科学家发现一种比硅更优的半导体材料——立方砷化硼
科研人员日前发表在学术期刊《科学》的新研究显示，一种名为立方砷化硼的材料在实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率，有潜力成为比硅更优良的半导体材料。 硅是目前应用最广泛的半导体材料，然而硅作为半导体有两项不足。第一，硅不太善于传导热量，导致芯片温度总是过热，散热问题已经成为制约芯片性能的重要因素。第二，硅有较好的电子迁移率，但不具备足够好的空穴迁移率，后者对半导体性能也很重要。材料中带负电的电子离开后，留下的带正电的空位，被称作“空穴”。电子迁移率和空穴迁移率统称为双极性迁移率。 科学家认为，立方砷化硼在理论上同时具有比硅更好的导热性，以及更高的双极性迁移率。早先实验已证实，该材料的热导率约是硅的10倍。 来自麻省理工学院等美国院校的科研人员日前在《科学》杂志上发表研究进一步证实，立方砷化硼在实验中同时展现出更优良的导热性和双极性迁移率。研究人员表示，这可能是目前发现的最好的半导体材料。 同期《科学》杂志也刊登......阅读全文
三溴化硼与胺基反应生成什么
胺基中N的孤对电子与三溴化硼中的硼配位,形成配合物
兰州化物所实现高选择性硼化转化制备三取代烯基硼试剂
中国科学院兰州化学物理研究所羰基合成与选择氧化国家重点实验室/苏州研究院刘超研究员团队自2015年成立以来一直致力于基于羰基化合物的转化开展有机硼化合物合成与应用研究，并取得了一系列研究成果（J. Am. Chem. Soc. 2017, 139, 5257，Angew. Chem., In.
砷化镓生产方式介绍
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种
砷化镓材料的材料特性
GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、
砷化镓的理化性质
密度：5.31g/cm3熔点：1238℃折射率：3.57相对介电常数：13.18电子亲和能：4.07 eV晶格能：5.65×10-10m禁带宽度：1.424e（300K）电子迁移率：8500 cm2/(V·s) （300 K）外观：黑灰色固体
一半钻石，一半立方氮化硼，加起来等于超级切割材料
2015年9月8日华盛顿--人们都说钻石是坚固不变的，这当然是除了它们在高温下被用来切割铁，钴，镍，鉻，钒时被氧化的情况。相反，立方氮化硼具有优秀的化学惰性，但其硬度却只有钻石的一半。为了研制一种适用于工业上各种材料的超硬材料，中国四川大学的研究者们制造出了一种钻石和立方氮化硼的合金，这种合金结
工业化砷化镓的生产工艺介绍
工业化砷化镓生长工艺包括：直拉法（Cz法）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB法）以及垂直梯度凝固法（VGF法）等。以上方法各有优劣，除了实际工艺制备的方法，另外一种就是通过计算机来实现砷化镓的晶体生长数值模拟，如利用FEMAG/VB能模拟VB、VGF法生长工艺，利用FEMAG/Cz能模拟
半导体材料的主要种类介绍
半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。半导体材料按化学成分和内部结构，大致可分为以下几类。1.元素半导体有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50年代，锗在半导体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到60年代后期逐渐被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温
“重利用”开启砷化镓新时代
斯坦福大学的研究人员发明了一种可以大大降低生产砷化镓电子设备成本的制造工艺，开辟了砷化镓的新用途。 在电脑芯片、太阳能电池以及其它的电子设备中，半导体一直都是传统的硅材料；硅制成的特殊材料拥有独特的电性能-----可以控制（打开或关闭）电流，就像水龙头控制水流一样。当然，还
砷化镓材料的研究进展
砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优
JACS封面：BN掺杂纳米石墨烯的硼化方法
日本关西学院大学Takuji Hatakeyama（通讯作者）等人通过选择合适的硼源和布朗斯特碱，发现一次实现三芳胺的多重硼化反应的方法。在硼化反应的辅助下，一系列BN掺杂的纳米石墨烯从传统的原材料经由两步反应转变得到。
六硼化铈－(CeB6)－灯丝为什么适合
05.使用压力使用压力即为灯丝正常工作需要的真空度，六硼化镧和六硼化铈灯丝需要的真空度 (10-5Pa) 比钨灯丝 (10-3Pa) 更高，因此他们对真空系统的要求也会更高。 06.寿命寿命即为灯丝的正常使用时间，由于钨灯丝的寿命只有 50-100h，因此使用钨灯丝作为电子源的电镜需要经常更换灯丝，
《物理世界》公布2022年度十大突破
月8日，英国《物理世界》杂志公布了2022年度十大突破，涵盖从量子、医学物理学、天文学到凝聚态物质等各个方面。这十项突破是由《物理世界》编辑小组从今年在该杂志网站上发布的涵盖物理学所有领域的数百项研究中精选出来的。开创超冷化学新纪元冷却灯：约翰·道尔团队使用的实验装置。图源：约翰·道尔中国科学技术大
元素半导体的结构特性
元素半导体（element semiconductor）是由同种元素组成的具有半导体特性的固体材料，即电阻率约为10-5～107Ω·cm，微量杂质和外界条件变化都会显著改变其导电性能的固体材料。周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)
半导体的发现历史
半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接
半导体是何时发现的？
1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但法拉第发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。 不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这
我所发展铜催化的α取代苯乙烯羰基化硼化反应
原文地址：http://www.dicp.cas.cn/xwdt/kyjz/202302/t20230220_6680091.html 近日，我所生物能源研究部催化羰基化研究组（DNL0604组）吴小锋研究员团队在烯烃的羰基化硼化反应研究方面取得新进展，发展了一种α-取代苯乙烯的催化官能团化反应，
六硼化镧场发射电子枪的研究
电子枪作为电子显微镜、X射线管等微检测设备的核心部件,在工业探伤、医疗成像等领域发挥着重要的作用。相较于传统热发射阴极,场发射阴极具有无需加热、电流密度高、开关性能优异等优点。因此,利用场发射阴极,设计并研制一种具有小体积、低功耗、大电流密度、小焦点的场发射电子枪,对提高移动便携式微检测设备的性能具
元素半导体的结构
具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。其导电能力介乎导体和绝缘体之间。主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。工业上应用最多的是硅、锗、硒。用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。其他硼、碳（金刚石、石墨）、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导体，但都尚未
G01G06系列高智能多参数土壤肥料养分检测仪特点
仪器特点：★微电脑控制，程序化设计，5.1寸大屏幕中文汉字背光显示，交直流两用，内置锂电池，可野外流动测试。★无需空白和标准校准，一键式操作，直接读取数据，配套成套附件及成品药剂。★采用高亮LED光源，滤光式处理技术，保证光源波长稳定，硅半导体作为信号接收系统，寿命长达10万小时级别。光源稳定，重现