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2月1日，中科院计划财务局和高技术局组织专家对半导体研究所“高效大功率GaN LED外延及芯片技术”、“低电压垂直结构GaN LED芯片技术”、“深紫外LED关键材料及器件技术”及“MOCVD重大装备技术”等四项科技成果进行了鉴定。 成果鉴定会上，由多位院士组成的鉴定委员会委员听取了半导体所作的技术总结报告、测试报告、技术查新报告及用户使用报告，审查了相关材料，最终分别对四项成果形成了鉴定意见，各项成果综合研究指标均达到国内领先、国际先进水平。 此次成果鉴定是半导体所在半导体照明领域自2006年至2012年六年的成果累计，半导体照明研发中心结合产业的实际情况，针对不同企业会对技术有不同的需求，特别是对单项技术的需求，对不同时期、不同类型的十余项国家项目进行了高度凝练，总结出各自具有系统性集成化的单项科学技术，以便未来成果顺利转移转化，为产业提供有力的技术支撑。......阅读全文
近日，记者从中国宽禁带功率半导体产业联盟获悉，国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。 据悉，宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料，目前正在逐步取代硅(Si)
他发表了400余篇论文，引用7万余次，4次入选麻省理工年度技术突破，新创多家成功企业，转化50余项专利技术，每天却只有4个小时秘密工作时间。他是John A Rogers，年仅49岁，美国科学院、工程院、艺术与科学院三院院士，柔性电子的先驱人物。今天，他为知社讲述他创新创业的传奇故事：研究的缘起
二十多年前，有机聚合物进入电子世界，并产生了能够用于射频识别（RFID）标记或有机太阳电池有机半导体材料。现在，巴西圣保罗大学的研究组与英国、法国的研究人员合作，确定了另一类化学化合物，更奇特的金属有机框架（MOF），有望用于电子器件。 MOF是具有多孔结构的有机-无机异质晶体。该研究的论文刚
金属和陶瓷/半导体具有迥然不同的力学性能，如金属具有良好的延展性、塑性、易加工等特性，而陶瓷和半导体则表现为脆性、塑性差、不易加工等特性。人类的生存和发展离不开这些基础材料的研究，目前金属和陶瓷/半导体已走进了人们生产和生活的方方面面，但它们力学性能的差异导致了两者几乎孑然相反的应用领域。特别由
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在 1mΩ·cm～1GΩ·cm 范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无
你开着混动汽车，通过导航仪找到了特色参观，你在坚固温暖的房子里用手机查看着一周的天气预报，你足不出户就能通过电商买到国外的牛奶，你坐在影院里一边吃着爆米花一边看着最新的3D大片…… 虽已习以为常，但我们的生活已确实都被这些曾经的先进技术改变了。在2015年的关口猜想，下一次是谁要改变我们？
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
图为无机半导体材料硫化亚银的压缩实物照片。(资料图片) 最近，中国科学院上海硅酸盐研究所研究员史迅、陈立东与德国科学家合作，发现首个可弯曲无机半导体材料α-Ag2S(硫化亚银)。这种典型的半导体在室温中具有非常反常的与金属类似的力学性能，尤其是拥有良好的延展性和可弯曲性，有望在柔性电子中获得广
美国佐治亚理工学院和中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组最近与美国哥伦比亚大学的James Hone研究组合作，首次在二维单原子层材料二硫化钼中实验观测到压电效应(piezoelectric effect)和压电电子学效应(piezotronic effect)，并首次成功
材料是人类一切生产和生活的物质基础，历来是生产力的标志，对材料的认识和利用的能力，决定社会形态和人们的生活质量。新材料则是战略新兴产业发展的基石。新材料种类 一、我国新材料产业现状我国新材料生产情况 几乎所有的新材料我国都能够生产并且正在生产，包括： 高性能工程材料 POK聚酮、PPO聚
近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高
新材料主要服务于战略性新兴产业，同时也是新兴产业发展的基础及先导，新材料的应用领域基本集中在新兴产业。作为战略新兴产业中最重要的一极，新材料是“基础的基础”，是国家七大战略新兴产业拼图之龙骨。 根据我国当前及未来发展的实际情况，新材料领域值得注意的新发展方向主要有半导体材料、结构材料、高分子材
《新材料产业“十二五”规划》为许多的材料在中国未来的发展指明了方向，理财周报本期将沉淀前段时间一直以来材料科学的调查研究精华，为跨越三个阶段的新材料研究列出期终榜单。 本期梳理的十大未来最具潜力的材料，包括：石墨烯、碳纤维、轻型合金、碳纳米管、超导材料、半导体材料、功能薄膜、智能材料、生物材料
10月28日，国家重点研发计划项目“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”启动会在上海召开。国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”由中国科学院合肥物质科学研究院牵头，中科院深圳先进技术研究院、半导体研究所、上海硅酸盐研究所、北京
1、半导体产业，设计和制造哪个难度大？制造难度更大些。● 现在兼顾设计和制造的公司比较少；● 只做设计公司很多，一般成为fabless，拥有电脑、软件和设计工程师就可以完成设计，输出设计后交由光罩厂、晶圆流片代工厂、封测厂生产器件。● 只做制造的成为fab厂，门
