敏探测太赫兹波黑体辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管探测器研究结果，首次直接验证了天线耦合的场效应晶体管可用于非相干太赫兹波的灵敏探测。结果发表于《应用物理快报》[Appl. Phys. L
深紫外LED医疗研发成新热点
深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值。与汞灯紫外光源相比，基于氮化铝镓(AlGaN)材料的深紫外发光二极管(LED)具备坚固、节能、寿命长、无汞环保等优点，正逐步渗入汞灯的传统应用领域。同时，深紫外LED的独特
佐治亚理工学院Russell－Dupuis教授访问苏州纳米所
11月9日上午，美国国家工程院院士、佐治亚理工学院Steve W. Chaddick讲席教授Russell Dupuis访问中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，并作题为The History and Current Status of Metalorganic Chemical Vapo
高灵敏度太赫兹探测器研究获进展
近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中科院纳米器件与应用重点实验室秦华团队公布了能够在液氮温度下灵敏探测太赫兹波黑体辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管探测器研究结果，首次直接验证了天线耦合的场效应晶体管可用于非相干太赫兹波的灵敏探测。结果发表于《应用物理快报》[]，并被 APL 编辑选为20
揭示多发性硬化症个体认知损伤发生的分子机制
近日，来自凯斯勒基金会的研究者通过研究，揭示了多发性硬化症(MS)个体认知疲劳发生的分子机制，相关研究刊登于国际杂志PLoS ONE上，这项研究首次使用神经影像技术来调查研究个体的认知疲劳发生的过程。 认知疲劳源于脑力劳动，这项研究中，研究者利用三种神经影像技术来揭示和MS个体认知疲劳
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
氮化镓半导体材料的优点与缺陷
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁
研究阐明类泛素蛋白NEDD8经蛋白酶体降解的分子机制
10月25日，国际学术期刊The Journal of Biological Chemistry发表了中科院上海生科院生物化学与细胞生物学研究所胡红雨课题组的研究论文NEDD8 Ultimate Buster-1 Long (NUB1L) Protein Promotes Transfe
国内首个室温太赫兹自混频探测器问世
中科院苏州纳米所成功研制出在室温下工作的太赫兹自混频探测器，从而填补了该类探测器的国内空白。 据了解，作为人类尚未大规模使用的一段电磁频谱资源，太赫兹波有着极为丰富的电磁波与物质间的相互作用效应，不仅在基础研究领域，而且在安检成像、雷达、通信、天文、大气观测和生物医学等众多技术领域有着广
硅上的多通道三栅极III氮化物高电子迁移率晶体管
目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电流。瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）和中国的Enkris半导体公司所制造的材料结构由5个平行层组成，包括10nm氮化铝镓（AlGaN）阻挡层，1nm A
牛津仪器TDI收购FOX－集团的知识产权
TDI，牛津仪器的全资子公司，在氢化物气相外延（HVPE）新型化合物半导体，如GaN、AlN、AlGaN、InN、InGaN等方面处于世界领先地位，刚与FOX集团签订了许可协议。这项协议是收购FOX集团知识产权，牛津仪器可以直接提供LED的硬件和流程和P型掺杂物，除此之外还提供III-V族氮化物
微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MISHEMT器件
近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队，西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半导体材料氮化镓具有高禁带
物理所发现范德华异质结间的强耦合超快电荷传输
近年来，以石墨烯为代表、靠层间范德华力结合的二维材料已经成长为一个非常大的家族。这些范德华材料呈现出从绝缘体、半导体、金属，到超导体等各不相同的电子性质。以二硫化钼(MoS22）和二硫化钨(WS22）为代表的过渡族金属硫族化合物，因其合适的能带结构和光学性质，在光电子器件等用途中有着很好的应用前
硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题，“光”被认为是一种非常有潜力的
苏州纳米所等在高灵敏度石墨烯太赫兹探测器研究获进展
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院纳米器件与应用重点实验室秦华团队与中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室合作，成功获得了高灵敏度石墨烯（Graphene）太赫兹探测器，灵敏度达到同类石墨烯探测器的最好水平，该结果近期发表在碳材料杂志Carbon（116
超高灵敏度石墨烯太赫兹探测器研究获突破
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院纳米器件与应用重点实验室秦华团队与中国电子科技集团有限公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室合作，成功获得了高灵敏度石墨烯（Graphene）太赫兹探测器，灵敏度达到同类石墨烯探测器的最好水平，该结果近期发表在碳材料杂志
－紫外激光器的技术分类
固体紫外激光器固体紫外激光器按泵浦方式分为氙灯泵浦紫外激光器、氪灯泵浦紫外激光器以及新型的激光二极管泵浦全固态激光器。固体紫外激光器光电转换效率一般较低，而LD全固态紫外激光器则具有效率高、重频高、性能可靠、体积小、光束质量较好及功率稳定等特点。由于紫外光子能量大，难以通过外激励源激励产生一定高功率
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（二）
最近接连有消息报道，在美国和欧洲，氮化镓和碳化硅技术除了在军用雷达领域和航天工程领域得到了应用，在电力电子器件市场也有越来越广泛的渗透。氮化镓/碳化硅技术与传统的硅技术相比，有哪些独特优势？ 大家最近都在谈论摩尔定律什么时候终结？硅作为半导体的主要材料在摩尔定律的规律下已经走过了50多
日盲镁锌氧单晶薄膜的电性调控研制获进展
ZnO基光电子学及透明电子学是近年来信息和材料科学领域的研究热点。理论上通过Mg、Be等元素的掺杂，ZnO基合金的禁带宽度能在很宽波段范围内进行调谐，如通过调整MgxZn1-xO中的Mg组分，其带隙可在3.37~7.8eV（368~159nm）范围内调控，从而可覆盖280~220nm日盲波段，成
紫外激光器的主要种类
固体紫外激光器固体紫外激光器按泵浦方式分为氙灯泵浦紫外激光器、氪灯泵浦紫外激光器以及新型的激光二极管泵浦全固态激光器。固体紫外激光器光电转换效率一般较低，而LD全固态紫外激光器则具有效率高、重频高、性能可靠、体积小、光束质量较好及功率稳定等特点。由于紫外光子能量大，难以通过外激励源激励产生一定高功率
超2000万，该地一高校发布设备采购需求
为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《江苏省财政厅关于做好政府采购意向公开工作的通知》等有关规定，现将江苏大学（本部）2024年5月(第3批)政府采购意向公告如下：编号项目名称采购需求概况采购预算(万元)预计采购月份是否专门面向中小企业采购是否采购节能产品、环境标志产品1江苏大学建筑消防设施维修保