微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFET）的FeFET无法进一步微缩，而垂直环栅晶体管（VGAAFET）不受栅长的约束，同时在3D集成和布线上有明显优势，具有大幅增加集成度的潜力，因此更适合5纳米技术节点以下的FeFET结构。 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员朱慧珑团队利用自主研发的集成工艺，制造出了具有自对准栅极的铁电垂直环栅纳米晶体管（Fe-VSAFET），其中包括栅长为40纳米，沟道厚度为16纳米的纳米片和直径为30纳米的纳米线两类器件。该器件具有小于pA级的漏电，大于107的开关比，100ns级的编程/擦除速度和2.3V的最大存储窗口等优......阅读全文
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAA
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFE
朱慧珑团队在铁电垂直环栅纳米器件研究获进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAA
新型纳米复合离子聚合物电驱动器件问世
最近，中科院苏州纳米所研究员陈韦课题组制备出石墨烯包裹银纳米颗粒的电极，并在此基础上成功设计出电化学稳定的新型纳米复合离子聚合物电驱动器件。相关研究成果近日在线发表于《先进材料》杂志。 据了解，金属电极复合离子聚合物是一种新型的智能材料，可广泛应用于仿生机器人、微医疗器械、微流控、人机交互
中科院电工所制备铁电半导体耦合光伏器件
记者日前从中科院电工所获悉，该所化合物薄膜太阳能电池研究组在普通钠钙玻璃上制备的铁电-半导体耦合光伏器件，经中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心认证，其转化效率达11.3%。 铁电-半导体耦合光伏器件，又叫纳米偶极子太阳能电池，属第三代太阳能电池。与传统PN结不同的是，该光伏器件是
电真空器件展|2024年上海电真空器件展览会
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
碳纳米晶体管性能首次超越硅晶体管
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，
纳米纸有机晶体管问世
近日，同济大学材料科学与工程学院教授黄佳、美国马里兰大学材料科学与工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究论文《全透明可弯曲纳米纸晶体管》，在线发表于纳米科学技术领域权威期刊ACS Nano。 “透明化、可弯曲是电子产品未来发展的两个重要方向。这一成果最大的创新点，是将全透明
纳米纸有机晶体管问世
近日，同济大学材料科学与工程学院教授黄佳、美国马里兰大学材料科学与工程系教授Hu Liangbing等共同完成的研究论文《全透明可弯曲纳米纸晶体管》，在线发表于纳米科学技术领域权威期刊ACS Nano。 “透明化、可弯曲是电子产品未来发展的两个重要方向。这一成果最大的创新点，
科学家开发出三维垂直场效应晶体管
科技日报北京6月14日电 （记者张梦然）通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道，日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管，可用来生产高密度数据存储器件。此外，通过使用反铁电体代替铁电体，他们发现擦除数据只需要很小的净电荷，从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该
中科院金属所研发出新型门可调阻变存储器
近期，中国科学院金属研究所（以下简称金属所）沈阳材料科学国家研究中心与国内多家单位合作，研究团队通过设计二维半导体与二维铁电材料的特殊能带对齐方式，将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与非隧穿型的铁电忆阻器垂直组装，首次构筑了基于垂直架构的门电压可编程的二维铁电存储器。相关研究成果11
铁电和反铁电薄膜热开关领域获得重要进展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/514756.shtm
木质晶体管让电子器件长在树上
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/499338.shtm ?由轻木制成的木制晶体管。图片来源：Van Chinh Tran一种由导电木材制成的电气开关，可能成为未来嵌入活树和其他植物中的电子设备的基石。相关研究成果近日发表于美国
美国：全新“负电容”晶体管－为高效晶体管研发带来希望
2008年，美国普渡大学的一个研究团队曾提出利用负电容原理制造新型低功耗晶体管的概念。近日，加州大学伯克利分校的研究人员通过实验对这一概念进行了验证演示。研究人员利用一层极薄的二硫化钼二维材料半导体层作为临近晶体管栅极的沟道。然后，利用铁电材料氧化锆铪制作新型负电容栅极的关键组件。该研究内已于2
英特尔：将继续推动摩尔定律的创新
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2022/12/490898.shtm未来晶体管的发展是否依旧遵循摩尔定律？在近日举行的2022 IEEE国际电子器件会议（IEDM 2022）上，英特尔给出了肯定的回答。12月8日，在接受《中国科学报》等记者采访时，英
铁电局域场增强纳米线光电探测器研究获进展
