打破垄断上下游协同推进国产光刻胶谋出路
近日，光刻胶产能紧缺的新闻见诸报端。上游芯片材料供应紧张引发全球“缺芯”，使得核心材料光刻胶靠“抢”才能获得。这种情况对于光刻胶对外依存度高达90%的我国来说，无疑是雪上加霜。 “我国长期依赖国外胶的参数和工艺，不愿或没有条件调整工艺使用国产胶，这是当下最大的问题。”浙江大学高分子科学与工程学系研究员伍广朋在接受《中国科学报》采访时直言。 实际上，光刻胶研产并非一蹴而就。作为一个劳动、资本和技术高度密集型产业，它需要科研人员无数次验证各种参数，并且需要上游研发和下游芯片制造业进行共同验证。 伍广朋强调，“国产胶要打入市场，需要我国芯片制造商彻底调变光刻参数，使用新工艺。” 高度依赖进口 从智能手机到超级计算机，从汽车导航到航空航天，新型显示和集成电路的应用已“飞入寻常百姓家”。新型显示与集成电路并称“一屏一芯”，是先进制造和新一代电子信息领域的核心基础产业。 作为液晶电视的一种，量子点电视被认为是代替OLED的......阅读全文
光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转
打破垄断 上下游协同推进 国产光刻胶谋出路
近日，光刻胶产能紧缺的新闻见诸报端。上游芯片材料供应紧张引发全球“缺芯”，使得核心材料光刻胶靠“抢”才能获得。这种情况对于光刻胶对外依存度高达90%的我国来说，无疑是雪上加霜。 “我国长期依赖国外胶的参数和工艺，不愿或没有条件调整工艺使用国产胶，这是当下最大的问题。”浙江大学高分子科学与工程
UV光刻胶中的正性和负性胶的区别
最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask， 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据
快速了解匀胶机旋涂仪的工作原理
匀胶过程介绍一个典型的匀胶过程包括滴胶，高速旋转以及干燥(溶剂挥发)几个步骤。滴胶这一步把光刻胶滴注到基片表面上，高速旋转把光刻胶铺展到基片上形成簿层，干燥这一步除去胶层中多余的溶剂。两种常用的滴胶方式是静态滴胶和动态滴胶。静态滴胶就是简单地把光刻胶滴注到静止的基片表面的中心，滴胶量为1-10ml不
什么叫正胶显影和负胶显影
正胶显影：正性光刻胶的曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻胶上形成三维图形。负胶显影：在负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻胶上形成三维图形。正胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率，其他特性如，台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。负胶的特性为，具有良好的
微流控芯片的加工技术
一、光刻（lithography）和刻蚀技术（etching）1.光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ，工艺如下 ：①仔细地将基片洗净;②在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ，例如铬、二氧化硅、氮化硅等;③再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它
微电子所在14纳米产学研合作中取得显著成果
近期，中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心研究员韦亚一团队与中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司在负显影光刻胶建模和光源掩模协同优化方面开展深入合作，围绕14纳米节点中光刻研发所面临的各项工艺挑战进行联合技术攻关并取得显著进展，完成了后段制程中特定关键层的模型校准工作。结果表明，对于负显
什么是散射仪？
使用光学的办法来测量光刻胶图形的线宽等几何尺寸的仪器称为散射仪。散射仪（scattermetry）的工作原理是：一束光入射在晶圆表面，晶圆表面的光刻胶图形对入射光产生散射和衍射，这些含有表面结构信息的光被探测仪接收。对探测仪器接收的信号做分析，得到晶圆表面光刻胶图形的三维尺寸。
手持光刻机如何使用
手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工艺是将掩膜版（光刻版）上的几何图形转移到晶圆表面的光刻胶上。首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面，再经过分步重复曝光和显影处理之后，在晶圆上形