打破垄断上下游协同推进国产光刻胶谋出路
近日，光刻胶产能紧缺的新闻见诸报端。上游芯片材料供应紧张引发全球“缺芯”，使得核心材料光刻胶靠“抢”才能获得。这种情况对于光刻胶对外依存度高达90%的我国来说，无疑是雪上加霜。 “我国长期依赖国外胶的参数和工艺，不愿或没有条件调整工艺使用国产胶，这是当下最大的问题。”浙江大学高分子科学与工程学系研究员伍广朋在接受《中国科学报》采访时直言。 实际上，光刻胶研产并非一蹴而就。作为一个劳动、资本和技术高度密集型产业，它需要科研人员无数次验证各种参数，并且需要上游研发和下游芯片制造业进行共同验证。 伍广朋强调，“国产胶要打入市场，需要我国芯片制造商彻底调变光刻参数，使用新工艺。” 高度依赖进口 从智能手机到超级计算机，从汽车导航到航空航天，新型显示和集成电路的应用已“飞入寻常百姓家”。新型显示与集成电路并称“一屏一芯”，是先进制造和新一代电子信息领域的核心基础产业。 作为液晶电视的一种，量子点电视被认为是代替OLED的......阅读全文
光刻胶软烘
软烘的目的是去掉光刻胶中的溶剂、增强光刻胶的粘附性、释放旋转涂胶产生的内应力、改善线宽控制、防止光刻胶粘附到其他器件上。软烘在真空热板上进行，软烘设备工作原理如图2.17所示，硅片放在真空热板上，热量从硅片背面通过热传导方式加热光刻胶。一般软烘温度为85~120℃，时间为30~60S。软烘后将硅片转
2024上海光刻胶展「2024中国大型光刻胶博览会」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
日本光刻胶大厂计划提价－增幅约10％20％
据韩媒《The Elec》报道，业内人士透露，日本住友化学子公司东友精密化学（Dongwoo Fine-Chem）向韩国半导体企业表示，由于原材料和劳动力成本上涨，拟提高氟化氪（KrF）和L线光刻胶价格，增幅因产品而异，约为10%-20%。 光刻胶是半导体制作的关键材料，能够利用光化学反应，经
打破垄断－上下游协同推进－国产光刻胶谋出路
近日，光刻胶产能紧缺的新闻见诸报端。上游芯片材料供应紧张引发全球“缺芯”，使得核心材料光刻胶靠“抢”才能获得。这种情况对于光刻胶对外依存度高达90%的我国来说，无疑是雪上加霜。 “我国长期依赖国外胶的参数和工艺，不愿或没有条件调整工艺使用国产胶，这是当下最大的问题。”浙江大学高分子科学与工程
2024邀您参展|中国(上海)国际光刻胶博览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
关于2024上海国际光刻胶展览会开展通知|
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
我国科研团队完成一种新型光刻胶技术初步验证
4月2日，记者从华中科技大学获悉，该校与湖北九峰山实验室组成联合研究团队，突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。相关成果日前发表在《化学工程杂志》上。据介绍，这一具有自主知识产权的光刻胶体系已在生产线上完成了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转
UV光刻胶中的正性和负性胶的区别
最主要的区别就是正胶经曝光显影后可溶与显影液; 负胶经曝光显影后不溶与显影液同样一块mask， 正胶和负胶曝光显影后图形是相反的
半导体展/2024深圳国际半导体光刻胶展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
电子材料展|2025深圳国际光刻胶展览会「官网」
2025深圳国际电子化学与新材料展览会2025 China (Shenzhen) International Electronic Chemistry and New Materials Exhibition地点：深圳会展中心展览时间：2025年4月9-11日参展咨询：021-54163212大会负
2024第21届北京国际光刻胶与加工设备展览会
2024年第二十一届中国国际半导体博览会（IC CHINA）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会，自 2003 年起已连
《入口》半导体展/2024深圳国际半导体光刻胶展览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶
一文读懂半导体制程技术进步的“燃料”——光刻胶 光刻胶又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括：光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应，经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩（掩模版）转移到待加工基片上。依据
2024北京光刻胶展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024中国(上海)国际光刻胶展览会(时间/地点/展览馆)
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
「官网」2025深圳13届国际光刻胶及其配套试剂展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际CMP抛光材料展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间
复旦大学研发半导体性光刻胶，实现特大规模集成度芯片制造
复旦大学高分子科学系设计了一种新型半导体性光刻胶，成功在全画幅芯片上集成2700万个有机晶体管，实现特大规模集成度（ULSI）。 据复旦大学高分子科学系消息，该校研究团队设计了一种新型半导体性光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了 2700 万个有机晶体管并实现了互连，集成度达到特大规模
