科学家发现一种比硅更优的半导体材料——立方砷化硼
科研人员日前发表在学术期刊《科学》的新研究显示，一种名为立方砷化硼的材料在实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率，有潜力成为比硅更优良的半导体材料。 硅是目前应用最广泛的半导体材料，然而硅作为半导体有两项不足。第一，硅不太善于传导热量，导致芯片温度总是过热，散热问题已经成为制约芯片性能的重要因素。第二，硅有较好的电子迁移率，但不具备足够好的空穴迁移率，后者对半导体性能也很重要。材料中带负电的电子离开后，留下的带正电的空位，被称作“空穴”。电子迁移率和空穴迁移率统称为双极性迁移率。 科学家认为，立方砷化硼在理论上同时具有比硅更好的导热性，以及更高的双极性迁移率。早先实验已证实，该材料的热导率约是硅的10倍。 来自麻省理工学院等美国院校的科研人员日前在《科学》杂志上发表研究进一步证实，立方砷化硼在实验中同时展现出更优良的导热性和双极性迁移率。研究人员表示，这可能是目前发现的最好的半导体材料。 同期《科学》杂志也刊登......阅读全文
立方砷化硼有潜力成为比硅更优良的半导体材料
新华社北京7月26日电（记者乔本孝）科研人员日前发表在学术期刊《科学》的新研究显示，一种名为立方砷化硼的材料在实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率，有潜力成为比硅更优良的半导体材料。硅是目前应用最广泛的半导体材料，然而硅作为半导体有两项不足。第一，硅不太善于传导热量，导致芯片温度总是过热
新研究：立方砷化硼有潜力成为比硅更优良的半导体材料
新华社北京7月26日电（记者乔本孝）科研人员日前发表在学术期刊《科学》的新研究显示，一种名为立方砷化硼的材料在实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率，有潜力成为比硅更优良的半导体材料。 硅是目前应用最广泛的半导体材料，然而硅作为半导体有两项不足。第一，硅不太善于传导热量，导致芯片温度总
科学家发现一种比硅更优的半导体材料——立方砷化硼
科研人员日前发表在学术期刊《科学》的新研究显示，一种名为立方砷化硼的材料在实验室展现出比硅更好的导热性和更高的双极性迁移率，有潜力成为比硅更优良的半导体材料。 硅是目前应用最广泛的半导体材料，然而硅作为半导体有两项不足。第一，硅不太善于传导热量，导致芯片温度总是过热，散热问题已经成为制约芯片性能的
实测半导体砷化硼，理论预言“稳了”
7月22日，国家纳米科学中心（以下简称纳米中心）研究员刘新风研究团队在《科学》上发表论文，首次在半导体砷化硼中检测到其电子空穴约化迁移率约 1550 cm2/Vs, 这一测量结果与理论预测值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望为半导体砷化硼在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导。利用瞬态反射显
半导体砷化硼有望应用到集成电路领域
7月22日，国家纳米科学中心（以下简称纳米中心）研究员刘新风研究团队在《科学》上发表论文，首次在半导体砷化硼中检测到其电子空穴约化迁移率约 1550 cm2/Vs, 这一测量结果与理论预测值的1680 cm2/Vs 非常接近，有望为半导体砷化硼在集成电路领域的应用提供重要基础数据指导。利用瞬态反射显
刘新风等测定超高热导率半导体砷化硼的载流子迁移率
中国科学院国家纳米科学中心研究员刘新风团队联合美国休斯顿大学包吉明团队、任志锋团队，在超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子扩散动力学研究方面取得进展，为其在集成电路领域的应用提供重要的基础数据指导和帮助。相关研究成果发表在《科学》（Science）上。 随着芯片集成规模的进一
大连化物所实现半导体光催化硼化反应
近日，中国科学院大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组研究员戴文团队，在多相光催化硼化方面取得新进展。该团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂，利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用，通过选择性硼化反应，实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳（杂）环的高值转化，合成了硼氢化和
最纯砷化镓半导体面世
美国普林斯顿大学研究人员在《自然·材料》杂志报告称，他们研制出了世界上迄今最纯净的砷化镓。该砷化镓样品的纯度达到每100亿个原子仅含有一个杂质，纯度甚至超过了用于验证一千克标准的世界上最纯净的硅样品。 砷化镓是一种半导体，主要用于为手机和卫星等提供电力。新研究得到的砷化镓样品呈正方形，边长与一
挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线
挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge W
大连化物所戴文团队研究实现半导体光催化硼化反应
氮杂环卡宾硼烷（NHC-BH3）由于化学性质稳定且制备方法简单，近年来作为一种新型硼源，被应用于自由基硼化反应中。然而，大量有害的自由基引发剂和昂贵且无法回收的均相光催化剂的使用，阻碍了其广泛被应用。因此，发展一种通用、廉价且可循环的催化体系，对NHC-BH3参与的自由基硼化反应的发展具有重要意
立方氮化硼薄膜的制备及其光学应用展望
现用自偏压辅助的射频磁控溅射在硅基片上生长氮化硼薄膜,用傅里叶变换红外光谱和俄歇电子能谱测定薄膜中立方结构的含量以及氮硼的组分比。分别研究了工作气体中氮气的含量、基片的温度和基片的偏压对立方结构生长的影响。实验结果显示:薄膜组分是否达到氮硼比为1的化学配比条件是立方结构能否生长的关键;通过选择工作气
金属Zr催化的烯烃脱氢硼化和转移硼化反应研究获进展
烯基硼酸酯(VBE)是合成化学中的一类重要中间体，在合成具有生物活性的天然产物方面应用广泛。目前已知的该类化合物的制备方法存在底物来源受限和官能团兼容性差等不足之处。相对而言，从廉价易得的烯烃和硼烷的直接脱氢硼化是制备VBE的一种极具吸引力的方法。在Rh、Ir、Pd、Ni、Co、和Fe等后过渡金
新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”获得技术ZL
近日挪威科技大学的研究人员成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge
半导体所在砷化镓/锗中拓扑相研究方面获重要发现
中国科学院半导体研究所常凯研究组提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功地证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用又向前推进了一步。 拓扑绝缘体是目前凝聚态物理的前沿热点问题之一。它具有
三溴化硼泄露怎么处理
迅速撤离泄漏污染区人员至安全区，并立即隔离150m，严格限制出入。建议应急处理人员戴自给正压式呼吸器，穿防酸碱工作服。不要直接接触泄漏物。尽可能切断泄漏源。小量泄漏：用砂土或其它不燃材料吸附或吸收。也可以将地面洒上苏打灰，然后用大量水冲洗，洗水稀释后放入废水系统。大量泄漏：构筑围堤或挖坑收容。用泵转
三溴化硼的取用方法
安瓿熔封阴凉干燥保存。密闭包装，避光保存，切勿受潮。与碱类、醇类分储，不宜久贮。误食，用水漱口，饮牛奶或蛋清。第一部分：化学品名称 回目录化学品中文名称： 三溴化硼化学品英文名称： boron tribromide中文名称2： 溴化硼英文名称2： boron bromide技术说明书编码： 975C
选择性硼氢键活化的铱催化碳硼烷硼基化反应研究获进展
碳硼烷是由两个CH 和十个BH 顶点组成的笼状分子，被视为苯的三维类似物，具有超芳香性及很好的化学和热稳定性，在生物医药、超分子材料等领域有着重要的用途。例如，利用其单位分子内的高硼含量作为硼中子俘获疗法（BNCT）试剂，利用其高热稳定性用于耐热硅硼橡胶聚合物；其它用途还包括超分子材料、分子机器
立方氮化硼首次在自然界中找到－硬度可媲美钻石
本周，国际矿物学协会正式承认了一种新的矿物——立方氮化硼，其由美国、中国和德国的地质学家组成的国际研究团队于2009年在自然界中找到，并被命名为qingsongite。而在此前，该矿物只能在实验室中合成。 早在1957年，美国研究人员就采用人工方法在高温高压条件下首次合成了立方氮化硼，但天
砷化镓的结构特性
砷化镓（gallium arsenide）是一种无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓的安全术语
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用时，不得进食，饮水或吸烟。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化镓的毒理资料
GaAs的毒性没有被很完整的研究。因为它含有As，经研究指出，As是剧毒的。但是，因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程（磨GaAs晶圆使表面微粒变小）时，表面的区域会和水起反应，释放或分解出少许的As。
研究发展α取代苯乙烯羰基化硼化反应
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/2/494252.shtm