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新研究构筑1024高像素密度光电探测器阵列

4英寸晶圆的图案化Ti3C2Tx薄膜(金属所供图) 在电子和光电器件中,二维过渡金属碳化物和氮化物MXene被公认为具有重要应用潜力。中国科学院金属研究所(以下简称金属所)沈阳材料科学国家研究中心的科研人员与国内多家单位科研团队合作,提出一种具有微米级分辨率的晶圆级MXene薄膜图案化方法,并构筑了1024高像素密度光电探测器阵列。日前,相关研究成果在线发表于《先进材料》(Advanced Materials)。 科研人员发现,此前已报道的MXene薄膜的图案化方法难以兼顾效率、分辨率和与主流硅工艺的兼容性。比如,电子束光刻法可以实现较高的图案分辨率,但效率较低,不适用于大面积图案化;直接写入、激光蚀刻和喷墨印刷等其他图案化方法速度较快,但通常缺乏足够的分辨率。 为此,金属所科研团队联合南京大学、燕山大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所等单位研究人员,对Ti3C2Tx溶液离心工艺和衬底亲水性进行优化后,采用旋涂法制......阅读全文

新研究构筑1024高像素密度光电探测器阵列

4英寸晶圆的图案化Ti3C2Tx薄膜(金属所供图)在电子和光电器件中,二维过渡金属碳化物和氮化物MXene被公认为具有重要应用潜力。中国科学院金属研究所(以下简称金属所)沈阳材料科学国家研究中心的科研人员与国内多家单位科研团队合作,提出一种具有微米级分辨率的晶圆级MXene薄膜图案化方法,并构筑了1

新研究构筑1024高像素密度光电探测器阵列

4英寸晶圆的图案化Ti3C2Tx薄膜(金属所供图)  在电子和光电器件中,二维过渡金属碳化物和氮化物MXene被公认为具有重要应用潜力。中国科学院金属研究所(以下简称金属所)沈阳材料科学国家研究中心的科研人员与国内多家单位科研团队合作,提出一种具有微米级分辨率的晶圆级MXene薄膜图案化方法,并构筑

光电探测器简介

  光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像

光电探测器工作原理

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质

光电探测器工作原理

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质

什么是光电探测器

电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波

光电探测器工作原理

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质

alphalas 光电探测器介绍

  alphalas 光电探测器属于光线传感器的一种,它常用于摄像头和其他成像设备中。它们可以感知称为“光子”的基本粒子的图案,并通过这些图案创造出图像。不同的alphalas 光电探测器用于感知光谱的不同部分。例如,夜视眼镜中使用的光电探测器就是用于感知肉眼不可见的热辐射。还有一些光电探测

什么是光电探测器

电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波

光电探测器的概述

  光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用,这主要是基于半导体材料的光生伏特效应,所谓的光生伏特效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下,电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态,而引起材料电导率的变化的象。即当光照射到光电导体