安益谱LCMS：驱动半导体光刻胶研发国产化的精密分析利器
在全球半导体产业链竞争日趋激烈的今天，光刻胶作为芯片制造中的关键材料，其自主研发与国产化进程已成为国家科技自立自强的重要战略组成。随着我国光刻胶行业从追赶走向并跑甚至领跑，对材料研发中的精准分析需求也日益提升。在这一进程中，安益谱液相色谱质谱联用仪（LC-MS）正以其卓越的分析性能，为光刻胶产业
什么叫正胶显影和负胶显影
正胶显影：正性光刻胶的曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻胶上形成三维图形。负胶显影：在负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解，在光刻胶上形成三维图形。正胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率，其他特性如，台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。负胶的特性为，具有良好的
快速了解匀胶机旋涂仪的工作原理
匀胶过程介绍一个典型的匀胶过程包括滴胶，高速旋转以及干燥(溶剂挥发)几个步骤。滴胶这一步把光刻胶滴注到基片表面上，高速旋转把光刻胶铺展到基片上形成簿层，干燥这一步除去胶层中多余的溶剂。两种常用的滴胶方式是静态滴胶和动态滴胶。静态滴胶就是简单地把光刻胶滴注到静止的基片表面的中心，滴胶量为1-10ml不
微流控芯片的加工技术
一、光刻（lithography）和刻蚀技术（etching）1.光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ，工艺如下 ：①仔细地将基片洗净;②在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ，例如铬、二氧化硅、氮化硅等;③再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它
微电子所在14纳米产学研合作中取得显著成果
近期，中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心研究员韦亚一团队与中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司在负显影光刻胶建模和光源掩模协同优化方面开展深入合作，围绕14纳米节点中光刻研发所面临的各项工艺挑战进行联合技术攻关并取得显著进展，完成了后段制程中特定关键层的模型校准工作。结果表明，对于负显
热点回应丨冷冻电镜如何“跨界”助力芯片光刻取得新突破
光刻技术是推动芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及其合作者在《自然-通讯》上披露了他们的新发现。该团队通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方
陶氏化学工厂爆炸－牵动半导体关键耗材生产
陶氏化学美国路州厂在美国时间7月15日传出爆炸起火事件，虽无人伤亡，惟该厂生产光刻胶、抛光垫／液等半导体关键耗材，主要供成熟制程晶圆制造使用，牵动业界神经，联电、世界、力积电等中国台湾晶圆代工成熟制程相关厂商密切关注后续发展，目前均评估不影响生产。 陶氏化学为全球半导体关键化学材料重要供应商，
什么是散射仪？
使用光学的办法来测量光刻胶图形的线宽等几何尺寸的仪器称为散射仪。散射仪（scattermetry）的工作原理是：一束光入射在晶圆表面，晶圆表面的光刻胶图形对入射光产生散射和衍射，这些含有表面结构信息的光被探测仪接收。对探测仪器接收的信号做分析，得到晶圆表面光刻胶图形的三维尺寸。
手持光刻机如何使用
手动：指的是对准的调节方式，是通过手调旋钮改变它的X轴，Y轴和thita角度来完成对准，对准精度可想而知不高了；光刻（photolithography）工艺是将掩膜版（光刻版）上的几何图形转移到晶圆表面的光刻胶上。首先光刻胶处理设备把光刻胶旋涂到晶圆表面，再经过分步重复曝光和显影处理之后，在晶圆上形
飞秒激光多光子聚合增材制造加工精度调控研究中获进展
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在优化飞秒激光多光子聚合（MPP）增材制造加工精度调控研究中取得进展。科研人员利用对光刻胶中引发剂浓度的调控实现对聚合产物极限尺寸的有效控制，揭示了多光子聚合光化学反应过程中的扩散行为，相关研究成果发表在《光学材料》上。 基于飞秒激光多光子聚
散射仪的工作原理简介
由于散射仪是使用光学的办法来测量光刻胶图形的线宽等几何尺寸，因此，又被称为光学CD测量。使用散射仪来测量光刻胶图形线宽的努力早在21世纪初期就开始，但是，一直到28nm技术节点以后才开始受到广泛的关注，这是因为CD-SEM测量导致的光刻胶损失效应在28nm以下再也不能忽略了，而且，光学CD测量还
复旦团队实现特大规模集成度有机芯片制造
7月4日，复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室研究员魏大程团队设计了一种功能型光刻胶，利用光刻技术，在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，达到特大规模集成度（单片集成器件数量大于221）水平，且高密度阵列可以转移到柔性衬底上，可实现仿生视网膜应用。相关研究发表于《
集成电路关键技术迎来黄金发展期
研讨会现场（主办方供图）8月23日，集成电路关键技术研讨会在北京举办。与会专家围绕着我国集成电路产业链条中的光刻机、软硬件质量保障等集成电路关键技术问题进行了研讨交流，以促进国内集成电路行业发展。“未来十年，集成电路关键技术迎来黄金发展期，机遇和挑战并存。”此次研讨会主持人、中国科学院自动化研究所高