近日，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达研究员、武汉大学物理学院廖蕾教授等研究人员在铁电局域场增强纳米线光电探测器研究取得进展，相关成果以“When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field -High-Performan
什么是铁电畴？
为什么铁电体会有电滞回线？主要是因为铁电体是由铁电畴组成的。理想单畴铁电单晶体中，晶体内部所有区域的自发极化P全部指向同一方向，整个晶体将在内外部空间建立起电场。那么周围空间将储存相当大的静电能量，从能量角度来看，这种状态是不稳定的。因此，晶体中铁电相的自发极化总是会分裂成一系列极化方向不同的
什么是铁电畴？
为什么铁电体会有电滞回线？主要是因为铁电体是由铁电畴组成的。理想单畴铁电单晶体中，晶体内部所有区域的自发极化P全部指向同一方向，整个晶体将在内外部空间建立起电场。那么周围空间将储存相当大的静电能量，从能量角度来看，这种状态是不稳定的。因此，晶体中铁电相的自发极化总是会分裂成一系列极化方向不同的小区域
“纳米画笔”勾勒未来低维半导体器件
如今人们的生活节奏在加快，对电子设备的要求也越来越高。各种新款电子设备都在变着法子表明自己功能更强大、体型更轻薄。然而，电子设备的功能越丰富、性能越强大，意味着这些设备单位体积中容纳的电子元件数目越多；体型越小意味着这些电子元件功能单元的体积越来越小。 就像我们每天都使用的手机，它的中央处理
纳米线晶体管能自我修复
据美国电气与电子工程师协会《光谱》杂志网站11日报道，美国国家航空航天局（NASA）与韩国科学技术研究院（KAIST）合作，研制出了一款能自我修复的晶体管。研究人员表示，最新自我修复技术有助于研制单芯片飞船，其能以五分之一光速飞行，在20年内抵达距太阳系最近的恒星“比邻星”。 今年4月12日
Science发文！我国学者“存储—计算一体化器件”研究新成果
在国家自然科学基金项目（61974050、61725505和61905266）等资助下，华中科技大学叶镭副教授与中国科学院上海技术物理研究所胡伟达研究员等合作团队，在存储—计算一体化器件研究方面取得进展。研究成果以“基于二维材料的面向神经形态硬件的同质晶体管-存储器结构（2D materials
中科院微电子所研制高性能的负电容FinFET器件
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET器件。 现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec
电工所研制出首例突破11％的铁电半导体耦合光伏器件
日前，中国科学院电工研究所化合物薄膜太阳能电池研究组在普通钠钙玻璃上制备的铁电-半导体耦合光伏器件，经中国科学院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心认证，其转化效率达到11.3%。 铁电-半导体耦合光伏器件也称为纳米偶极子太阳能电池，属于第三代太阳能电池。与传统PN结不同的是，这种光伏
物理所等实现二维原子晶体硒化铟高性能光电探测器
二维层状原子晶体材料的物理性能（如带隙等）随厚度减小而变化，在光子和光电子器件的应用中具有广阔前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件，引发学界广泛关注，近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外，半导体二维原子晶体材料（如过渡金属硫属化合物、II-V
新型二维铁电材料铁电畴结构的调控研究获进展
铁电材料因具有稳定的自发极化，且在外加电场下具有可切换的极化特性，在非易失性存储器、传感器、场效应晶体管以及光学器件等方面具有广阔的应用前景。与传统的三维铁电材料不同，二维范德华层状铁电材料表面没有悬空键，这可降低表面能，有助于实现更小的器件尺寸。此外，传统三维铁电薄膜的外延生长需要合适的具有小
铁电材料电滞回线的测量
测量铁电材料电滞回线的方法通常有两种：冲击检流计描点法和 Sawyer-Tower电路法。第二种方法可用超低频示波器进行观察以及用xy函数记录仪进行记录，简便迅速，故人们常常采用。 采用Sawyer-Tower电路准静态测试铁电陶瓷材料电滞回线的测量原理图（GB/T6426-1999）如
铁电材料电滞回线的测量
测量铁电材料电滞回线的方法通常有两种：冲击检流计描点法和 Sawyer-Tower电路法。第二种方法可用超低频示波器进行观察以及用xy函数记录仪进行记录，简便迅速，故人们常常采用。 采用Sawyer-Tower电路准静态测试铁电陶瓷材料电滞回线的测量原理图（GB/T6426-1999）
极陡峭亚阈值摆幅场效应晶体管实高灵敏室温光电探测
近日，中科院上海技术物理研究所王建禄研究员,胡伟达研究员与中科院微电子所刘琦研究员等人合作，设计出一种极陡峭亚阈值摆幅的场效应晶体管，并基于该结构实现了极高灵敏光电探测功能，综合利用了铁电负电容效应、铁电极化诱导局域场效应及“photogating”效应，基于铁电局域静电场和铁电负电容效应的共同
首个10纳米以下碳纳米管晶体管问世
据美国物理学家组织网2月2日(北京时间)报道，来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管，而这种尺寸正是未来十年计算技术所需的。这种微型晶体管能有效控制电流，在极低的工作电压下，仍能保持出众的电流密度，甚至可超过同尺
铁电局域场增强纳米线光电探测器研究中获进展
近日，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室胡伟达、王建禄、孟祥建、陈效双、陆卫以及武汉大学廖蕾等研究人员在铁电局域场增强纳米线光电探测器研究中取得进展，相关成果以When Nanowires Meet Ultrahigh Ferroelectric Field -High-Per