半导体材料硫化铂光电特性的相关研究获进展
记者6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。 “微电子技术历经半个多世纪发展，给人类带来了极大的便利。作为信息产业基础的半导体材料是微电子、光电子及太阳能等工业的基石，对我国的工业、信息及国防事业发展具有重要意义。”云南大学副教授杨鹏介绍，石墨烯作为典型的二维纳米材料，具备化学、光、电、机械等一系列优良的特性而得到广泛应用，但石墨烯存在零带隙、光吸收率低等缺点，限制其更广泛地应用。与此同时，类石墨烯材料应运而生。作为类石墨烯材料的典型代表，过渡金属硫族化合物不仅具备类似石墨烯的范德华力结合的层状结构，还拥有优异的光、电、磁等性能，可更好地弥补石墨烯的缺点，大大拓宽了半导体材料的实际应用范围。 基于贵金属的硫化铂作......阅读全文
半导体材料－硫化铂光电特性研究获新突破
记者6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。 “微电子技术历经半个多世纪发展，给人
半导体材料硫化铂光电特性的相关研究获进展
记者6月20日从云南大学材料与能源学院获悉，该学院杨鹏、万艳芬团队经过持续研发，解决了类石墨烯材料大面积均匀少层硫化铂的合成及其结构和物理性能的一系列问题，为更丰富的应用场景器件开发提供支持，同时给行将终结的摩尔定律注入新的希望，提供极具潜力的半导体材料。 “微电子技术历经半个多世纪发展，给人
新技术可让金属铂“化身”半导体
日本研究人员最新研究发现，金属铂制成只有2纳米厚的超薄膜时，可以拥有类似硅等半导体的特性。研究人员认为，这一发现挑战了对于半导体材料的传统认知，有助于推动相关领域发展。 传统意义上，金属和半导体被严格区分，金属一般导电性能好，而半导体介于绝缘体和导体之间，导电性可受控制。用硅等常见半导体材料制
新型金属硫化物二维半导体材料性质探明
近日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下，取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展，探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。2月7日，相关成果发表在英国皇家化学会主办的《纳米尺度》上，并被选为热点论文。
过渡金属氧化物能带上是金属还是半导体
过渡金属氧化物既能带上金属性质，也能带上半导体性质，这是由于它们的电子结构的特殊性决定的。过渡金属氧化物的电子结构是由一层金属核心电子层和一层外围电子层组成的，这两层电子层之间的电子转移能力很强，使得这些物质具有金属性质和半导体性质的双重性质。因此，您可以说过渡金属氧化物既能带上金属性质，也能带上半
宁波材料所合成半导体型类MXene二维过渡金属碳化物材料
随着柔性透明电子技术的兴起，二维半导体材料近年来备受关注，特别是直接带隙特性使得这些二维结构有望应用在光电子学领域。在过去十年里，研究者们已相继发展出MoS2和磷烯等典型的具有直接带隙的二维半导体材料。然而，MoS2的带隙是层数依赖性的，直接带隙仅能在单层结构中实现，而磷烯在空气环境中的化学性质
如何提高过渡金属硫化物的催化性能
金属硫化物通常是半导体或绝缘体，金属单质是导体，它们作为催化剂的加氢机理不同，反应条件也不同，金属硫化物作为催化剂在加氢反应中通常需要高压，条件相对要苛刻，金属单质（镍、铂、钯）加氢活性很高，一般要求条件比较温和。此外，常用的过渡金属硫化物一般是由氧化物硫化得到的，常用的过渡金属单质不容易硫化，发生
硫化银半导体材料的贮存方法
保持贮藏器密封。放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方。
硫化银半导体材料的物质特性
