元素半导体的结构
具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。其导电能力介乎导体和绝缘体之间。主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。工业上应用最多的是硅、锗、硒。用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。其他硼、碳（金刚石、石墨）、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导体，但都尚未得到应用。......阅读全文
元素半导体的结构
具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。其导电能力介乎导体和绝缘体之间。主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。工业上应用最多的是硅、锗、硒。用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。其他硼、碳（金刚石、石墨）、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导体，但都尚未
元素半导体的结构特性
元素半导体（element semiconductor）是由同种元素组成的具有半导体特性的固体材料，即电阻率约为10-5～107Ω·cm，微量杂质和外界条件变化都会显著改变其导电性能的固体材料。周期表中，金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素，硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)
元素半导体的概念
元素半导体指以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。
元素半导体的基本特性
典型的半导体材料居于Ⅳ-A族，它们都具有明显的共价键；都以金刚石型结构结晶；它们的带隙宽度随原子序数的增加而递减，其原因是其键合能随电子层数的增加而减小。V-A族都是某一种同素异形体具有半导体性质，其带隙宽度亦随原子序数的增加而减小。
硅元素半导体的应用介绍
硅以其优越的物理性质、成熟而较为容易的制备方法以及地球上丰富的资源而成为当前应用最为广泛的元素半导体。硅在地壳中的资源含量约为27%，因而自20世纪50年代末起，随着提纯和晶体生长技术以及硅平面工艺的发展，硅很快就在半导体工业中取代了锗的位置。到目前为止，二极管、晶体管和集成电路的制造，仍然是半导体
硅和锗元素半导体的应用介绍
硅和锗是我们最熟悉的元素半导体。锗是最早实现提纯和完美晶体生长，并最早用来制造晶体管的半导体材料。但是，由于锗的禁带较窄，锗器件的稳定工作温度远不如硅器件高，加之资源有限，其重要地位早在半导体工业发展初期就被硅所取代。目前，锗仅以其较高的载流子迁移率和在某些重掺杂情况下的高度红外敏感特性，在低频小功
关于局限半导体结构的研究
基于半导体材料的量子光学设计在量子密码学以及量子通讯应用及研究中发挥着越来越重要的作用。在本应用文档中，我们将介绍砷化镓的激子化激元以及砷化铟量子点的光谱学测量。所有的实验都是在4~60K的制冷温度下进行的。 相对于光之间直接作用，电控制光学器件显得非常的简单。因此，在量子光学中，依然通过把光变
非晶半导体的结构特点
非晶半导体与其他非晶材料一样，是短程有序、长程无序结构。我们以非晶硅为例，说明非晶半导体的结构。共价键晶体有确定的键长和键角，A原子近邻有4个Si原子，B原子除了和A原子形成一个共价键外，还与另外3个原子形成共价键，以虚线来表示。在不改变相邻两键间的键角情况下，可以绕AB轴旋转，以改变虚线联结的3个
卤族元素的元素性质原子结构特征
原子结构特征最外层电子数相同，均为7个电子，由于电子层数不同，原子半径不同，从F～I原子半径依次增大，因此原子核对最外层的电子的吸引能力依次减弱，从外界获得电子的能力依次减弱，单质的氧化性减弱。相似性卤素的化学性质都很相似，它们的最外电子层上都有7个电子，有取得一个电子形成稳定的八隅体结构的卤离子的
半导体测试系统结构说明
半导体测试系统由三大部分组成，包括测量与控制、调理与路由、温度环境。半导体测试系统测量与控制部分是整个系统的核心，主要组成硬件有LCR表，数字万用表，耐压仪，漏电流测试仪、示波器、信号发生器、功率发生器、精密编程电源等仪器。所有的硬件测量与控制资源通过信号调理和大规模的矩阵路由接入温度控制环境中，
要成为半导体－元素－，必要条件要什么
半导体的元素必要条件多元也复杂，唯有三个基本要件必定要先通过：1.随手可得2.提錬纯度极高3.可以混入可容杂质。
氧族元素的原子结构
原子序数元素电子层结构8氧2, 616硫2, 8, 634硒2, 8, 18, 652碲2, 8, 18, 18, 684钋2, 8, 18, 32, 18, 6116鉝2, 8, 18, 32, 32, 18, 6相同点·原子最外层有6个电子·反应中易得到2个电子·表现氧化性不同点·除氧外其它氧族
锂元素的结构和应用特点
锂（Lithium）是一种金属元素，位于元素周期表的第二周期IA族，元素符号为Li，它的原子序数为3，原子量为6.941，对应的单质为银白色质软金属，也是密度最小的金属。其熔点为180.5 ℃，沸点为1342 ℃，比热容为3.58 kJ/kg·K，可溶于硝酸、液氨等溶液，可与水反应。锂常用于原子反应
半导体压力传感器的结构功能
