PN结半导体探测器的类型
扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。 存在的矛盾 由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。......阅读全文
PN结半导体探测器的类型
扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
PN结半导体探测器的工作原理
多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，远高于本征电阻率 [4] 。 在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。 反向电压形成的电场与内电场方向一致。 在外加反向电压时的反向电流
半导体探测器简介
半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似，故又称固体电离室。半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。常用半导体探测器有 P-N结型半导体探测器、 锂漂
半导体探测器的基本原理和特点
基本原理 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号 [2] 。 我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流
高纯锗(HPGe)半导体探测器的相关介绍
简介 随着锗半导体材料提纯技术的进展，已可直接用超纯锗材料制备辐射探测器。它具有工艺简单、制造周期短和可在室温下保存等优点。用超纯锗材料还便于制成X、γ射线探测器,既可做成很大灵敏体积，又有很薄的死层,可同时用来探测X和γ射线。高纯锗探测器发展很快，有逐渐取代锗。 工作原理 采用高纯度的
水平石墨烯pn异质结阵列构建－及其光电探测研究获进展
传统半导体p-n异质结是双极型晶体管和场效应晶体管的核心结构，是现代集成电路技术的基础。同样，构建石墨烯p-n异质结也是未来发展基于石墨烯的集成电路和光电探测技术的关键。由于石墨烯材料单原子层厚度的限制，难以通过传统集成电路制造工艺中的离子注入技术，实现石墨烯材料的可控掺杂。另外，原位生长掺杂、
砷化镓pn结注入式激光器的功能介绍
中文名称砷化镓p-n结注入式激光器英文名称gallium arsenide p-n junction injection laser定 义以砷化镓材料构成p-n结，以晶体解理面构成谐振腔，当p-n结中注入大电流，便以平行于结面的方向射出激光的激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科
砷化镓pn结注入式激光器的结构功能
中文名称砷化镓p-n结注入式激光器英文名称gallium arsenide p-n junction injection laser定 义以砷化镓材料构成p-n结，以晶体解理面构成谐振腔，当p-n结中注入大电流，便以平行于结面的方向射出激光的激光器。应用学科机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科
半导体探测器简介
半导体探测器（semiconductor detector）是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚，1949年麦凯（K.G.McKay）首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后，
光探测器的类型
光电倍增管、热电探测器、半导体光探测器等。 在半导体光探测器中光电二极管体积小，灵活度高，响应速度快，在光纤通信系统中得到了广泛的应用，常见的光电二极管有俩种：PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD)
简介光电池的特殊结构
光电池是一种特殊的半导体二极管，能将可见光转化为直流电。有的光电池还可以将红外光和紫外光转化为直流电。光电池是太阳能电力系统内部的一个组成部分，太阳能电力系统在替代电力能源方面正有着越来越重要的地位。最早的光电池是用掺杂的氧化硅来制作的，掺杂的目的是为了影响电子或空穴的行为。其它的材料，例如CI
什么是半导体异质结
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
什么是半导体异质结
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
能带结构图怎么理解
如何考察结构能带如何考察一个能带（DOS）结构和复杂的相互作用 Part 1 Electric conductivity and Band structures固体计算最终结果将以能带结构展示出来，关于能带结构，固体中化学键分析，轨道之间的相互作用的解释等是一个复杂的过程，这里只是简单的根据本人的经
半导体探测器的发展历史
半导体探测器的前身可以认为是晶体计数器 。早在1926年就有人发现某些固体电介质在核辐射下产生电导现象。后来，相继出现了氯化银、金刚石等晶体计数器。但是，由于无法克服晶体的极化效应问题，迄今为止只有金刚石探测器可以达到实用水平。半导体探测器发现较晚，1949年开始有人用α 粒子照射锗半导体点接触
有机无机杂化宽光谱探测器研究获进展
有机-无机杂化宽光谱探测器研究获进展 近年来，有机-无机复合的光探测器以其低能耗，响应速度快，体积和重量显著减小，且易大面积生产，高机械柔性等特点引起人们的极大关注，同时，该器件在光通信，触感器，红外探测等军事和国民经济的各个领域有着广泛的应用。 由于该器件不仅结合的有机半导体易大