在1833年，电子学之父法拉第发现了硫化银的电阻与金属不同，随着温度的上升，它的电阻反而降低，即导电性增强。有双晶结构：（1）灰黑色斜方结晶硫化银。密度7.326g/cm3。175℃为转变点。溶于氰化钾、浓硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方结晶硫化银。密度7.317g/cm3。熔点825℃。溶于氰
二维过渡金属硫化物相结构等研究获进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518474.shtm
基于单层过渡金属硫化物的单光子源研究获进展
近日，华南师范大学物理与电信工程学院/广东省量子调控工程与材料重点实验室副研究员朱起忠与香港大学博士翟大伟、教授姚望合作，在单层过渡金属硫化物的激子特性方面取得重要研究进展。他们在理论上提出了基于层内激子产生偏振与轨道角动量锁定的单光子源及其阵列的方案。相关研究发表于国际权威学术期刊Nano L
基于单层过渡金属硫化物的单光子源研究获进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/500273.shtm
什么是过渡金属？
过渡金属是指元素周期表中d区的一系列金属元素，又称过渡元素（由于ⅠB族元素（铜、银、金）在形成+2和 +3 价化合物时也使用了d电子；ⅡB族元素（锌、镉、汞）在形成稳定配位化合物的能力上与传统的过渡元素相似，因此，也常把ⅠB和ⅡB族元素所在的ds区列入过渡金属之中。
什么是过渡金属？
过渡金属是指元素周期表中d区的一系列金属元素，又称过渡元素（由于ⅠB族元素（铜、银、金）在形成+2和 +3 价化合物时也使用了d电子；ⅡB族元素（锌、镉、汞）在形成稳定配位化合物的能力上与传统的过渡元素相似，因此，也常把ⅠB和ⅡB族元素所在的ds区列入过渡金属之中。一般来说，这一区域包括3到12一共
硫化银半导体材料的计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无2.氢键供体数量:13.氢键受体数量:14.可旋转化学键数量:05.互变异构体数量:无6.拓扑分子极性表面积17.重原子数量:38.表面电荷:09.复杂度:2.810.同位素原子数量:011.确定原子立构中心数量:012.不确定原子立构中心数量:013.确定化
硫化银半导体材料的基本信息
硫化银是一种无机化合物，化学式为Ag2S，外观为灰黑色粉末。密度6.85～7.23g/cm3。熔点825℃。在沸点分解。不溶于水，溶于浓硫酸和硝酸，并溶于氰化钾和氰化钠溶液。用于黑金镶嵌术和制陶瓷等。将硫化钠与硝酸银溶液混合过滤而制得。
硫化银半导体材料的合成方法
1.在90～100℃条件下，将氧化银(Ⅰ)与硫反应生成硫化银(Ⅰ)，当有水气存在时，Ag2SO4也能被过量硫转化为硫化银(Ⅰ)。2.将硫代硫酸钠与氧化银(Ⅰ)、硝酸银等可溶性银盐反应，可得硫化银(Ⅰ)。3.将可溶性银盐与可溶性硫化物反应，制得硫化银(Ⅰ)。
过渡金属的存在形式
大多数过渡金属都是以氧化物或硫化物的形式存在于地壳中，只有金、银等几种单质可以稳定存在。最典型的过渡金属是4-10族。铜一族能形成配合物，但由于d10构型太稳定，最高价只能达到+3。靠近主族的稀土金属没有可变价态，也不能形成配合物。12族元素只有汞有可变价态，锌基本上就是主族金属。由于性质上的差异，
过渡金属的存在形式
大多数过渡金属都是以氧化物或硫化物的形式存在于地壳中，只有金、银等几种单质可以稳定存在。最典型的过渡金属是4-10族。铜一族能形成配合物，但由于d10构型太稳定，最高价只能达到+3。靠近主族的稀土金属没有可变价态，也不能形成配合物。12族元素只有汞有可变价态，锌基本上就是主族金属。由于性质上的差异，
硫化银半导体材料的主要用途
用作分析试剂；刺钉土垠中硫、氧、溴、碘离子。合金。制造陶器。
过渡金属氧化物正极材料研究方面新进展