第三代半导体材料先进电子器件的功能性、集成度和功率密度的持续提高，势必会造成器件运行产生废热的高度集中。电子封装材料是电子器件热管理的关键，目前使用的环氧树脂电子封装材料的导热性能已不能满足先进半导体材料的发展需求。石墨烯自发现以来就凭借诸多优异的物理性能而备受关注，石墨烯所具有的超高导热系数（
近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室、化学与材料科学学院教授杨金龙研究组在寻找具有室温半金属磁性材料方面取得重要理论进展，使得制备可在常温环境下工作的自旋电子器件成为可能。此成果发表在《美国化学会志》上。 自旋电子器件基于电子自旋进行信息的传递、处理与存储，具有目前传统半导体
“生产集成电路所需要的硅材料已趋近完美，但是未来还有什么材料可以替代硅，这是业界急切希望解决的问题”。中国科学院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任郝跃近日在 “纪念集成电路发明60周年学术会议”上如是说。该会议由中国电子学会、中国科学院信息技术科学部等共同主办。 自1958年杰克·基
不仅要发挥物理所基础和前沿研究方面的综合优势，对那些具有明显应用价值的研究成果，还要注意尽可能早地就把企业请进来，与那些既有经济实力、又有战略眼光的企业合作，把我们的知识与技术转移扩散出去，形成自主知识产权，提高我国高新技术的竞争力！” 12月5日下午，全国人大副委员长、中国科学院院长路甬
单壁碳纳米管（SWCNT）因碳原子排布方式不同可表现为金属性或半导体性，其中半导体性SWCNT具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率，被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料，并可望在新一代柔性电子器件中获得应用。然而，金属性和半导体性SWCNT的结构和生成能差异细微，通
太赫兹波是指频率在0.1～10THz之间的电磁波，在电磁波谱上位于微波和红外线之间。是电磁波谱中唯一没有获得较全面研究并很好加以利用的最后一个波谱区间，是人类目前尚未完全开发的电磁波谱“空白”区。由于太赫兹波所处的特殊电磁波谱的位置，它有很多优越的特性，在材料分子的特殊光谱信息分析、材料与结构的
国家重点研发计划项目“高功率密度基板材料的制备与性能调控研究”启动会在上海召开。国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“高功率密度电子器件基板材料的制备与性能调控研究”由中国科学院合肥物质科学研究院牵头，中科院深圳先进技术研究院、半导体研究所、上海硅酸盐研究所、北京
发改委网站2011年10月20日刊文，由发改委、科技部、工信部、商务部、知识产权局联合研究审议的 《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南(2011年度)》，现予以发布。《指南》确定了当前优先发展的信息、生物、航空航天、新材料、先进能源、现代农业、先进制造、节能环保和资源综合利用、海洋、高技
近日，中国科学院国家纳米科学中心研究员孙向南和西班牙巴斯克纳米科学中心教授Hueso等合作，在分子自旋电子学研究方面取得重要进展，提出并报道了全新的分子自旋光伏器件。相关研究成果于8月18日在《科学》（Science）杂志在线发表，并已申请国家发明专利（申请号:201611011759.5）。
目前，TOKO压力传感器芯体材质品种繁多，下面简单介绍下几种芯体材质的性能 一、单晶硅 硅在集成电路和微电子器件生产中有着广泛的应用，主要是利用硅的电学特性；在MEMS微机械结构中，则是利用其机械特性，继而产生新一代的硅机电器件和装置。硅材料储量丰富，成本低。硅晶体生长容易，并存在
12月22日，“保定·中国电谷第三代半导体材料（碳化硅）产业集群发展研讨会”在河北省保定市召开。会上，保定高新区与中科院半导体所签署了战略合作协议，举行了中科院半导体所与河北同光晶体公司建立联合实验室揭牌仪式，与会专家就碳化硅产业发展前景、市场规模、技术壁垒、产业优势、产业链条、在智能电网及相关
二维材料具有原子级厚度和较高的比表面积，所有原子处于表面，导致其表面对表面吸附和外界环境较为敏感。二维半导体材料在电子学与光电子学器件领域具有广阔的应用前景，有望成为下一代小型化电子器件的核心材料。为实现此类应用，需要对材料进行剪裁。通过常规的微纳加工技术，包括光刻和反应离子干法刻蚀或化学溶液湿
一维半导体纳米线凭借其优越、独特的电学、光学、力学等特性，在材料、信息与通讯、能源、生物与医学等重要领域展现出广阔的应用前景。尤其是，基于半导体纳米线的晶体管具有尺寸小、理论截止频率高等优点，为未来在微处理器芯片上实现超大规模集成电路开拓了新的方向。在III-V族半导体材料中，InAs具有小的电
半导体材料的变迁：Ge(锗)、Si(硅)→→→GaAs(砷化镓)、InP(磷化铟)→→→SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、SiGe(锗化硅)、SOI(绝缘层上覆硅) →→→碳纳米管(CNT) →→→石墨烯(Graphene)。目前功率放大器的主流工艺依然是GaAs工艺。另外，GaAs HBT，
从概念上讲，碳纳米管是由石墨烯卷曲形成的一维管状分子，它不仅具有石墨烯优异的力学、热学性能以及极高的载流子迁移率等特点，而且具有结构可调的能隙结构，表现出优异的电子以及光电子特性，是制备高速、低功耗、高集成度电子和光电子集成回路的理想材料。相对于传统的Si基半导体器件，碳纳米管电子器件的能效能够