光电导效应在基础光电器件中的应用
(1)在探测器中的应用利用光电导效应原理工作的探测器称为光电导探测器。作为半导体材料的一种体效应，光电导效应无须形成p-n结。光照越强，光电导材料的电阻率越小，故光电导材料又称为光敏电阻。不含杂质的光敏电阻一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测，含杂质的光敏电阻通常必须在低温条件下工作，常用
光探测器的类型简介
光电倍增管 由光电阴极和装在真空管内的倍增器组成，有很高的增益和很低的噪声，但尺寸较大且需要较高的偏置电压，不适合光纤通信系统。 热电探测器 包含了从热能到光能的转换，这种探测器的响应在相当宽的光谱范围内都是平坦的，但响应速度很慢也不适合光纤通信系统。 半导体光探测器 在半导体光探测器
光电导效应在基础光电器件中的应用
在基础光电器件中的应用(1)在探测器中的应用利用光电导效应原理工作的探测器称为光电导探测器。作为半导体材料的一种体效应，光电导效应无须形成p-n结。光照越强，光电导材料的电阻率越小，故光电导材料又称为光敏电阻。不含杂质的光敏电阻一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测，含杂质的光敏电阻通常必须
能带结构图怎么理解
如何考察结构能带如何考察一个能带（DOS）结构和复杂的相互作用 Part 1 Electric conductivity and Band structures固体计算最终结果将以能带结构展示出来，关于能带结构，固体中化学键分析，轨道之间的相互作用的解释等是一个复杂的过程，这里只是简单的根据本人的经
半导体探测器的应用领域
随着科学技术不断发展需要，科学家们在锗锂Ge(Li)、硅锂Si(Li)、高纯锗HPGe、金属面垒型等探测器的基础上研制出许多新型的半导体探测器，如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等，并广泛应用在高能物理、天体物理、工业、安全检测、核医学、X光成像、军事等各个领域。世界各大高能物理实验室几乎都采用
半导体探测器的基础知识
半导体原子规则排列成点阵状态。其最小单元叫作晶包，对锗来讲是小四面体，即金刚石结构。电子在晶体中为晶包所公有，形成能带结构，如图4-1-1所示。下面的能带称为价带，又称满带，平时被电子填满。中间是禁带（又称能隙）。上面是导带，平时没有电子（又称空带）。在价带以下还有更低能量的价带；在导带以上还有更高
半导体ATE设备类型
台式或一体化设备(通常带有GPIB或以太网控制) 基于VXI的卡式单元(需要计算机控制/接口和平台) 由PC驱动的便携式设备(通常带有以太网或USB控制) 独立的可编程单元(通常为台式) 自定义机架安装单元，可将各种自定义或购买的组件组合在一起，可能具有自定义接口和互连功能 此外，还有
红外测距仪的结构组成
红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时，P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光，这是由于在掺杂的GaAs半导体中电
红外光电测距仪的构造与组成
红外测距仪主要由调制光发射单元、接收单元、测相单元、计数显示单元、逻辑控制单元和电源变换器等部分组成。其光源通常为砷化稼(GaAs)半导体发光二极管。当有相当大的电流正向通过GaAs二极管的P-N结时，P-N结里就会发射出波长为0.72μm、0.94μm的近红外光，这是由于在掺杂的GaAs半导体中电
红外探测器有哪些类型
被动红外探测器的工作原理：1、被动红外探测器，其传感器包含两个互相串联或并联的热释电元。而且制成的两个电极化方向正好相反，环境背景辐射对两个热释电元几乎具有相同的作用，使其产生释电效应相互抵消，于是探测器无信号输出，一旦入侵人进入探测区域内，人体红外辐射通过部分镜而聚焦，从而被热释电元接收，但是两片
光谱分析仪的光源二极管激光器介绍
二极管激光器(diode laser)技术取得了一些显著进展。二极管激光器体积小且廉价，具有开发激光原子光谱分析仪器的良好前景。目前，其主要的缺陷是在光谱蓝端发射的激光稳定性 不够，且使用寿命短。下图所示是典型的小型半导体激光器(300μm× 250μm× 125μm)的结构示意图。激光介质是一个空
郑直小组合成新型异质结薄膜太阳能电池材料
河南许昌学院表面微纳米材料研究所郑直课题组最近在新型异质结薄膜太阳能电池材料研发方面取得新进展。相关成果日前发表于英国皇家化学会主办的《道尔顿》杂志。 据了解，传统的单晶硅太阳能电池虽然具有较高的稳定性和光电转化效率，但随着能源和环境两方面问题的日益突出，其生产和应用受到挑战。一个重要原因是p
关于二极管激光器的基本介绍
二极管激光器中的P-N结由两个掺杂的砷化镓层形成。它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。 激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照P-N结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流
少数载流子寿命测试方案
少数载流子寿命，又称为非平衡少数载流子寿命，是半导体材料中的一个重要参数，它指的是在半导体中少数载流子（对于n型半导体为空穴，对于p型半导体为电子）的平均生存时间，即少数载流子从产生到复合所经历的平均时间间隔。少数载流子寿命常用τ表示，其倒数1/τ表示单位时间内少数载流子的复合几率。少数载流子寿命的