有机半导体n型掺杂研究新进展
在国家自然科学基金项目（批准号：21774055、51903117）等资助下，南方科技大学郭旭岗教授团队与美国Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有机半导体n-型掺杂中取得进展。相关成果以“过渡金属催化的有机半导体n-型分子掺杂（Transition metal catalysed molecular n-doping of organic semiconductors）”为题于2021年11月4日在《自然》(Nature)上发表。论文链接：https://doi.org/10.1038/s41586-021-03942-0 。 有机半导体的n-型掺杂是实现高性能有机发光二极管、有机太阳能电池、有机晶体管和有机热电等有机光电器件及进行有机半导体电荷传输研究的关键技术，相比于p-型（空穴）掺杂，n-型（电子）掺杂更具有挑战。理想的n-型分子掺杂剂应同时具有高空气稳定性，强还原能力和高掺杂效率等特点......阅读全文
有机半导体n型掺杂研究新进展
在国家自然科学基金项目（批准号：21774055、51903117）等资助下，南方科技大学郭旭岗教授团队与美国Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有机半导体n-型掺杂中取得进展。相关成果以“过渡金属催化的有机半导体n-型分子掺杂（Transition metal ca
国内外学者在有机半导体n型掺杂研究方面取得进展
图1 基于过渡金属催化的n-型分子掺杂概念和对应的催化掺杂机理 在国家自然科学基金项目（批准号：21774055、51903117）等资助下，南方科技大学郭旭岗教授团队与美国Flexterra公司Antonio Facchetti合作，在有机半导体n-型掺杂中取得进展。相关成果以“过渡金属催化的有
半导体掺杂有什么作用
半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。半导体的常用掺杂技术主要
掺杂空气可让有机半导体更导电
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlne科技日报北京5月19日电 （记者张佳欣）瑞典林雪平大学的研究人员开发了一种新方法，在空气作为掺杂剂的帮助下，可让有机半导体变得更具导电性。发表在最新一期《自然》杂志上的这项研究，是迈向未来生产廉价和可持续有机半导体的重要一步。
掺杂空气可让有机半导体更导电
瑞典林雪平大学的研究人员开发了一种新方法，在空气作为掺杂剂的帮助下，可让有机半导体变得更具导电性。发表在最新一期《自然》杂志上的这项研究，是迈向未来生产廉价和可持续有机半导体的重要一步。林雪平大学副教授西蒙娜·法比亚诺表示，这种方法可以显著影响有机半导体的掺杂方式。新方法中所有组件都是实惠的、容易获
半导体所二维半导体磁性掺杂研究取得进展
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
新技术在水溶液中精确掺杂有机半导体
由日本国立材料科学研究所、东京大学和东京科学大学组成的研究团队，首次开发出能在水溶液中精确掺杂有机半导体的技术。最新技术不需要在真空中使用特殊设备获得氮气环境，有望给半导体领域带来全新突破，并在医疗保健和生物传感领域找到用武之地。相关论文发表于最新一期《自然》杂志。 在最新研究中，科学家开发出
新技术在水溶液中精确掺杂有机半导体
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/516074.shtm
新型的sp掺杂N原子引入石墨炔－性能表现优异
中科院过程工程研究所王丹团队联合中科院化学所李玉良团队，成功在超薄石墨炔材料上引入一种新型的sp掺杂N原子，这种新型的石墨炔材料表现出非常优异的性能。该成果日前发表在《自然—化学》上。 氧还原反应（ORR）是能源储存和转化的基础，在燃料电池中有着重要应用。目前，氧还原反应以铂基催化剂的催化活性
什么是半导体测试仪器以及它的用处
半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，不掺杂的半导体(也叫本征半导体)的导电性能很差，但掺杂后的半导体就有一定的导电性能了，例如在Si半导体中掺杂P或者B等杂质就可以使半导体变成N型或P型半导体。N型半导体中电子是多数载流子，而P型半导体中空穴是多数载流子。 半导体制成的PN结具有单向导电特性
半导体的种类有哪些
一、N型半导体N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，
PN结的长生之道
阴阳相互吸引却不融合，半导体PN结也是这样：N型杂质和P型杂质相互吸引，而一旦彼此融合，却意味着PN结的死亡与半导体性能的丧失。研究人员发现，在纳米线中加入轴向扭曲，可以令二者保持分离，使PN结“长生”、器件寿命延长。Illustration of the relative formation
N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响
用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小,而光学带隙先增大后减小;当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg
MnSi1.7薄膜热电性能研究