常用的半导体压力传感器选用N 型硅片作为基片。先把硅片制成一定几何形状的弹性受力部件，在此硅片的受力部位，沿不同的晶向制作四个P型扩散电阻,然后用这四个电阻构成四臂惠斯登电桥，在外力作用下电阻值的变化就变成电信号输出。这个具有压力效应的惠斯登电桥是压力传感器的心脏，通常称作压阻电桥（如图1）。压
碳氢元素分析仪仪器结构
DYCH-2008A型碳轻元素分析仪包括净化系统、燃烧装置和吸收系统三个主要部分。1、净化系统由气体干燥塔和流量计构成，气体干燥塔容量500mL，流量计测量范围0～150mL/min。2、燃烧装置由一个三节管式炉及其控温系统构成。三个电炉都可在轨道上水平移动，并可径向开启45°，炉体内两个平行的管式
大分子碳结构有机半导体问世
据美国物理学家组织网8月29日报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新突破将会让以塑料为基础的柔性电子设备“遍地开花”。相关研究发表在材料科学
GaN基半导体异质结构中的应力相关效应
GaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料,其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用,目前,影响其未来发展的有几大关键性难题,本质上都与应力场有关,深受大家关注且亟待解决。本论文通过实验研究和计算模拟,全面深入地考察了GaN基半导体异质结构中应力场的相关效应,分析其复杂性质、阐明其物理机制,进
《纳米快报》：一维半导体纳米结构光子学
在基金委青年基金、纳米重点项目和国家纳米测试基金及973课题的支持下，湖南大学纳米技术研究中心潘安练、邹炳锁教授等团队成员和北京大学、国家纳米中心以及德国马普研究所合作，在一维半导体纳米结构光子学的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半导体一维纳米结构中光子输运的概念，建立光传播的理论模型，并在实验
锑(Sb)元素的结构特点及污染源
锑(Sb)为银白色金属。在自然界中主要以Sb3+、Sb5+和Sb3-形式存在,负三价锑的氢化物毒性剧烈,在自然界中不稳定,易氧化分为金属和水。而Sb3+和Sb5+在酸至中性介质中易水解沉淀,所以在天然水中的浓度极低,平均约为0.2 μg/L,日本的水环境质量标准规定锑必须在0.002 mg/L以下。
元素分析仪能否确定分子结构
不能，元素分析仪只能确定物质的元素种类，元素比例， 得到的结果叫物质的实验式。 例如，用元素分析仪分析葡萄糖(C6H12O6),只能得到它的实验式(CH2O) 真正得到分子结构，需要结合核磁共振、质谱分析、紫外光谱等手段
元素分析仪能否确定分子结构
不能，元素分析仪只能确定物质的元素种类，元素比例，得到的结果叫物质的实验式。例如，用元素分析仪分析葡萄糖(C6H12O6),只能得到它的实验式(CH2O)真正得到分子结构，需要结合核磁共振、质谱分析、紫外光谱等手段。
半导体激光器的5大基本组成结构
半导体激光器俗称为激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性，所以被称为半导体激光器。通常采用的工作物质有砷化镓、硫化镉、磷化铟等，可以作为光纤激光器和固体激光器的泵浦源，也可以直接输出激光作为光源。随着半导体技术的不断深入发展，市场需求不断转向。应用领域也不断发生变化。从小功率设备，发
卤族元素的元素特性
原子结构特征最外层电子数相同,均为7个电子,由于电子层数不同,原子半径不同,从F～I原子半径依次增大,因此原子核对最外层的电子的吸引能力依次减弱,从外界获得电子的能力依次减弱,单质的氧化性减弱。相似性卤素的化学性质都很相似,它们的最外电子层上都有7个电子,有取得一个电子形成稳定的八隅体结构的卤离子的
半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
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全国官宣/半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
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半导体的原理
首先是半导体是指室温下电导率介于导体和绝缘体之间的材料。半导体是指具有可控导电性的材料，范围从绝缘体到导体。从科学技术和经济发展的角度来看，半导体影响着人们的日常工作和生活，直到20世纪30年代，这种材料才得到学术界的认可。常见的半导体材料包括硅、锗、砷化镓等。硅是最有影响力的半导体材料之一。其次是
半导体的特性
半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。 1． 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体zui显著、zui突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特
苏州纳米所阵列无机半导体纳米结构研究获系列进展
无机半导体纳米结构电极在太阳能电池、光解水及能量存储等器件中有着非常广泛的应用。电极的比表面积以及电荷输运能力是决定这些器件性能的关键因素。最近，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员封心建课题组在高性能无机半导体纳米电极的研究中取得了系列新进展。 电极材料的微观结构对其电学性能有着重要
1455万！这家公司中标半导体材料化学结构分析系统
近日，深圳职业技术学院公布半导体材料化学结构分析系统中标结果。安捷伦7900（核心产品）以14550000元的价格中标。