WIKI资讯
WIKI资讯
黑磷，作为新型的二维材料，具有可调的带隙（通过厚度调控）以及大于1000 cm2V-1s-1的电子迁移率，既能弥补石墨烯零带隙的不足，也能克服TMDCs载流子迁移率低的缺点，是高性能的纳米电子器件的优秀候选材料。本征黑磷是P型材料，空穴传输能力强，但电子传输能力很差。单极性特性使黑磷很难在互补型器件上发挥作用。因此，对黑磷进行N型掺杂是黑磷应用于半导体器件领域（如逻辑门、光电二极管、LED和太阳能电池等）的重要措施。 现有对黑磷进行N型掺杂的方法有三种。取代掺杂法，包括离子注入和等离子体处理等；表面电荷转移法，涉及气体分子、金属颗粒、有机物和氧化物；场致掺杂法，取代掺杂法可使少数二维材料完成N型掺杂，但会引入缺陷态以及电荷杂质散射中心导致载流子传输特性严重衰减。表面电荷转移法是一种有效掺杂的方法，但表面电荷转移法中引进的有机物等材料会导致器件不稳定还使得器件与传统半导体器件的兼容性差。场致掺杂中常用到的SixNy拥有高密度......阅读全文
黑磷，作为新型的二维材料，具有可调的带隙（通过厚度调控）以及大于1000 cm2V-1s-1的电子迁移率，既能弥补石墨烯零带隙的不足，也能克服TMDCs载流子迁移率低的缺点，是高性能的纳米电子器件的优秀候选材料。本征黑磷是P型材料，空穴传输能力强，但电子传输能力很差。单极性特性使黑磷很难在互补
近年，高效无毒的光催化剂——二氧化钛(TiO2)纳米材料用于有机物环境污染降解方面的研究，受到了世界各国科研工作者的广泛关注。而由于TiO2存在带隙宽的自身缺陷，造成其对可见光及光激发电荷的利用率较低，限制了其实际应用范围。元素“掺杂”是改善该材料缺陷的一种有效途径和方法之一。因此，对于系统探索
黑磷作为后石墨烯时代光、电性能最优良的二维材料之一，自2014年出现以来，短短几年内即迅速吸引了世界各国研究人员的关注。目前，黑磷不仅在光电器件和生物医学领域备受青睐，同时在环境污染治理等领域也表现出非凡的应用潜力。 中国科学院沈阳应用生态研究所研究员赵青及学科组近年来一直致力于二维黑磷
随着我国经济快速发展，水体污染和水资源匮乏问题愈发突出。工业废水外排污染物渐趋复杂，所含难生物降解污染物在自然界迁移转化过程中，易通过食物链进入人体和动物，在较低浓度下即对健康造成危害。面对日益迫切的水污染治理与防控需求，开发高效深度处理技术成为当务之急。非均相催化臭氧氧化技术利用臭氧分子和羟
氮掺杂纳米碳材料研究已经成为国际碳材料领域的热点之一，这主要是因为氮原子比碳原子多一个价电子，氮掺杂进入石墨的六元环结构后可形成吡啶、吡咯、石墨氮、吡啶氧化物等含氮官能团，不仅可以提高纳米碳材料的表面化学活性，还可对其电子结构进行调节。在众多纳米碳材料中，空心碳球具有低密度、高比表面积、可填充空
1.8～3 μm中红外激光由于具备处于大气窗口波段、对人眼安全、对大气分子敏感以及液态水分子强吸收等特性，在雷达、激光通信、环境监测以及高精度手术等领域具有重要的应用价值。近日，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员苏良碧课题组与山东师范大学、山东大学、哈尔滨工业大学等机构合作，基于“稀土发光离子局
双光子荧光成像技术具有近红外激发、避免光毒作用和光漂白、自发荧光干扰弱及较深的组织穿透深度等优点，在生物医药领域研究中受到极大关注。开发具有高双光子吸收截面、生物相溶性好的材料作为双光子荧光探针，是活细胞和深层组织成像研究领域的关键和热点。 国家纳米科学中心宫建茹研究组以氧化石墨烯为前驱体
石墨烯，这一2004年发现的碳晶体家族中的新成员，集多种优异特性于一身，其电子迁移率高于硅材料两个级数表明石墨烯有望替代半导体工业中的硅材料。然而，石墨烯为零带隙半导体，因此能否有效调控其电学性质决定着这种新材料在微电子等行业的应用前途。 掺杂被认为是调控石墨烯电学性质的
近年来，二维范德华材料如石墨烯、二硫化钼等由于其独特的结构、物理特性和光电性能而被广泛研究。在二维材料的研究领域中，磁性二维材料具有更丰富的物理图像，并在未来的自旋电子学中有重要的潜在应用，越来越受到人们的关注。掺杂是实现二维半导体能带工程的重要手段，如果在二维半导体材料中掺杂磁性原子，则这些材
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋与中南大学冶金与环境学院副教授杨英以及物理与电子学院副教授肖思等合作，在黑磷光伏器件应用领域取得进展。相关论文Black phosphorus quantum dots based photocathodes in wideband bifacia