本文对n型和p型MnSi1.7薄膜进行了俄歇谱分析,研究了化学位移和薄膜电学性能之间的关系。和纯Mn相比,p型和n型MnSi1.7薄膜样品的Mn[MVV]峰分别有+2.0和+7.0 eV的化学位移。与纯Mn [LMM]的峰位在545、592、638 eV处相比,p型和n型MnSi1.7薄膜的545
黑磷掺杂改性研究取得进展
黑磷，作为新型的二维材料，具有可调的带隙（通过厚度调控）以及大于1000 cm2V-1s-1的电子迁移率，既能弥补石墨烯零带隙的不足，也能克服TMDCs载流子迁移率低的缺点，是高性能的纳米电子器件的优秀候选材料。本征黑磷是P型材料，空穴传输能力强，但电子传输能力很差。单极性特性使黑磷很难在互补型
电子型半导体的概念
也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
什么是“能带边嵌定”
不知道你是否指的是“费米能级钉扎效应”？——即费米能级不能因为掺杂而发生移动、相应的能带边也就不能移动的一种现象。本来半导体中的Fermi能级是容易发生位置变化的。例如，掺入施主杂质即可使Fermi能级移向导带底，半导体变成为n型半导体；掺入受主杂质即可使Fermi能级移向价带顶，半导体变成为p型半
化学所在有机热电研究方面取得系列进展
有机半导体独特的电子结构与分子堆积特性赋予其丰富的物理化学性质，在电荷传输和能量转换器件中有广阔的应用前景。近年来，有机半导体的热电性质研究开始起步，逐渐发展成为重要的前沿研究方向。尽管相关研究有望为有机半导体的功能性质与应用研究带来新的增长点，但人们在有机热电材料和器件的诸多方面都缺乏基本认知
定向掺杂和界面耦合可优化电催化反应动力学过程
近日，西安建筑科技大学云斯宁教授“新能源材料”团队在新能源材料高效和资源化利用方面取得进展，通过定向掺杂和界面耦合的双重机制优化电催化OER/HER反应动力学过程，相关研究成果发表在Advanced Powder Materials上。团队设计了两种表面功能化的肖特基结催化剂，以增强电解水过程中的H
我国学者在有机半导体局域精准掺杂技术方面取得进展
图 有机高分子半导体的高精度区域掺杂示意图 在国家自然科学基金项目（批准号：22020102001、22335002、22071007）等资助下，北京大学化学与分子工程学院裴坚教授团队在有机半导体精准掺杂技术方面取得进展，相关研究成果以“有机半导体的光控区域n型掺杂（Light-triggered
n端b型钠尿肽原高
门诊提问：b型钠尿肽高如何治疗？我的母亲前段时间感觉胸痛，我们就听医生的话做了检查，结果查出来b型钠尿肽高。b型钠尿肽高怎么治疗？ 疾病解析: b型钠尿肽高，需要针对引起这种变化的原发疾病进行治疗。心功能不全是引起b型钠尿肽高的主要原因。患者有胸痛的症状，被检查出来这种情
噻吩硫掺杂氮化碳促进nπ*电子跃迁增强光催化活性
Sulfur promoted n-π* electron transitions in thiophene-doped g-C3N4 for enhanced photocatalytic activity 噻吩硫掺杂氮化碳促进n-π*电子跃迁增强光催化活性 葛飞跃, 黄树全, 颜佳,
PN结半导体探测器的类型
扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
光伏效应的能带
在热平衡条件下，结区有统一的EF；在远离结区的部位，EC、EF、Eν之间的关系与结形成前状态相同。从能带图看，N型、P型半导体单独存在时，EFN与EFP有一定差值。当N型与P型两者紧密接触时，电子要从费米能级高的一方向费米能级低的一方流动，空穴流动的方向相反。同时产生内建电场，内建电场方向为从N区指
常用铁磁半导体介绍
以下是几种铁磁半导体：掺锰的砷化铟和砷化镓（GaMnAs），居里温度在分别在50-100k和100-200k。掺锰的锑化铟，不过在常温下具有铁磁性和锰浓度不到1%。氧化物类半导体：1.掺锰的氧化铟，常温下具有铁磁性。2.氧化锌。3.掺锰的氧化锌。4.掺n型钴的氧化锌。二氧化钛：掺钴的二氧化钛，常温下
P型半导体的形成原因
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。
电子型半导体的发展应用
半导体器件的最基本组成单元为PN结，PN结具有正向导通反向绝缘的功能，因此半导体器件在逻辑计算、信号传输、电力转换等诸多方面呈现出巨大优势。自1947年第一个半导体二极管在贝尔实验室诞生以来，半导体彻底变革了人类的生产生活方式，全球社会陆续从电气时代进入信息化时代，并加速向万物互联时代和人工智能智能
电子型半导体的形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高。对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主。Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素。某些氧化物
电子型半导体的技术特点
半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，其按照载流子（或晶体缺陷）的不同可分为P型半导体和N型半导体，半导体的导电性能与载流子（晶体缺陷）的密度有很大关系。半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半
P型半导体的主要作用
空穴型半导体又称P型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。