过渡金属层状氧化物（如LiNi1-x-yCoxMnyO2、LiCoO2）凭借高电压、高可逆容量等优点，在锂离子电池正极材料领域取得广泛应用。在反复充放电过程中正极材料颗粒由表及里发生副反应造成活性物质不可逆相变，导致容量降低和循环衰减，当前研究主要通过提升材料界面稳定性，来改善不同测试条件下的电
二维过渡金属硫化物杂化能提高了材料的紫外光吸收及发光特性
韩国成均馆大学的Jeongyong Kim教授团队通过二维量子点杂化单层WS2，提高了材料的紫外光吸收及发光特性。与原始的单层WS2薄片相比，在300 nm波长的紫外光激发条件下，单层WS2薄片/Ti2N MQD杂化材料和单层WS2薄片/GCNQDs杂化材料的最大光发射强度分别提高了15倍和11倍。
研究在PtSe2半导体向半金属转变的层数依赖特性获进展
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室研究员王俊课题组在二硒化铂（PtSe2）超快载流子动力学及其半导体向半金属转变的层数依赖特性研究方面取得进展，为过渡金属硫化物的非线性光学性质研究以及在光子学方面的应用提供了理论和实验指导。相关研究成果作为当期内封面文章发表在Lase
硫化银半导体材料的性质与稳定性
如果遵照规格使用和储存则不会分解：避免接触氧化物，酸。β-Ag2S为灰黑色正交晶体，在175℃转化为α-Ag2S；α-Ag2S为黑色立方晶体。硫化银极难溶于水；几乎不溶于稀的非氧化性酸；不溶于氨水和氨盐溶液；但溶于碱金属氰化物溶液和硝酸；浓H2SO4能将Ag2S转化为硫酸银和硫。硫化银在室温和空气中
过渡金属二硫化物中的狄拉克锥及拓扑表面态
东京大学M. S. Bahramy和圣安德鲁斯大学 P. D. C. King（共同通讯作者）等人通过DFT理论计算和自旋、角分辨光电效应，发现在过渡金属二硫化物（TMDs）中普遍存在Ⅰ型和Ⅱ型三维块体狄拉克费米子的共存以及拓扑表面态和表面谐振的转变。并已证实这存在于六种TMDs中，为进一步调整
什么是冷金属过渡技术
CMT冷金属过渡焊接技术是一种无焊渣飞溅的新型焊接工艺技术。所谓冷金属过渡，是指数字控制方式下的短电弧和焊丝的换向送丝监控。换向送丝系统由前、后两套协同工作的焊丝输送机构组成，使焊丝的输送过程为间断送丝。后送丝机构按照恒定的送丝速度向前送丝，前送丝机构则按照控制系统的指令以70 Hz的频率控制着脉冲
过渡金属的元素性质
过渡金属由于具有未充满的价层d轨道，基于十八电子规则，性质与其他元素有明显差别。 由于这一区很多元素的电子构型中都有不少单电子（锰这一族尤为突出，d(5)构型），较容易失去，所以这些金属都有可变价态，有的（如铁）还有多种稳定存在的金属离子。过渡金属最高可以显+7（锰）、+8（锇）氧化态，前者由于单电
离子色谱能否测定过渡金属？
金属离子以许多种形态存在。在需要样品中,金属离子一般以它们的水合形式存在。水合金属离子通常在分子式中写配位水。例如,三价铬其存在形式为CrH1O2。水合金属离子与弱配位物如有机酸或基酸配位。这些配位物通常作为离子色谱的淋洗液使用。因此,在此应用资料描述的IC色方法是测定水合弱配位金屈离子更多强配
过渡金属的元素性质
过渡金属由于具有未充满的价层d轨道，基于十八电子规则，性质与其他元素有明显差别。 由于这一区很多元素的电子构型中都有不少单电子（锰这一族尤为突出，d(5)构型），较容易失去，所以这些金属都有可变价态，有的（如铁）还有多种稳定存在的金属离子。过渡金属最高可以显+7（锰）、+8（锇）氧化态，前者由于单电
简述过渡金属的元素性质
过渡金属由于具有未充满的价层d轨道，基于十八电子规则，性质与其他元素有明显差别。 [1] 由于这一区很多元素的电子构型中都有不少单电子（锰这一族尤为突出，d(5)构型），较容易失去，所以这些金属都有可变价态，有的（如铁）还有多种稳定存在的金属离子。过渡金属最高可以显+7（锰）、+8（锇）氧化态